添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第615页 > DMG4511SK4
DMG4511SK4
互补对增强型MOSFET
产品概述
V
( BR ) DSS
35V
-35V
R
DS ( ON)
35mΩ @ V
GS
= 10V
45mΩ @ V
GS
= -10V
I
D
T
A
= 25°C
13A
-12A
特点和优点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
对互补MOSFET
无铅/符合RoHS (注1 )
"Green"设备(注2 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
说明与应用
这种新一代的MOSFET的设计,以减少导通
态电阻(R
DS ( ON)
),并同时保持出色的开关
性能,使其非常适用于高效率电源管理
应用程序。
背光
DC- DC转换器
电源管理功能
机械数据
案例: TO252-4L
外壳材料:模压塑料, “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
终端连接:下面请参阅图
码头:完成 - 雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
重量: 0.328克(近似值)
D
2
D
1
G
2
G
1
S
2
S
1
P沟道MOSFET
顶视图
底部视图
N沟道MOSFET
订购信息
(注3)
产品型号
DMG4511SK4-7
注意事项:
TO252-4L
包装
3000 /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
3.对于包装的详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
G4511S
YYWW
=制造商的标志
G4511S =产品型号标识代码
YYWW =日期代码标
YY =年(例如: 09 = 2009)
WW =周( 01 - 53 )
DMG4511SK4
文件编号: DS32042牧师4 - 2
1 9
www.diodes.com
2011年7月
Diodes公司
DMG4511SK4
最大额定值 - N - CHANNEL , Q1
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(注4 )V
GS
= 10V
连续漏电流(注5 )V
GS
= 10V
连续漏电流(注5 )V
GS
= 10V
连续漏电流(注5 )V
GS
= 4.5V
连续漏电流(注5 )V
GS
= 4.5V
漏电流脉冲(注6 )
稳定
状态
稳定
状态
t
10s
稳定
状态
t
10s
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
I
D
I
D
I
D
I
DM
价值
35
±20
5.3
4.2
8.6
6.8
13
11
6.3
5.0
9.3
7.4
50
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
最大额定值 - P- CHANNEL , Q2
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(注4 )V
GS
= -10V
连续漏电流(注5 )V
GS
= -10V
连续漏电流(注5 )V
GS
= -10V
连续漏电流(注5 )V
GS
= -4.5V
连续漏电流(注5 )V
GS
= -4.5V
漏电流脉冲(注6 )
稳定
状态
稳定
状态
t
10s
稳定
状态
t
10s
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
I
D
I
D
I
D
I
DM
价值
-35
±20
-5.0
-3.8
-7.8
-6.2
-12
-10
-6.5
-5.2
-9.6
-7.7
-50
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
热特性
特征
功率耗散(注4 )
热阻,结到环境@T
A
= 25 (注4 )
功率耗散(注5 )
热阻,结到环境@T
A
= 25 ° C(注5 )
功率耗散(注5 )T
10s
热阻,结到环境@T
A
= 25 ° C(注5 )T
10s
工作和存储温度范围
注意事项:
4.设备安装在FR- 4 PCB板的最低推荐焊盘布局,单面。
5.装置安装在2 “×2”的FR-4印刷电路板用的高覆盖率2盎司铜,单面。
6.重复等级,脉冲宽度有限的结温。
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
,
T
英镑
价值
1.54
81.3
4.1
30.8
8.9
14
-55到+150
单位
W
° C / W
W
° C / W
W
° C / W
°C
DMG4511SK4
文件编号: DS32042牧师4 - 2
2 9
www.diodes.com
2011年7月
Diodes公司
DMG4511SK4
电气特性 - N - CHANNEL , Q1
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性(注7 )
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
栅源漏
基本特征(注7 )
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性(注8)
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷(V
GS
= 10V)
总栅极电荷(V
GS
= 4.5V)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
35
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
25
50
4.5
-
850
64.7
51.9
1.6
18.7
8.8
2.6
2.1
5.4
2.8
33.2
35.6
最大
-
1.0
±100
3.0
35
65
-
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
nA
V
S
V
pF
pF
pF
Ω
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= 35V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ,我
D
= 8A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 6A
V
DS
= 10V ,我
D
= 8A
V
GS
= 0V时,我
S
= 8A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
GS
= 10V, V
DS
= 28V ,我
D
= 8A
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 28V,
I
D
= 8A
V
DS
= 18V, V
GS
= 10V,
R
L
= 18, R
G
= 3.3,
I
D
= 1A
nC
ns
ns
ns
ns
电气特性 - P- CHANNEL , Q2
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性(注7 )
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
栅源漏
基本特征(注7 )
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性(注8)
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷(V
GS
= -10V)
总栅极电荷(V
GS
= -4.5V)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项:
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
-35
-
-
-1.0
-
-
典型值
-
-
-
-
30
40
8
-
985.2
90.6
75.3
7.0
19.2
9.5
2.0
3.5
5.2
4.8
45.8
