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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第200页 > DMN2400UFB4
DMN2400UFB4
N沟道增强型MOSFET
特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
超旺的小型表面贴装封装
超低套餐简介， 0.4毫米最大封装高度
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
ESD保护高达1.5KV
"Green"设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： DFN1006H4-3
外壳材料：模压塑料， "Green"模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端连接指示灯：收集点
码头：完成
镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
重量：0.001克数（近似值）
DFN1006H4-3
漏
S
D
G
ESD保护， 1.5KV
门
底部视图
顶视图
封装引脚配置
门
保护
二极管
来源
等效电路
订购信息
（注3）
产品型号
DMN2400UFB4-7
注意事项：
例
DFN1006H4-3
包装
3000 /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
NC
NC =产品型号标识代码
点表示漏极侧
DMN2400UFB4
文件编号： DS32025修订版3 - 2
1 6
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2010年10月
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DMN2400UFB4
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（注4 ）V
GS
= 4.5V
漏电流脉冲（注4 & 5 ）
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
20
±12
0.75
0.55
3
单位
V
V
A
A
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
0.47
258
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注4 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性（注6 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
栅源漏
栅源漏
基本特征（注6 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注6 ）
动态特性（注7 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
20
-
-
-
0.5
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
0.7
36.0
5.7
4.2
0.5
0.07
0.1
4.11
3.82
14.8
9.6
最大
-
100
±1.0
±50
0.9
0.55
0.75
0.9
-
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
nA
μA
μA
V
Ω
S
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±4.5V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±10V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 600毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 350毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 400毫安
V
GS
= 0V时，我
S
= 150毫安
V
DS
=16V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V,
ID = 250毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V,
R
L
= 47, R
G
= 10,
I
D
= 200毫安
4.设备安装在FR- 4印刷电路板，以最小的推荐焊盘布局，单面。
5.设备安装在最小建议焊盘布局测试板， 10μs的脉冲占空比= 1 ％ 。
6.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
7.通过设计保证。不受产品测试。
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DMN2400UFB4
2.0
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 2.5V
1.5
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 2.0V
I
D
，漏电流（ A）
1.5
1.0
1.0
V
GS
= 1.8V
0.5
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0.5
V
GS
= 1.5V
0
V
GS
= 1.2V
0
1
2
3
4
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
，门源极电压（ V）
图。 2典型的传输特性
3
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
0.8
0.8
V
GS
= 4.5V
0.6
V
GS
= 1.8V
0.6
T
A
= 150°C
0.4
V
GS
= 2.5V
0.4
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
V
GS
= 4.5V
0.2
0.2
T
A
= -55°C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
D
，漏源电流（A ）
图。 3典型导通电阻
与漏电流和栅极电压
2
0
0
0.50
0.75
1.00
1.25 1.50
I
D
，漏电流（ A）
图。 4典型的漏源导通电阻
与漏电流和温度
0.25
R
DS （ ON）
，漏 - 源
导通电阻（标准化）
V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.0A
1.4
V
GS
= 2.5.V
I
D
= 500毫安
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
1.6
0.8
0.6
1.2
0.4
V
GS
= 2.5V
I
D
= 500毫安
1.0
0.2
0.8
V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.0A
0.6
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图。 5导通电阻随温度的变化
0
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图。 6导通电阻随温度的变化
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1.2
V
GS （ TH）
，栅极阈值电压（ V）
2.0
1.0
I
S
，源电流（ A）
1.6
T
A
= 25°C
0.8
I
D
= 1毫安
1.2
0.6
I
D
= 250A
0.8
0.4
0.2
0.4
0
25
50
75 100 125 150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 7栅极阈值变化与环境温度
0
-50
-25
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
，源极 - 漏极电压（ V）
图。 8二极管正向电压与电流
1.2
I
DSS
，漏极 - 源极漏电流（ NA）
60
1,000
T
A
= 150°C
50
C，电容（pF ）
F = 1MHz的
40
C
国际空间站
100
T
A
= 125°C
30
T
A
= 85°C
20
10
T
A
= -55°C
T
A
= 25°C
10
0
0
C
OSS
C
RSS
1
5
10
15
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 9典型电容
20
2
6
8
10 12 14 16 18 20
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 10典型的漏源漏电流
与漏源电压
4
I
GSS
，栅极 - 源极漏电流（ NA）
10,000
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
I
GSS
，栅极 - 源极漏电流（ NA）
100,000
100,000
10,000
T
A
= 150°C
1,000
T
A
= 85°C
1,000
T
A
= 85°C
T
A
= 125°C
100
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
100
T
A
= 25°C
10
10
T
A
= -55°C
1
2
6
8
10
12
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 11典型栅极 - 源极漏电流
与栅源电压
4
1
2
6
8
10
12
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 12典型栅极 - 源极漏电流
与栅源电压
4
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DMN2400UFB4
1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 253 ° C / W
P（ PK）
D = 0.02
0.01
D = 0.01
t
1
D = 0.005
D =单脉冲
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 13瞬态热响应
10
100
1,000
包装外形尺寸
A
A1
D
b1
E
b2
e
DFN1006H4-3
DIM MIN
最大
典型值
A
0.40
A1
0
0.05 0.02
b1
0.10 0.20 0.15
b2
0.45 0.55 0.50
D
0.95 1.075 1.00
E
0.55 0.675 0.60
e
0.35
L1
0.20 0.30 0.25
L2
0.20 0.30 0.25
L3
0.40
尺寸：mm
L2
L3
L1
拟议的焊盘布局
C
X
1
X
G2
尺寸
Z
G1
G2
X
X1
Y
C
值（单位：mm）
1.1
0.3
0.2
0.7
0.25
0.4
0.7
G1
Y
Z
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DV74LS157N
DSP56374PB/D
DS1075Z-100
DX30A-80SE
DJT4031N
DSB1A40
DFLT26A
DRQ127-330-R
DM74LS83AN
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DMN2400UFB4
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市钊展电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3540513578 复制
电话：135-34090664
联系人：马先生
地址：福田区华强北街道中航路
DMN2400UFB4
DIODES/美台
22+
588888
X2-DSN1006-3
ESD管-TVS管-可提供样品
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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DIODES/美台
21+
5385
DFN1006
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