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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第139页 > DMN2005DLP4K-7
SPICE模型： DMN2005DLP4K
DMN2005DLP4K
双N沟道增强型场效应晶体管
新产品
特点
低导通电阻
非常低的栅极阈值电压， 0.9V最大。
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注4 ）
ESD保护门
超薄型封装
D
1
G
2
S
2
暗淡
A
B
C
DFN1310H4-6
民
1.25
0.95
0.20
-
-
-
0
0.10
0.30
-
-
-
最大
1.38
1.08
0.30
-
-
0.40
0.05
0.20
0.50
-
-
-
典型值
1.30
1.00
0.25
0.10
0.20
-
0.20
0.15
0.40
0.35
0.25
0.05
S
1
G
1
D
2
D*
E**
G
H
顶视图
G
H
机械数据
案例： DFN1310H4-6
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类等级
94V-0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：完成
镍钯金退火铜线
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标记：见第4页
订购&日期代码信息：参见第4页
SIDE VIEW
Z
01
K*
L*
M**
N*
Z**
K
L
E
N
C
B
尺寸：mm
*尺寸D，K ， L，N ，重复4倍
**尺寸E， M，Z重复2倍
D
D
N
A
M
Z
底部视图
ESD保护
最大额定值
漏源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲（注3）
I
D
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
20
±10
200
250
350
357
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
栅源电压
漏电流每个元素（注1 ）
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
4.
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
脉冲宽度
≤10μS,
占空比
≤1%.
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DS30801版本6 - 2
1 4
www.diodes.com
DMN2005DLP4K
Diodes公司
电气特性
新产品
特征
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
民
典型值
最大
单位
测试条件
（每件）开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（每件） （注5 ）
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
0.53
40
0.9
0.85
1.2
2.4
2.5
0.9
1.5
1.7
1.7
3.5
3.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
V
GS
= 4V ，我
D
= 10毫安
V
GS
= 2.7V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 10毫安
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 1.5V ，我
D
= 1毫安
V
DS
= 3V ，我
D
= 10毫安
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
20
10
±5
V
μA
μA
V
GS
= 0V时，我
D
= 100μA
V
DS
= 17V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±8V,
V
DS
= 0V
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
Ω
正向转移导纳
Y
fs
mS
备注：用于最小化自加热效应5.短时测试脉冲。
2
1.8
1.6
TA = 25℃
o
V
GS
= 2.0V
I
D
,
漏电流（ A）
T
A
= 150
°
C
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1
V
GS
=1.8V
T
A
= 125
°
C
V
GS
= 1.6V
T
A
= 85
°
C
T
A
= 25
°
C
V
GS
= 1.4V
T
A
= 0°C
V
GS
= 1.2V
T
A
= -55
°
C
V
GS
= 1.0V
2
3
4
V
DS
,
漏源极电压（ V）
图。 1典型的输出特性
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2
反向漏电流和源极 - 漏极电压
T
A
= 150
°
C
T
A
= 125
°
C
T
A
= 85° C
T
A
= -55° C
T
A
= 0° C
T
A
= 25° C
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 3栅极阈值电压与环境温度
I
D,
漏电流（ A）
图。 4静态漏源通态电阻与漏电流
DS30801版本6 - 2
2 4
www.diodes.com
DMN2005DLP4K
Diodes公司
新产品
I
D
，漏电流（ A）
图。 5静态漏源导通电阻与漏电流
T
A
= 150
°
C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55° C
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 7静态漏源导通电阻
- 环境温度
V
SD ，
漏源极电压（ V）
图。 8反向漏电流
与源极 - 漏极电压
f=1MHz
西塞
|Y
fS
| ，正向转移导纳（ S）
C
T
，电容（pF ）
科斯
CRSS
I
D
，漏电流（ A）
图。 9正向转移导纳
与漏电流
DS30801版本6 - 2
3 4
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Diodes公司
订购信息
（注6 ）
新产品
设备
DMN2005DLP4K-7
注意事项：
包装
DFN1310H4-6
航运
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/ap02007.pdf 。
标识信息
DL
DL =产品型号标识代码
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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4 4
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Diodes公司
DMN2005DLP4K
双N沟道增强型场效应晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
低导通电阻
非常低的栅极阈值电压， 0.9V最大。
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注4 ）
ESD保护门
超薄型封装
机械数据
DFN1310H4-6
案例： DFN1310H4-6
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端连接：见图
码头：完成
镍钯金在退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
D
1
G
2
S
2
ESD保护
G
1
D
2
顶视图
内部原理
S
1
最大额定值
漏源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲（注3）
I
D
价值
20
±10
200
250
单位
V
V
mA
特征
栅源电压
漏电流每个元素（注1 ）
热特性
总功率耗散（注1 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
350
357
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
特征
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
民
典型值
最大
单位
测试条件
（每件）开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（每件） （注5 ）
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
0.53
40
0.9
0.85
1.2
2.4
2.5
0.9
1.5
1.7
1.7
3.5
3.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
V
GS
= 4V ，我
D
= 10毫安
V
GS
= 2.7V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 10毫安
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 1.5V ，我
D
= 1毫安
V
DS
= 3V ，我
D
= 10毫安
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
20
10
±5
V
μA
μA
V
GS
= 0V时，我
D
= 100μA
V
DS
= 17V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±8V,
V
DS
= 0V
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
Ω
正向转移导纳
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
Y
fs
mS
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
脉冲宽度
≤10μS,
占空比
≤1%.
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
DMN2005DLP4K
文件编号： DS30801牧师8 - 2
1 5
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2009年10月
Diodes公司
DMN2005DLP4K
2
1.8
1.6
I
D
，漏电流（ A）
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
V
GS
= 1.4V
V
GS
= 1.6V
T
A
= 25
o
C
V
GS
=1.8V
V
GS
= 2.0V
V
GS
= 1.2V
V
GS
= 1.0V
2
1
3
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
4
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2
反向漏电流和源极 - 漏极电压
1
0.6
0.8
R
DS （ ON）
，静态漏 - 源
导通电阻（
Ω
)
R
DS （ ON）
，静态漏 - 源
导通电阻（
Ω
)
0.4
0.6
0.4
0.2
0.2
50
75 100 125 150
0
-25
25
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 3栅极阈值电压与环境温度
0.8
0
-50
0.1
1
0.01
I
D,
漏电流（ A）
图。 4静态漏源通态电阻与漏电流
5
0
0.001
R
DS （ ON）
，静态漏 - 源
导通电阻（
Ω
)
0.6
4
3
0.4
2
0.2
1
0.01
0.1
1
I
D
，漏电流（ A）
图。 5静态漏源导通电阻与漏电流
0.1
0.001
0
2
3
4
5
6
1
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 6静态漏源导通电阻与栅源电压
0
DMN2005DLP4K
文件编号： DS30801牧师8 - 2
2 5
www.diodes.com
2009年10月
Diodes公司
DMN2005DLP4K
R
DS （ ON）
，静态漏 - 源
导通电阻（
Ω
)
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 7静态漏源导通电阻
- 环境温度
|Y
fS
| ，正向转移导纳（ S）
V
SD ，
漏源极电压（ V）
图。 8反向漏电流
与源极 - 漏极电压
I
D
，漏电流（ A）
图。 9正向转移导纳主场迎战漏电流
订购信息
产品型号
DMN2005DLP4K-7
注意事项：
（注6 ）
例
DFN1310H4-6
包装
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
DL =产品型号标识代码
DL
DMN2005DLP4K
文件编号： DS30801牧师8 - 2
3 5
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C
T
，电容（pF ）
2009年10月
Diodes公司
DMN2005DLP4K
包装外形尺寸
A
A1
A3
Z
B
D2
R0.
15 0
E2
d
L
E
f
d
D
e
z
DFN1310H4-6
朦胧最小值最大值典型值
A
0.40
A1
0
0.05 0.02
A3
0.13
b
0.10 0.20 0.15
D
1.25 1.38 1.30
d
0.25
D2
0.30 0.50 0.40
E
0.95 1.075 1.00
e
0.35
E2
0.30 0.50 0.40
f
0.10
L
0.20 0.30 0.25
Z
0.05
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
G2
X2
Y2
G1
b
Y1
G3
a
X1
尺寸
G1
G2
G3
X1
X2
Y1
Y2
a
b
值（单位：mm）
0.16
0.17
0.15
0.52
0.20
0.52
0.375
0.09
0.06
DMN2005DLP4K
文件编号： DS30801牧师8 - 2
4 5
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2009年10月
Diodes公司
DMN2005DLP4K
重要通知
Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，
包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途
（及其任何司法管辖范围内的法律等效） 。
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任
应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或
商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担
这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司
网站上，反对一切损害无害。
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举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害
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本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识
注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。
生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：
A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：
1.旨在植入到体内，或
2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.
关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并
承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
版权所有 2009年， Diodes公司
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文件编号： DS30801牧师8 - 2
5
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2009年10月
Diodes公司
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推荐型号
DSPIC30F0013BT-20IS-ES
D4N-3A22
DTC115EUAT106
D2587P869
DVFL2815SUL/HB-XXX
DS3617J
DV74HCT157AN
DCR2180H85
DDY-SJS-T1
DM87S401N
DTCX2443XN3
DD203S
DF3-8EP-2H
DPS384-25C
D-600-0044-4
DAC-HK12DGC
D2-24044-MR
DMN2400UV
DS1050Z-010
D2HW-BR242ML
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DMN2005DLP4K-7
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市川蓝电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ：2801615837 复制

