SPICE模型： DMN2004K
无铅绿色
DMN2004K
n沟道增强型场效应
晶体管
特点
先进的信息
新产品
·
·
·
·
·
·
·
·
·
低导通电阻，R
DS （ ON）
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
ESD保护可达2kV的
"Green"设备（注4 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
J
E
G
顶视图
S
D
G
H
K
L
B
C
D
A
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
E
M
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
G
H
J
K
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成
雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标记：见尾页
订购&日期代码信息：见尾页
重量： 0.008克（近似值）
门
保护
二极管
来源
门
漏
L
M
a
尺寸：mm
ESD保护可达2kV的
等效电路
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
漏电流脉冲（注3 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
V
DSS
V
GSS
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
I
D
I
DM
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
20
±8
540
390
1.5
350
357
-65到+150
单位
V
V
mA
A
mW
° C / W
°C
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意：
1.
2.
3.
4.
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
脉冲宽度
10mS,
占空比
1%.
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DS30938修订版2 - 2
1 4
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DMN2004K
Diodes公司
|Y
fs
| ，正向转移导纳（ S）
1
V
GS
= 10V
T
A
= -55
°
C
120
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
新产品
100
C
国际空间站
C，电容（pF ）
T
A
= 25
°
C
80
0.1
T
A
= 85
°
C
60
T
A
= 150
°
C
40
C
OSS
20
0.01
1
10
100
1000
C
RSS
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16
18 20
I
D
，漏极电流（毫安）
图。 11向前转移导纳
与漏电流
V
DS
，漏源电压（ V）
图。 12电容变化
订购信息
设备
DMN2004K-7
注意事项：
（注6 ）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
NAB
NAB =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
2006
T
MAR
3
APR
4
五月
5
2007
U
JUN
6
JUL
7
2008
V
八月
8
SEP
9
十月
O
2009
W
NOV
N
DEC
D
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会
同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
DS30938修订版2 - 2
YM
重要通知
4 4
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DMN2004K
DMN2004K
N沟道增强型网络场效晶体管
产品概述
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
0.55 @ V
GS
= 4.5V
20V
0.9 @ V
GS
= 1.8V
410mA
I
D
T
A
= 25°C
630mA
特点和优点
低导通电阻，R
DS （ ON）
= 550
（最大）
毫欧@ V
GS
= 4.5V
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
ESD保护可达2kV的
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
说明与应用
这种新一代的MOSFET的设计，以减少导通
态电阻（R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关
性能，使其非常适用于高效率电源管理
应用程序。
DC- DC转换器
电源管理功能
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成
雾锡比退火合金引线框架42 。
每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
重量： 0.008克（近似值）
漏
SOT-23
门
D
门
保护
二极管
G
来源
S
ESD保护2kV的
顶视图
等效电路
顶视图
订购信息
（注3）
产品型号
DMN2004K-7
注意事项：
例
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
NAB
NAB =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： T = 2006）
M =月（例如： 9 =九月）
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2006
T
JAN
1
FEB
2
2007
U
MAR
3
APR
4
YW
2008
V
2009
W
JUN
6
JUL
7
2010
X
八月
8
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
五月
5
DMN2004K
文件编号： DS30938牧师5 - 2
1 6
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2010年11月
Diodes公司
DMN2004K
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（注4 ）V
GS
= 4.5V
漏电流（注4 ）V
GS
= 1.8V
漏电流脉冲（注5 ）
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
I
DM
价值
20
±8
630
450
410
300
1.5
单位
V
V
mA
mA
A
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
总功率耗散（注4 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
350
357
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性（注6 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注6 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
源出电流
二极管的正向电压（注6 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
I
S
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
民
20
0.5
200
0.6
典型值
0.4
0.5
0.7
292
0.9
0.2
0.2
5.7
8.4
59.4
37.6
5.5
0.85
最大
1
±1
1.0
0.55
0.70
0.9
0.5
1
150
25
20
单位
V
μA
μA
V
Ω
ms
A
V
pF
pF
pF
Ω
nC
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±4.5V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 540毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 350毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
V
GS
= 0V时，我
S
= 500毫安
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V ，我
D
= 0.5A
ns
V
GS
= 8V, V
DS
= 15V,
R
G
= 6
Ω
, R
L
= 30
Ω
I
S
= 0.5A ，的di / dt = -100A / μs的
I
S
= 0.5A ，的di / dt = -100A / μs的
ns
nC
4.设备安装在FR- 4印刷电路板，以最小的推荐焊盘布局，单面。
5.脉冲宽度
≤10μS,
占空比
≤1%.
6.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
DMN2004K
文件编号： DS30938牧师5 - 2
2 6
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2010年11月
Diodes公司
QQ：2881677436 复制
