DMN2215UDM
双N沟道增强型场效应晶体管
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特点
双N沟道MOSFET
低导通电阻
100mΩ的@V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2.5A
140mΩ @V
GS
= 2.5V ，我
D
= 1.5A
215mΩ @V
GS
= 1.8V ，我
D
= 1A
非常低的栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
ESD保护门到2kV的HBM
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注3）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT- 26
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
码头：完成
雾锡比退火铜
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量：0.015克数（近似值）
新产品
G
1
SOT-26
D
1
S
2
S
1
G
2
ESD保护2kV的
D
2
顶视图
顶视图
原理图和引脚配置
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
I
D
I
DM
价值
20
±12
2.0
1.4
7.0
单位
V
V
A
A
特征
漏电流脉冲（注4 ）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
650
192
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
1.装置安装在FR- 4印刷电路板，或建议最小焊盘布局
2.没有故意添加铅。
3.二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
4.脉冲宽度
≤
为10μs ，占空比
≤
1%.
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电气特性
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注5 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注意事项：
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
IDSS
IGSS
民
20
0.6
典型值
80
105
165
5
0.73
188
44
30
8
3.8
19.6
8.3
最大
1
±10
1.0
100
140
215
1.1
单位
V
μA
μA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10μA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
CS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 1.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 1.0A
V
DS
= 5V ，我
D
= 2.4A
V
GS
= 0V时，我
S
= 1.05A
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
新产品
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
t
ns
V
DD
= 10V ，R
L
= 10Ω
I
D
= 1A ，V
根
= 4.5V ，R
G
= 6Ω
10
8
7
8
6
6
5
4
4
3
2
2
1
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
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1
R
DS （ ON）
，静态漏 - 源
导通电阻（
Ω
)
1.8
V
GS
= 2.5V
I
D
= 1.5A
1.6
R
DS （ ON）
归
V
GS
= 4.5V
I
D
= 2.5A
1.4
V
GS
= 1.8V
新产品
0.1
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.5V
1.2
V
GS
= 1.8V
I
D
= 1.0A
1
0.8
0.01
0.01
0.1
1
I
D
，漏源电流
图。 3导通电阻与
漏源电流&栅极电压
10
0.6
-50
-25 0
25
50 75 100 125 150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 4归静态漏源导通电阻
- 环境温度
1
V
GS （ TH）
，栅极阈值电压（ V）
1,000
F = 1MHz的
0.6
C，总电容（PF ）
0.8
I
D
= 250A
C
国际空间站
100
0.4
C
OSS
C
RSS
0.2
0
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
，环境温度（ C）
图。 5栅极阈值随温度的变化
10
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 6典型的总电容
20
10
I
S
，源电流（ A）
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
V
SD
，源极 - 漏极电压（ V）
图。 7反向漏电流和源极 - 漏极电压
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订购信息
产品型号
DMN2215UDM-7
注意事项：
（注6 ）
例
SOT-26
包装
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
新产品
标识信息
22N =标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： U = 2007
M =月前： 9 =九月
22N
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2007
U
JAN
1
FEB
2
2008
V
MAR
3
2009
W
APR
4
2010
X
五月
5
JUN
6
YM
2011
Y
JUL
7
2012
Z
八月
8
2013
A
SEP
9
十月
O
2014
B
NOV
N
2015
C
DEC
D
包装外形尺寸
A
B C
H
K
M
J
D
L
SOT-26
朦胧最小值最大值典型值
A
0.35 0.50 0.38
B
1.50 1.70 1.60
C
2.70 3.00 2.80
D
0.95
H
2.90 3.10 3.00
J
0.013 0.10 0.05
K
1.00 1.30 1.10
L
0.35 0.55 0.40
M
0.10 0.20 0.15
0°
8°
α
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
E
E
Z
G
C
尺寸值（单位：mm）
Z
3.20
G
1.60
X
0.55
Y
0.80
C
2.40
E
0.95
Y
X
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生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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QQ：2881677436 复制