电话：0755-82522939
联系人：彭小姐
地址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
DMN2005DLP4K-7
DIODES
6000
2021
原包装原标现货，假一罚十，
0.1
深圳市汇景欣电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1337449016 复制 点击这里给我发消息 QQ：851428111 复制

电话：0755-23051326
联系人：黎小姐
地址：深圳市福田区华强北佳和大厦A座11B03室
DMN2005DLP4K-7
DIODES/美台
2023+
6815
DFN
专注进口原装，公司现货出售
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
DMN2005DLP4K-7
DIODES
21+
3000
6-XFDFN
全新原装正品/质量有保证
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
DMN2005DLP4K-7
DIODES
2019
17500
DFN1310H4-6
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市和谐世家电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2441261114 复制
电话：0755-82731800
联系人：付先生
地址：深圳市福田区振华路118号华丽装饰大厦2栋2单元320室
DMN2005DLP4K-7
DIODES
24+
6000
6-XFDFN
只做原装正品
深圳市巨盛邦电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885615954 复制

电话：19129493510
联系人：李
地址：福田区上步工业区101栋4楼
DMN2005DLP4K-7
DIODES
22+
25000
6-XFDFN
进口原装
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
DMN2005DLP4K-7
DIODES/美台
2414+
12749
DFN
原装现货！量大可订！一片起卖！
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
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