DMN2600UFB
N沟道增强型MOSFET
特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
开关速度快
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注2 ）
ESD保护门千伏
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： DFN1006-3
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端连接：见图
码头：完成 - 镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
标识信息：参见第5页
订购信息：参见第5页
重量：0.001克数（近似值）
新产品
DFN1006-3
漏
S
D
G
ESD保护千伏
体
二极管
门
底部视图
门
保护
二极管
来源
顶视图
内部原理
等效电路
最大额定值
漏源电压
栅源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
I
D
I
DM
价值
25
±8
1.3
0.9
3.0
单位
V
V
A
A
特征
连续漏电流（注3 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θJA
T
J
,
T
英镑
价值
0.54
234
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
特征
功率耗散（注3 ）
热阻，结到环境@T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
注意事项：
1.没有故意添加铅
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php
3.设备安装在FR- 4基板PCB板，以最小的推荐焊盘布局。
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DMN2600UFB
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性（注4 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
栅源漏
基本特征（注4 ）
栅极阈值电压
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
25
-
-
0.45
-
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
70.13
7.56
5.59
72.3
0.85
0.16
0.11
4.1
11.5
34.8
20.9
最大
-
1
10
1.0
350
450
600
-
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
μA
V
mΩ
mS
V
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±8V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 75毫安
V
DS
= 3V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 0V时，我
S
= 300毫安
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
=0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 15V,
I
D
= 1A
V
DS
= 15V ，R
L
=15Ω
V
GS
= 10V ，R
G
= 6Ω
新产品
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性（注5 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
4.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
5.通过设计保证。不受生产测试。
2.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
1.5
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 2.5V
I
D
，漏电流（ A）
1.5
1.0
1.0
V
GS
= 2.0V
0.5
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0.5
V
GS
= 1.5V
0
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2典型的传输特性
3
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DMN2600UFB
100
C
国际空间站
1,000
T
A
= 150°C
I
DSS
漏电流（ NA）
C，电容（pF ）
100
T
A
= 125°C
10
C
OSS
新产品
T
A
= 85°C
C
RSS
10
T
A
= 25°C
F = 1MHz的
1
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 9典型的总电容
30
1
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 10典型漏电流
与漏源电压
30
10
V
GS
，栅源电压（V ）
8
6
V
DS
= 15V
I
D
= 1A
4
2
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图。 11栅极电荷特性
1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
2
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 235 ° C / W
P（ PK）
D = 0.02
0.01
D = 0.01
t
1
D = 0.005
D =单脉冲
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 12瞬态热响应
10
100
1,000
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订购信息
（注6 ）
产品型号
DMN2600UFB-7
注意事项：
例
DFN1006-3
包装
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
新产品
NA
NA =产品型号标识代码
点表示漏极侧
包装外形尺寸
A
A1
D
b1
E
b2
e
DFN1006-3
DIM MIN
MAX TYP
A
0.47
0.53 0.50
A1
0
0.05 0.03
b1
0.10
0.20 0.15
b2
0.45
0.55 0.50
D
0.95 1.075 1.00
E
0.55 0.675 0.60
e
0.35
L1
0.20
0.30 0.25
L2
0.20
0.30 0.25
L3
0.40
尺寸：mm
L2
L3
L1
拟议的焊盘布局
C
X
1
X
G2
G1
Y
Z
尺寸
Z
G1
G2
X
X1
Y
C
值（单位：mm）
1.1
0.3
0.2
0.7
0.25
0.4
0.7
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