DMN2040LSD
双N沟道增强型MOSFET
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特点
双N沟道MOSFET
低导通电阻
26mΩ @ V
GS
= 4.5V
36mΩ @ V
GS
= 2.5V
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注4 ）
符合AEC -Q 101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOP- 8L
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
码头：完成 - 雾锡比退火铜引线
框架。每MIL -STD- 202方法208
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.072克（近似值）
新产品
SOP-8L
D
1
D
2
S1
G1
S2
G2
顶视图
顶视图
内部原理
D1
D1
D2
D2
G
1
G
2
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
漏电流脉冲（注3 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
V
DSS
V
GSS
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
I
D
I
DM
价值
20
±12
7.0
5.6
30
单位
V
V
A
A
热特性
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
2
62.5
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
电气特性
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注5 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
民
20
0.6
0.5
典型值
19
26
12
562
75
65
最大
1
±100
1.2
26
36
1.2
单位
V
μA
nA
V
mΩ
ms
V
pF
pF
pF
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 5.2A
V
DS
= 10V ，我
D
= 6.0A
V
GS
= 0V时，我
S
= 1.7A
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
设备安装在2盎司铜焊盘上的FR-4印刷电路板。
没有故意添加铅。
脉冲宽度
≤10μS,
占空比
≤1%.
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
DMN2040LSD
文件编号： DS31517牧师4 - 2
1 4
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2008年11月
Diodes公司
DMN2040LSD
1.2
V
GS （ TH）
，栅极阈值电压（ V）
1.0
I
S
，源电流（ A）
30
25
I
D
= 1毫安
0.8
20
新产品
0.6
I
D
= 250A
15
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
0.4
10
0.2
0
-50
5
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
，源极 - 漏极电压（ V）
图。 8二极管正向电压与电流
1.2
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 7栅极阈值变化与环境温度
1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 120 ° C / W
P（ PK）
t
1
D =单脉冲
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 9瞬态热响应
100
1,000
10,000
订购信息
产品型号
DMN2040LSD-13
注意事项：
（注6 ）
例
SOP-8L
包装
2500 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
（顶视图）
8
5
标志
N2040LD
YY WW
产品型号
1
4
第X周： 01 52
年份： "07" = 2007
"08" = 2008
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2008年11月
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DMN2040LSD
包装外形尺寸
SOP-8L
暗淡
民
最大
A
-
1.75
A1
0.08
0.25
A2
1.40
1.50
A3
0.20 TYP
b
0.3
0.5
D
4.85
4.95
E
5.90
6.10
E1
3.80
3.90
e
1.27 （典型值）
h
-
0.35
L
0.60
0.80
0°
8°
θ
尺寸：mm
新产品
E1 E
A1
L
0.254
压力表飞机
飞机座位
细节'A'
h
45
°
A2 A A3
e
D
b
7
°~
9
°
细节'A'
拟议的焊盘布局
X
C1
C2
Y
尺寸
X
Y
C1
C2
值（单位：mm）
0.60
1.55
5.4
1.27
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生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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