DMN2015UFDE
20V N沟道增强型MOSFET
产品概述
超前信息
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON） MAX
11.6mΩ @ V
GS
= 4.5V
20V
15MΩ @ V
GS
= 2.5V
包
U-DFN2020-6
E型
I
MAX
T
A
= +25°C
10.5A
9.4A
特点
0.6毫米资料 - 适合低调的应用
为4mm PCB封装
低导通电阻
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
2
低栅极阈值电压
描述
这种新一代的MOSFET的设计，以减少导通
态电阻（R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关
性能，使其非常适用于高效率电源管理
应用程序。
机械数据
案例： U- DFN2020-6 E型
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成 - 镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.0065克（近似值）
漏
应用
通用接口开关
电源管理功能
U- DFN2020-6 E型
Pin1
门
来源
底部视图
底部视图
引脚输出
等效电路
订购信息
（注4 ）
产品型号
DMN2015UFDE-7
DMN2015UFDE-13
注意事项：
记号
N4
N4
卷尺寸（英寸）
7
13
QUANTITY每卷
3,000
10,000
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.关于Diodes公司的免费锑， "Green"和无铅卤素 - 和定义的详细信息，请参阅http://www.diodes.com 。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
4.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
N4
N4 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： Y = 2011）
M =月（例如： 9 =九月）
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2011
Y
JAN
1
FEB
2
2012
Z
MAR
3
APR
4
2013
A
五月
5
JUN
6
YM
2014
B
JUL
7
2015
C
八月
8
SEP
9
2016
D
十月
O
NOV
N
2017
E
DEC
D
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最大额定值
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
漏源电压
栅源电压
稳定
状态
t<10s
稳定
状态
t<10s
漏电流脉冲（ 10μs的脉冲，占空比= 1 ％ ）
最大体二极管连续电流
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
I
D
I
D
I
DM
I
S
价值
20
±12
10.5
8.5
12.5
10.0
9.4
7.5
11.2
8.8
80
2.5
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
超前信息
连续漏电流（注6 ）V
GS
= 4.5V
连续漏电流（注6 ）V
GS
= 2.5V
热特性
特征
总功率耗散（注5 ）
热阻，结到环境（注5 ）
总功率耗散（注6 ）
热阻，结到环境（注6 ）
热阻，结到外壳（注6 ）
工作和存储温度范围
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
稳定状态
t<10s
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
稳定状态
t<10s
符号
P
D
R
θ
JA
P
D
R
θ
JA
R
θ
JC
T
J,
T
英镑
价值
0.66
0.42
189
132
2.03
1.31
61
43
9.3
-55到+150
单位
W
° C / W
W
° C / W
°C
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
开关特性（注7 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= +25°C
栅源漏
基本特征（注7 ）
栅极阈值电压
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
T
rr
Q
rr
民
20
—
—
0.5
典型值
—
—
—
—
9.3
11.4
17
24
11.3
—
1779
175
154
0.94
19.7
45.6
2.9
3.8
7.4
16.8
43.6
10.9
8.6
3.7
最大
—
1
±100
1.1
11.6
15
30
50
—
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
μA
nA
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 8.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 8.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 5A
V
GS
= 1.5V ，我
D
= 3A
V
DS
= 10V ，我
D
= 8.5A
V
GS
= 0V时，我
S
= 8.5A
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 8.5A
静态漏源导通电阻
—
mΩ
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性（注8）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷（V
GS
= 4.5V)
总栅极电荷（V
GS
= 10V)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
S
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
= 10V ，我
D
= 8.5A
V
GS
= 4.5V ，R
G
= 1.8
I
F
= 8.5A ，的di / dt = 210A / μs的
5.设备安装在FR- 4印刷电路板，以最小的推荐焊盘布局，单面。
6.设备安装在FR-4基板的PC板， 2盎司覆铜，具有热偏压到底层1英寸方形铜板。
7.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
8.通过设计保证。不受生产测试。
