DMN2004WK
N沟道增强型MOSFET
特点
低导通电阻，R
DS （ ON）
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
ESD保护可达2kV的
"Green"设备（注4 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
SOT-323
案例： SOT- 323
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
码头：完成
雾锡比退火合金引线框架42 。
每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.006克（近似值）
漏
D
门
ESD保护可达2kV的
顶视图
门
保护
二极管
来源
G
顶视图
S
等效电路
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
漏电流脉冲（注3 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
I
D
I
DM
价值
20
±8
540
390
1.5
单位
V
V
mA
A
特征
稳定
状态
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
200
625
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注5 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
民
20
0.5
200
0.5
典型值
0.4
0.5
0.7
最大
1
±1
1.0
0.55
0.70
0.9
1.4
150
25
20
单位
V
μA
μA
V
Ω
ms
V
pF
pF
pF
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±4.5V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 540毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 350毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
V
GS
= 0V时，我
S
= 115毫安
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
脉冲宽度
≤10μS,
占空比
≤1%.
二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
DMN2004WK
文件编号： DS30934牧师4 - 2
1 4
www.diodes.com
2009年1月
Diodes公司
DMN2004WK
订购信息
产品型号
DMN2004WK-7
注意事项：
（注6 ）
例
SOT-323
包装
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
NAB =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： T = 2006）
M =月（例如： 9 =九月）
NAB
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2006
T
JAN
1
FEB
2
2007
U
MAR
3
APR
4
YM
2008
V
五月
5
2009
W
JUN
6
JUL
7
2010
X
八月
8
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
包装外形尺寸
A
B C
G
H
K
M
J
D
L
SOT-323
暗淡
民
最大
典型值
A
0.25
0.40
0.30
B
1.15
1.35
1.30
C
2.00
2.20
2.10
D
-
-
0.65
G
1.20
1.40
1.30
H
1.80
2.20
2.15
J
0.0
0.10
0.05
K
0.90
1.00
1.00
L
0.25
0.40
0.30
M
0.10
0.18
0.11
0°
8°
-
α
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
Y
Z
C
尺寸值（单位：mm）
Z
2.8
X
0.7
Y
0.9
C
1.9
E
1.0
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DMN2004WK
文件编号： DS30934牧师4 - 2
4 4
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2009年1月
Diodes公司
SPICE模型： DMN2004WK
无铅绿色
DMN2004WK
n沟道增强型场效应
晶体管
特点
新产品
·
·
·
·
·
·
·
·
·
低导通电阻，R
DS （ ON）
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
ESD保护可达2kV的
"Green"设备（注4 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
K
G
A
D
B C
S
G
H
M
SOT-323
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
a
民
0.25
1.15
2.00
0.30
1.20
1.80
0.0
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.40
1.35
2.20
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.18
8°
0.65标称
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 323
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成
雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标记：见尾页
订购&日期代码信息：见尾页
重量： 0.006克（近似值）
门
J
D
E
L
漏
尺寸：mm
ESD保护可达2kV的
门
保护
二极管
来源
等效电路
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
漏电流脉冲（注3 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
V
DSS
V
GSS
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
I
D
I
DM
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
20
±8
540
390
1.5
200
625
-65到+150
单位
V
V
mA
A
mW
° C / W
°C
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意：
1.
2.
3.
4.
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
脉冲宽度
10mS,
占空比
1%.
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DS30934修订版2 - 2
1 4
www.diodes.com
DMN2004WK
Diodes公司
|Y
fs
| ，正向转移导纳（ S）
1
V
GS
= 10V
T
A
= -55
°
C
120
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
新产品
100
C，电容（pF ）
T
A
= 25
°
C
C
国际空间站
80
0.1
T
A
= 85
°
C
60
T
A
= 150
°
C
40
C
OSS
20
0.01
1
10
100
1000
C
RSS
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16
18 20
V
DS
，漏源电压（ V）
图。 12电容变化
I
D
，漏极电流（毫安）
图。 11向前转移导纳
与漏电流
订购信息
设备
DMN2004WK-7
注意事项：
（注6 ）
包装
SOT-323
航运
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
NAB
NAB =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
2006
T
MAR
3
APR
4
五月
5
2007
U
JUN
6
JUL
7
2008
V
八月
8
SEP
9
十月
O
2009
W
NOV
N
DEC
D
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会
同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
DS30934修订版2 - 2
YM
重要通知
4 4
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