29.5
最大
-
-1.0
±100
-3.0
45
65
-
-1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
nA
V
S
V
pF
pF
pF
Ω
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -250μA
V
DS
= -35V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -10V ,我
D
= -6A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -4A
V
DS
= -10V ,我
D
= -6A
V
GS
= 0V时,我
S
= -6A
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
GS
= -10V, V
DS
= -28V ,我
D
= -6A
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -28V,
I
D
= -6A
V
DS
= -18V, V
GS
= -10V,
R
L
= 18, R
G
= 3.3,
I
D
= -1A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
ns
ns
ns
ns
7.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
8.通过设计保证。不受生产测试。
DMG4511SK4
文件编号: DS32042牧师4 - 2
3 9
www.diodes.com
2011年7月
Diodes公司
DMG4511SK4
N沟道, Q1
30
V
GS
= 8.0V
30
25
I
D
,漏电流( A)
25
I
D
,漏电流( A)
V
DS
= 5V
V
GS
= 4.5V
20
V
GS
= 4.0V
20
15
V
GS
= 3.5V
15
10
V
GS
= 3.2V
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
5
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 2.8V
5
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
,漏源电压(V )
图。 1典型的输出特性
2
0
0
1
2
3
4
V
GS
,栅源电压(V )
图。 2典型的传输特性
5
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻(
Ω
)
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻(
Ω
)
0.05
0.08
0.07
0.06
0.05
T
A
= 125°C
V
GS
= 4.5V
0.04
T
A
= 150°C
0.03
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 8.0V
0.04
0.03
0.02
0.01
0
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
0.02
T
A
= -55°C
0.01
0
0
5
10
15
20
25
I
D
,漏源电流(A )
图。 3典型导通电阻
与漏电流和栅极电压
30
0
5
10
15
20
25
I
D
,漏电流( A)
图。 4典型导通电阻
与漏电流和温度
30
R
DSON
,漏 - 源
导通电阻(标准化)
1.5
V
GS
= 10V
I
D
= 10A
R
DSON
,漏极 - 源极导通电阻(
Ω
)
1.7
0.06
0.05
1.3
V
GS
= 4.5V
I
D
= 5A
0.04
V
GS
= 4.5V
I
D
= 5A
1.1
0.03
0.9
0.02
V
GS
= 10V
I
D
= 10A
0.7
0.01
0.5
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
,环境温度( ° C)
图。 5导通电阻随温度的变化
0
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
,环境温度( ° C)
图。 6导通电阻随温度的变化
DMG4511SK4
文件编号: DS32042牧师4 - 2
4 9
www.diodes.com
2011年7月
Diodes公司
DMG4511SK4
3.0
V
GS ( TH)
,栅极阈值电压( V)
2.7
2.4
I
S
,源电流( A)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
,源极 - 漏极电压( V)
图。 8二极管正向电压与电流
1.2
T
A
= 25°C
2.1
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
,环境温度( ° C)
图。 7栅极阈值变化与环境温度
1,400
1,200
F = 1MHz的
I
D
= 250A
10,000
I
DSS
漏电流( NA)
1,000
T
A
= 150°C
C,电容(pF )
1,000
800
600
400
200
0
0
C
国际空间站
T
A
= 125°C
100
T
A
= 85°C
10
T
A
= 25°C
C
OSS
C
RSS
1
35
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏源电压(V )
图。 9典型的总电容
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏源电压(V )
图。 10典型漏电流
与漏源电压
35
1
R(T ) ,瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R
θJA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 80 ° C / W
P( PK)
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
t
1
D =单脉冲
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,脉冲持续时间(s )
图。 11瞬态热响应
10
100
1,000
DMG4511SK4
文件编号: DS32042牧师4 - 2
5 9
www.diodes.com
2011年7月
Diodes公司
查看更多DMG4511SK4PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DMG4511SK4
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
DMG4511SK4
HAMOS/汉姆
24+
22000
TO-252-4
原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
DMG4511SK4
VB
25+23+
35500
TO-252-4
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
DMG4511SK4
DIODES/美台
2443+
23000
TO-252-4
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
DMG4511SK4
DIODES
1922+
9825
TO252-4
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
DMG4511SK4
HAMOS/汉姆
19+
12000
TO-252-4
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
DMG4511SK4
D
24+
25000
TO-252-4
全新进口原装现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
DMG4511SK4
D
21+
15360
TO-252-4
全新原装正品/质量有保证
查询更多DMG4511SK4供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!