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30
20
V
DS
= 5.0V
25
超前信息
16
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
20
12
15
8
T
A
= 150°C
10
5
4
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
0
0
1
2
V
DS
，漏源电压（V ）
图1典型的输出特性
3
0
0
T
A
= -55°C
0.5
1.0
1.5
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2典型的传输特性
2.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
0.05
0.050
0.045
0.040
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
I
D
= 8.5A
0.04
0.03
V
GS
= 1.5V
0.02
V
GS
= 1.8V
V
GS
= 2.5V
0.01
V
GS
= 4.5V
0.010
I
D
= 4.5A
0.005
0
0
2
4
6
8
10
12
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 4典型的漏源导通电阻
与栅源电压
0
0
4
8
12
16
I
D
，漏源电流（A ）
图。 3典型导通电阻与
漏电流和栅极电压
20
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
0.020
V
GS
= 4.5V
1.6
V
GS
= 2.5V
I
D
= 5A
R
DS （ ON）
，漏 - 源
导通电阻（标准化）
1.4
V
GS
= 4.5V
I
D
= 10A
0.015
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.2
0.010
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
1.0
0.005
T
A
= -55°C
0.8
0
0
8
12
16
I
D
，漏电流（ A）
图。 5典型导通电阻与
漏电流和温度
4
20
0.6
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（
°
C)
图。 6导通电阻随温度的变化
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R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
0.020
V
GS （ TH）
，栅极阈值电压（ V）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I
D
= 1毫安
超前信息
0.015
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5A
0.010
V
GS
= 10V
I
D
= 10A
0.6
I
D
= 250A
0.005
0.4
0.2
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（
°
C)
图。 8栅极阈值变化与环境温度
0
-50
0
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（
°
C)
图。 7导通电阻随温度的变化
20
C
T
，结电容（pF ）
I
S
，源电流（ A）
16
C
国际空间站
1,000
12
T
A
= 25°C
C
OSS
C
RSS
8
4
F = 1MHz的
0
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
，源极 - 漏极电压（ V）
图。 9二极管正向电压与电流
100
0
5
10
15
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 10典型结电容
20
10
V
GS
栅极阈值电压（ V）
R
DS （ ON）
有限
P
W
= 100s
8
I
D
，漏电流（ A）
10
6
V
DS
= 10V
I
D
= 8.5A
DC
1
P
W
= 10s
P
W
= 1s
P
W
= 100毫秒
P
W
= 10ms的
P
W
为1ms
4
2
0.1
T
J（下最大）
= 150°C
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图。 11栅极电荷
0.01
0.01
T
A
= 25°C
V
GS
= 12V
单脉冲
DUT 1 * MRP局
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 12 SOA ，安全工作区
100
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1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.9
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
超前信息
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 61_C / W
占空比D = T1 / T2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T1 ，脉冲持续时间（秒）
图。 13瞬态热阻
10
100
1,000
D =单脉冲
0.001
0.00001
包装外形尺寸
A
A1
A3
D
b1
D2
E E2
L1
K1
L(2X)
K2
Z(4X)
e
b(6X)
U-DFN2020-6
E型
暗淡
民
最大
典型值
A
0.57
0.63
0.60
A1
0
0.05
0.03
A3
—
—
0.15
b
0.25
0.35
0.30
b1
0.185 0.285 0.235
D
1.95
2.05
2.00
D2
0.85
1.05
0.95
E
1.95
2.05
2.00
E2
1.40
1.60
1.50
e
—
—
0.65
L
0.25
0.35
0.30
L1
0.82
0.92
0.87
K1
—
—
0.305
K2
—
—
0.225
Z
—
—
0.20
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
尺寸
C
X
X1
X2
Y
Y1
Y2
Y3
Y3 Y2
X2
Y1
X1
价值
（单位：mm）
0.650
0.400
0.285
1.050
0.500
0.920
1.600
2.300
X (6x)
C
Y（ 2个）
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