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DMN3005LK3

N沟道增强型MOSFET

特点

低导通电阻

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

ESD保护

铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）

"Green"设备（注2 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

机械数据

案例： TO252-3L

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

终端连接：见图

终端：雾锡完成了退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

重量： 0.33克（近似值）

顶视图

等效电路

PIN OUT机顶视图

订购信息

（注3）

产品型号

DMN3005LK3-13

注意事项：

例

TO252-3L

包装

2500 /磁带&卷轴

1.没有故意添加铅。

2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。

3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。

标识信息

N3005L

YYWW

=制造商的标志

N3005L =产品型号标识代码

YYWW =日期代码标

YY =年（例如： 09 = 2009）

WW =周（ 01 - 53 ）

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最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

特征

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（注4 ）V

= 10V

连续漏电流（注5 ）V

= 10V

漏电流脉冲（注6 ）

稳定

状态

稳定

状态

= 25°C

= 85°C

= 25°C

= 85°C

符号

DSS

GSS

价值

±20

14.5

10.5

单位

热特性

特征

功率耗散（注4 ）

热阻，结到环境@T

= 25 （注4 ）

功率耗散（注5 ）

热阻，结到环境@T

= 25 ° C（注5 ）

工作和存储温度范围

符号

θJA

, T

英镑

价值

1.68

74.3

4.1

30.8

-55到+150

单位

° C / W

°C

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

特征

开关特性（注7 ）

漏源击穿电压

零栅压漏电流T

= 25°C

栅源漏

基本特征（注7 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向转移导纳

二极管的正向电压

动态特性（注8）

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

注意事项：

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

1.0

典型值

1.5

3.6

4.9

0.8

4342

1801

669

1.76

46.9

14.3

18.6

7.9

22.8

73.4

43.5

最大

1.0

±100

2.0

5.0

6.5

1.0

单位

μA

测试条件

= 0V时，我

= 250μA

= 30V, V

= 0V

= ±20V, V

= 0V

= V

, I

= 250μA

= 10V ，我

= 20A

= 4.5V ，我

= 20A

= 15V ，我

= 15A

= 0V时，我

= 20A

= 15V, V

= 0V,

F = 1.0MHz的

= 0V, V

= 0V ， F = 1MHz的

= 4.5V, V

= 15V,

= 15A

= 15V, V

= 10V,

= 1.3 R

= 3

4.设备安装在FR- 4印刷电路板，以最小的推荐焊盘布局，单面。

5.装置安装在2 “×2”的FR-4印刷电路板用的高覆盖率2盎司铜，单面。

重复评级，脉冲宽度有限的结点温度和电流限制的包。

7.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

8.通过设计保证。不受生产测试。

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= 4.5V

= 5.0V

= 3.5V

，漏电流（ A）

= 3.0V

= 2.8V

= 2.5V

= 150°C

= 125°C

= 85°C

= 25°C

= -55°C

= 1.8V

= 2.0V

，漏源电压（V ）

图1典型的输出特性

0.5

1.5

2.5

3.5

，门源极电压（ V）

图。 2典型的传输特性

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

)

0.036

0.032

0.028

0.024

0.020

0.016

0.012

0.008

0.004

= 4.5V

= 2.5V

DS （ ON）

漏源导通电阻（

)

0.040

0.012

= 4.5V

0.010

0.008

= 150°C

= 125°C

= 85°C

0.006

0.004

= 25°C

= -55°C

0.002

，漏电流（ A）

图。 3典型导通电阻

与漏电流和栅极电压

，漏电流（ A）

图。 4典型的漏源导通电阻

与漏电流和温度

0.010

0.009

DS （ ON）

，漏 - 源

电阻（

)

0.008

0.007

0.006

0.005

0.004

0.003

0.002

0.001

-50

-25

75 100 125 150

，结温（

图。 5导通电阻随温度的变化

= 4.5A

= 20A

1.0

GS （ TH）

，栅极阈值电压（ V）

0.8

0.6

= 1毫安

0.4

= 250A

0.2

75 100 125 150

，环境温度（ ° C）

图。 6栅极阈值变化与环境温度

-50

-25

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，源电流（ A）

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

，源极 - 漏极电压（ V）

图。 7二极管的正向电压与电流

1.2

= 25°C

10,000

F = 1MHz的

国际空间站

C，电容（pF ）

OSS

1,000

RSS

100

，漏源电压（V ）

图。 8典型电容

1,000,000

DSS

漏电流（ NA）

100,000

= 150°C

10,000

= 125°C

1,000

100

= 85°C

= 25°C

，漏源电压（V ）

图。 9典型的漏源漏电流与电压

R（T ），瞬态热阻

D = 0.7

D = 0.5

D = 0.3

0.1

D = 0.1

D = 0.9

D = 0.05

（吨） = R （t）的R *

= 76 ° C / W

P（ PK）

D = 0.02

0.01

D = 0.01

D = 0.005

- T

= P * R

(t)

占空比D = T

D =单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

，脉冲持续时间（s ）

图。 10瞬态热响应

100

1,000

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包装外形尺寸

座位

飞机

TO252-3L

朦胧最小值典型值

最大

2.19 2.29

2.39

0.97 1.07

1.17

0.64 0.76

0.88

0.76 0.95

1.14

5.21 5.33

5.50

0.45 0.51

0.58

6.00 6.10

6.20

6.45 6.58

6.70

2.286典型。

9.40 9.91 10.41

1.40 1.59

1.78

0.88 1.08

1.27

0.64 0.83

1.02

0°

10°

尺寸：mm

拟议的焊盘布局

尺寸

值（单位：mm）

11.6

1.5

7.0

2.5

7.0

6.9

2.3

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