DMN2005LP4K
N沟道增强型网络场效晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
低导通电阻
非常低的栅极阈值电压， 0.9V最大。
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
铅，卤素和无锑，符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注4 ）
ESD保护门
超薄型封装
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： DFN1006H4-3
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
码头：完成
镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.001克
DFN1006H4-3
漏
体
二极管
门
S
D
G
ESD保护
门
保护
二极管
来源
顶视图
引脚输出配置
底部视图
等效电路
最大额定值
漏源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲（注3）
I
D
价值
20
±10
200
250
单位
V
V
mA
特征
栅源电压
漏电流每个元素（注1 ）
热特性
总功率耗散（注1 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
200
625
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
4.
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
脉冲宽度
≤10μS,
占空比
≤1%.
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DMN2005LP4K
文件编号： DS30799牧师4 - 2
1 4
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2009年3月
Diodes公司
DMN2005LP4K
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
民
20
0.53
40
典型值
0.9
0.85
1.2
2.4
2.5
41
13
4.5
14.2
45.7
最大
10
±5
0.9
1.5
1.7
1.7
3.5
3.5
单位
V
μA
μA
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 100μA
V
DS
= 17V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±8V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
V
GS
= 4V ，我
D
= 10毫安
V
GS
= 2.7V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 10毫安
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 1.5V ，我
D
= 1毫安
V
DS
= 3V ，我
D
= 10毫安
特征
（每件）开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（每件） （注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
Ω
正向转移导纳
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关时间
注意事项：
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
开启时间
打开-O FF时间
t
on
t
关闭
mS
pF
pF
pF
nS
V
DS
= 3V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
DD
= 3V ，我
D
= 10毫安，
V
GS
= 0-2.5V
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
2
1.8
1.6
I
D
，漏电流（ A）
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
V
GS
= 1.4V
V
GS
= 1.6V
T
A
= 25 C
V
GS
=1.8V
o
1
V
GS
= 2.0V
0.1
0.01
V
GS
= 1.2V
V
GS
= 1.0V
2
1
3
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
4
0.001
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2
反向漏电流和源极 - 漏极电压
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 3栅极阈值电压与环境温度
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2 4
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R
DS （ ON）
，静态漏 - 源
导通电阻（
Ω
)
I
D,
漏电流（ A）
图。 4静态漏源通态电阻与漏电流
2009年3月
Diodes公司
DMN2005LP4K
订购信息
产品型号
DMN2005LP4K-7
注意事项：
（注6 ）
例
DFN1006H4-3
包装
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
DN
DN =产品型号标识代码
点表示漏极侧
包装外形尺寸
A
A1
D
b1
E
b2
e
DFN1006H4-3
DIM MIN
最大
典型值
A
0.40
A1
0
0.05 0.02
b1
0.10 0.20 0.15
b2
0.45 0.55 0.50
D
0.95 1.075 1.00
E
0.55 0.675 0.60
e
0.35
L1
0.20 0.30 0.25
L2
0.20 0.30 0.25
L3
0.40
尺寸：mm
L2
L3
L1
拟议的焊盘布局
C
X
1
X
G2
G1
Y
Z
尺寸
Z
G1
G2
X
X1
Y
C
值（单位：mm）
1.1
0.3
0.2
0.7
0.25
0.4
0.7
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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Diodes公司
SPICE模型： DMN2005LP4K
DMN2005LP4K
N沟道增强型网络场效晶体管
新
新产品
特点
低导通电阻
非常低的栅极阈值电压， 0.9V最大。
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注4 ）
ESD保护门
超薄型封装
DFN1006H4-3
暗淡
ESD保护
A
B
S
D
G
民
0.95
0.55
0.45
0.20
—
0
0.10
0.20
—
—
最大
1.075
0.675
0.55
0.30
0.40
0.05
0.20
0.30
—
—
典型值
1.00
0.60
0.50
0.25
—
0.02
0.15
0.25
0.35
0.40
C
D
G
H
K
机械数据
案例： DFN1006H4-3
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类等级
94V-0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：完成
镍钯金退火铜线
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标记：见第4页
订购&日期代码信息：参见第4页
重量： 0.001克
顶视图
摹
SIDE VIEW
A
K
B C
M
L
M
N
尺寸：mm
漏
体
二极管
门
N
L
D
底部视图
门
保护
二极管
来源
等效电路
最大额定值
漏源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲（注3）
I
D
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
20
±10
200
250
200
625
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
栅源电压
漏电流每个元素（注1 ）
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
4.
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
脉冲宽度
≤10μS,
占空比
≤1%.
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
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订购信息
（注6 ）
新产品
设备
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注意事项：
包装
DFN1006H4-3
航运
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/ap02007.pdf 。
标识信息
DN
DN =产品型号标识代码
点表示漏极侧
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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