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DMN2065UW

20V N沟道增强型MOSFET

产品概述

（ BR ） DSS

DS （ ON）

最大

56mΩ @ V

= 4.5V

最大

= 25°C

2.8A

2.6A

2.2A

1.8A

特点和优点

低导通电阻

低输入电容

开关速度快

铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）

"Green"设备（注2 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

新产品

20V

65mΩ @ V

= 2.5V

93mΩ @ V

= 1.8V

140mΩ @ V

= 1.5V

说明与应用

这种MOSFET的设计，以减少通态电阻

DS （ ON）

），并同时保持出色的开关性能，使其

适用于高效率的电源管理应用。

通用接口开关

电源管理功能

DC- DC转换器

模拟开关

机械数据

案例： SOT323

外壳材料：模压塑料， "Green"模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

终端连接指示灯：参见图

码头：完成

雾锡退火过Alloy42引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

重量： 0.027克（近似值）

漏

SOT323

门

来源

顶视图

等效电路

顶视图

订购信息

（注3）

产品型号

DMN2065UW-7

注意事项：

例

SOT323

包装

3000 /磁带&卷轴

1.没有故意添加铅。

2.二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。

3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。

标识信息

DMH

DMH =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年（例如： Y = 2011）

M =月（例如： 9 =九月）

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

2011

JAN

FEB

2012

MAR

APR

2013

五月

JUN

2014

JUL

2015

八月

SEP

2016

十月

NOV

2017

DEC

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最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

特征

漏源电压

栅源电压

稳定

状态

t<10s

稳定

状态

t<10s

漏电流脉冲（脉冲为10μs ，占空比= 1 ％）

最大体二极管正向电流（注4 ）

= 25°C

= 70°C

= 25°C

= 70°C

= 25°C

= 70°C

= 25°C

= 70°C

符号

DSS

GSS

价值

±12

2.8

2.3

3.1

2.6

2.2

1.7

2.4

1.9

1.2

单位

新产品

连续漏电流（注5 ）V

= 4.5V

连续漏电流（注5 ）V

= 1.8V

热特性

= 25 ° C除非另有说明

特征

总功率耗散（注4 ）

热阻，结到环境（注4 ）

总功率耗散（注5 ）

热阻，结到环境（注5 ）

工作和存储温度范围

稳定状态

t<10s

稳定状态

t<10s

符号

英镑

价值

0.43

296

252

0.7

178

151

-55到+150

单位

° C / W

°C

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

特征

开关特性（注6 ）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅源漏

基本特征（注6 ）

栅极阈值电压

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

0.35

典型值

0.7

400.0

73.8

65.6

5.4

0.7

1.4

3.5

9.7

23.8

7.2

最大

±1

1.0

140

1.0

单位

μA

测试条件

= 0V时，我

= 1毫安

= 20V, V

= 0V

= ±10V, V

= 0V

= V

, I

= 250μA

= 4.5V ，我

= 2A

= 2.5V ，我

= 2A

= 1.8V ，我

= 1A

= 1.5V ，我

= 0.5A

= 5V ，我

= 3.8A

= 0V时，我

= 1A

= 10V, V

= 0V,

F = 1.0MHz的

= 4.5V, V

= 10V,

= 6A

= 25°C

静态漏源导通电阻

mΩ

正向转移导纳

二极管的正向电压

动态特性（注7 ）

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

注意事项：

= 10V, V

= 5V,

= 1.7, R

= 6,

4.设备安装在FR-4基板PC板，以最小的推荐焊盘布局。

5.装置安装在FR-4基板的PC板， 2盎司覆铜，用热偏压到底层1英寸方形铜板。

6.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

7.通过设计保证。不受产品测试。

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= 8.0V

= 4.5V

= 5.0V

，漏电流（ A）

= 3.0V

= 2.5V

= 2.0V

，漏电流（ A）

= 1.5V

新产品

= 150

= 1.2V

= 125

= 85

= 25

= -55

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

极，漏极 - 源极电压（ V）

图。 1典型的输出特性

3.0

0.5

1.0

1.5

，栅源电压（V ）

图。 2典型的传输特性

2.0

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

)

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

)

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

，漏源电流（A）

图。 4典型导通电阻与

漏电流和温度

= 150

= 125

= 85

= 25

= -55

= 4.5V

，漏源电流（A）

图。 3典型导通电阻与

漏电流和栅极电压

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

)

1.8

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

-50

-25

75 100 125 150

，结温（

图。 6导通电阻随温度的变化

= 4.5V

= 10A

= 2.5V

= 5A

DS （ ON）

，漏 - 源

导通电阻（标准化）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-50

-25

75 100 125 150

，结温（

图。 5导通电阻随温度的变化

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1.4

GS （ TH）

，栅极阈值电压（ V）

1.2

1.0

0.8

新产品

，源电流（ A）

0.6

0.4

0.2

-50

-25

75 100 125 150

，环境温度（ ° C）

图。 7栅极阈值变化与环境温度

1,000

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

，源极 - 漏极电压（ V）

图。 8二极管正向电压与电流

1.2

100

= 150°C

，结电容（pF ）

DSS

漏电流（ NA）

国际空间站

= 125°C

= 85°C

100

OSS

0.1

RSS

0.01

= 25°C

F = 1MHz的

，漏源电压（V ）

图。 9典型结电容

0.001

= -55°C

8 10 12 14 16 18 20

，漏源电压（V ）

图。 10典型的漏源漏电流与电压

，栅源电压（V ）

，总栅极电荷（ NC）

图。 11栅极电荷特性

，漏电流（ A）

F = 1MHz的

100

DS （ ON）

有限

= 10s

= 1s

= 100毫秒

= 10ms的

为1ms

= 100s

= 10s

0.1

0.01

0.1

，漏源电压（V ）

图。 12 SOA ，安全工作区

100

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R（T ），瞬态热阻

D = 0.7

D = 0.5

D = 0.3

D = 0.9

0.1

新产品

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

0.01

D = 0.01

D = 0.005

（吨） = R （t）的R *

θJA

= 300℃ / W的

占空比D = T1 / T2

单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T1 ，脉冲持续时间（秒）

图。 13瞬态热阻

100

1,000

包装外形尺寸

B C

SOT323

暗淡

民

最大

典型值

0.25

0.40

0.30

1.15

1.35

1.30

2.00

2.20

2.10

0.65

1.20

1.40

1.30

1.80

2.20

2.15

0.0

0.10

0.05

0.90

1.00

0.25

0.40

0.30

0.10

0.18

0.11

0°

8°

尺寸：mm

拟议的焊盘布局

尺寸值（单位：mm）

2.8

0.7

0.9

1.9

1.0

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