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DMG6602SVT

互补对增强型MOSFET

产品概述

设备

（ BR ） DSS

DS （ ON）

的60mΩ @ V

= 10V

= 25°C

3.4A

2.7A

-2.8A

-2.3A

特点和优点

低导通电阻

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

完全无铅表面处理;符合RoHS标准（注1 ）

卤素和无锑。 “绿色”设备（注2 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

超前信息

30V

为100mΩ @ V

= 4.5V

95mΩ @ V

= -10V

-30V

140mΩ @ V

= -4.5V

机械数据

案例： TSOT26

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

终端连接：见图

码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

重量： 0.013克（近似值）

说明与应用

这种新一代的MOSFET的设计，以减少导通

态电阻（R

DS （ ON）

），并同时保持出色的开关

性能，使其非常适用于高效率电源管理

应用程序。

背光

DC- DC转换器

电源管理功能

TSOT26

顶视图

N沟道

P沟道

订购信息

（注3）

产品型号

DMG6602SVT-7

注意事项：

例

TSOT26

包装

3000 /磁带&卷轴

1.欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。所有适用的RoHS指令的豁免申请。

2.卤素和锑自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和

<1000ppm锑化合物。

3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。

标识信息

66C =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年（例如： X = 2010）

M =月（例如： 9 =九月）

66C

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

2010

JAN

FEB

2011

MAR

2012

APR

五月

2013

JUN

2014

JUL

八月

2015

SEP

2016

十月

NOV

2017

DEC

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Diodes公司

DMG6602SVT

文件编号： DS35106牧师6 - 2

1 10

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DMG6602SVT

最大额定值 - Q1

@TA = 25 ° C除非另有说明

特征

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（注5 ）V

= 10V

稳定

状态

= 25°C

= 70°C

= 25°C

= 70°C

符号

DSS

GSS

价值

±20

3.4

2.7

2.2

1.5

单位

超前信息

稳定

状态

最大连续体二极管正向电流（注5 ）

漏电流脉冲（注5 ）

连续漏电流（注5 ）V

= 4.5V

最大额定值 - Q2

@TA = 25 ° C除非另有说明

特征

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（注5 ）V

= -10V

连续漏电流（注5 ）V

= -4.5V

稳定

状态

= 25°C

= 70°C

= 25°C

= 70°C

符号

DSS

GSS

价值

-30

±20

-2.8

-2.4

-2.3

-2.1

-1.5

-20

单位

稳定

状态

最大连续体二极管正向电流（注5 ）

漏电流脉冲（注5 ）

热特性

特征

总功率耗散（注4 ）

热阻，结到环境（注4 ）

总功率耗散（注5 ）

热阻，结到环境（注5 ）

热阻，结到外壳（注5 ）

工作和存储温度范围

注意事项：

符号

= 25°C

= 70°C

稳定状态

t<10s

= 25°C

= 70°C

稳定状态

t<10s

英镑

价值

0.84

0.52

155

109

1.27

0.8

102

-55到+150

单位

° C / W

°C

4.设备安装在FR-4基板PCB板， 2oz覆铜，以最小的推荐焊盘布局。

5.装置安装在FR-4基板的PC板， 2盎司覆铜，以1英寸方形铜板。

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电气特性 - Q1 NMOS

@ T

= 25 ° C除非另有说明

特征

开关特性（注6 ）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅源漏

基本特征（注6 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向转移导纳

二极管的正向电压

动态特性（注7 ）

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷（V

= 4.5V)

总栅极电荷（V

= 10V)

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

注意事项：

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

1.0

典型值

0.8

290

1.4

1.2

1.5

最大

1.0

±100

2.3

100

400

单位

测试条件

= 0V时，我

= 250μA

= 24V, V

= 0V

= ±20V, V

= 0V

= V

, I

= 250μA

= 10V ，我

= 3.1A

= 4.5V ，我

= 2A

= 5V ，我

= 3.1A

= 0V时，我

= 1A

= 15V, V

= 0V,

F = 1.2MHz的

= 0V, V

= 0V ， F = 1MHz的

= 15V, V

= 4.5V ，我

= 3.1A

= 15V, V

= 10V ，我

= 3A

超前信息

= 10V, V

= 15V,

= 3, R

= 4.7

6.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

7.通过设计保证。不受产品测试。

10.0

= 5.0V

8.0

，漏电流（ A）

6.0

4.0

2.0

0.0

0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5

极，漏极 - 源极电压（ V）

图。 1典型的输出特性

，门源极电压（ V）

图。 2典型的传输特性

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DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

)

0.16

= 4.5V

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

)

0.12

AVE

DS （ ON）

(

) @ 125°C

AVE

DS （ ON）

(

) @ 150°C

超前信息

0.1

DS （ ON）

(

）大道@ V

=4.5V

0.08

AVE

DS （ ON）

(

) @ 85°C

AVE

DS （ ON）

(

) @ 25°C

DS （ ON）

(

）大道@ V

=10V

0.04

AVE

DS （ ON）

(

) @ -55°C

0.01

，漏源电流

图。 3典型导通电阻与

漏电流和栅极电压

，漏源电流（A）

图。 4典型导通电阻与

漏电流和温度

1.6

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

0.1

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

1.4

0.08

1.2

0.06

0.04

0.8

0.02

0.6

-50

-25

75 100 125 150

，结温（

图。 5导通电阻随温度的变化

-50

-25

75 100 125 150

，结温（

图。 6导通电阻随温度的变化

2.4

GS （ TH）

，栅极阈值电压（ V）

2.0

1.6

= 1毫安

，源电流（ A）

= 250

(V) @ V

= 0V牛逼

= 25

1.2

0.8

0.4

-25

75 100 125 150

，结温（

图。 7栅极阈值变化与环境温度

-50

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

，源极 - 漏极电压（ V）

图。 8二极管正向电压与电流

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1000

F = 1MHz的

栅极阈值电压（ V）

，结电容（pF ）

国际空间站

大道（PF ）

= 10V

= 3.0A

超前信息

OSS

大道（PF ）

100

RSS

大道（PF ）

，漏源电压（V ）

图。 9典型结电容

，总栅极电荷（ NC）

图。 10栅极电荷

100

DS （ ON）

有限

= 100s

，漏电流（ A）

= 10s

= 1s

= 100毫秒

= 10ms的

为1ms

J（下最大）

= 150°C

0.1

0.01

0.1

= 25°C

= 10V

单脉冲

DUT 1 * MRP局

，漏源电压（V ）

图。 11 SOA ，安全工作区

100

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