DMN2400UV
双N沟道增强型MOSFET
特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
ESD保护可达2kV的
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT- 563
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成
雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
重量： 0.006克（近似值）
D
2
G
1
S
1
SOT-563
S
2
G
2
D
1
ESD保护2kV的
顶视图
底部视图
顶视图
内部原理
订购信息
（注3）
产品型号
DMN2400UV-7
DMN2400UV-13
注意事项：
例
SOT-563
SOT-563
包装
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
24N
YM
24N =标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： W = 2009）
M =月（例如： 9 =九月）
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2009
W
JAN
1
FEB
2
2010
X
MAR
3
APR
4
2011
Y
五月
5
JUN
6
2012
Z
JUL
7
2013
A
八月
8
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
DMN2400UV
文件编号： DS31852牧师6 - 2
1 6
www.diodes.com
2011年1月
Diodes公司
DMN2400UV
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（注4 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
20
±12
1.33
0.84
3
单位
V
V
A
A
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
530
233.8
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注4 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
民
20
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
0.3
0.35
0.45
0.55
0.65
1.4
0.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
36.0
5.7
4.2
68
0.5
0.07
0.1
4.06
7.28
13.74
10.54
最大
-
100
±1.0
±50
0.9
0.48
0.5
0.7
0.9
1.5
-
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
nA
μA
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±4.5V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±10V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 600毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 350毫安
V
GS
= 1.5V ，我
D
= 50毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 400毫安
V
GS
= 0V时，我
S
= 150毫安，
F = 1.0MHz的
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
Ω
正向转移导纳
二极管的正向电压（注5 ）
动态特性（注6 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
S
V
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
DS
=16V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V,
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V,
I
D
=250mA
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V,
R
L
= 47, R
G
= 10,
I
D
= 200毫安
4.设备焊接在FR- 4 PCB ，建议最小焊垫尺寸（ 25.4毫米X 25.4毫米x1.6mm ， 2盎司Cu焊盘： 0.18毫米
2
x 6).
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
6.通过设计保证。不受产品测试。
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