DMN2990UDJ
双N沟道增强型MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
0.99 @ V
GS
= 4.5V
I
D
最大
T
A
= 25°C
450mA
400mA
330mA
300mA
特点
双N沟道MOSFET
低导通电阻
非常低的栅极阈值电压， 1.0V最大
低输入电容
开关速度快
超小型表面贴装封装1毫米X 1毫米
低套餐介绍， 0.45毫米最大封装高度
ESD保护门
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
新产品
20V
1.2 @ V
GS
= 2.5V
1.8 @ V
GS
= 1.8V
2.4 @ V
GS
= 1.5V
描述
这种MOSFET的设计，以减少通态电阻
(R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关性能，使其
适用于高效率的电源管理应用。
机械数据
案例： SOT963
外壳材料：模压塑料， "Green"模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端连接指示灯：参见图
码头：完成
雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.027克（近似值）
应用
通用接口开关
电源管理功能
DC- DC转换器
模拟开关
D
1
G
2
S
2
SOT963
S
1
G
1
D
2
ESD保护
顶视图
顶视图
原理图和晶体管图
订购信息
（注4 ）
产品型号
DMN2990UDJ-7
注意事项：
例
SOT963
包装
10K /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.关于Diodes公司的免费锑， "Green"和无铅卤素 - 和定义的详细信息，请参阅http://www.diodes.com 。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
4.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
L1
L1 =产品型号标识代码
DMN2990UDJ
文件编号： DS35401启示录7 - 2
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2012年9月
Diodes公司
DMN2990UDJ
最大额定值
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
漏源电压
栅源电压
符号
V
DSS
V
GSS
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
I
D
I
D
I
DM
价值
20
±8
450
350
330
220
800
单位
V
V
mA
mA
mA
新产品
连续漏电流（注5 ）V
GS
= 4.5V
连续漏电流（注5 ）V
GS
= 1.8V
漏电流脉冲（注6 ）
热特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
总功率耗散（注5 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
350
360
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
开关特性（注7 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流@T
c
= +25°C
栅源漏
基本特征（注7 ）
栅极阈值电压
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
民
20
-
-
-
0.4
-
-
-
-
-
180
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
0.60
0.75
0.90
1.2
2.0
-
0.6
27.6
4.0
2.8
0.5
0.07
0.07
4.0
3.3
19.0
6.4
最大
-
50
100
±100
1.0
0.99
1.2
1.8
2.4
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
nA
nA
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 5V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±5V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 50毫安
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 20mA下
V
GS
= 1.5V ，我
D
= 10毫安
V
GS
= 1.2V ，我
D
= 1毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 400毫安
V
GS
= 0V时，我
S
= 150毫安
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V,
I
D
= 250毫安
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V,
R
L
= 47, R
G
= 10,
I
D
= 200毫安
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
Ω
正向转移导纳
二极管的正向电压（注6 ）
动态特性（注8）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
mS
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
5.设备安装在FR- 4印刷电路板，以最小的推荐焊盘布局。
6.设备安装在最小建议焊盘布局测试板， 10μs的脉冲占空比= 1 ％ 。
7.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
8.通过设计保证。不受产品测试。
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1
R（T ） ，瞬态热创制
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.9
D = 0.1
D = 0.05
0.1
新产品
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
单脉冲
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 356℃ / W
占空比D = T1 / T2
0.001
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T1 ，脉冲持续时间（秒）
图。 13瞬态热创制
10
100
1000
包装外形尺寸
请参阅AP02002在http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf的最新版本。
D
e1
L
E1
E
e
B（ 6位）
c
A
A1
SOT963
DIM MIN
MAX TYP
A
0.40
0.50 0.45
A1
0
0.05
-
c
0.120 0.180 0.150
D
0.95
1.05 1.00
E
0.95
1.05 1.00
E1
0.75
0.85 0.80
L
0.05
0.15 0.10
b
0.10
0.20 0.15
e
0.35 TYP
e1
0.70 TYP
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
请参阅AP02001在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf最新的版本。
C
C
Y1
尺寸值（单位：mm）
C
0.350
X
0.200
Y
0.200
Y1
1.100
Y（ 6X ）
X (6X)
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