DMG4511SK4
互补对增强型MOSFET
产品概述
V
( BR ) DSS
35V
-35V
R
DS ( ON)
35mΩ @ V
GS
= 10V
45mΩ @ V
GS
= -10V
I
D
T
A
= 25°C
13A
-12A
特点和优点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
对互补MOSFET
无铅/符合RoHS (注1 )
"Green"设备(注2 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
说明与应用
这种新一代的MOSFET的设计,以减少导通
态电阻(R
DS ( ON)
),并同时保持出色的开关
性能,使其非常适用于高效率电源管理
应用程序。
背光
DC- DC转换器
电源管理功能
机械数据
案例: TO252-4L
外壳材料:模压塑料, “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
终端连接:下面请参阅图
码头:完成 - 雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
重量: 0.328克(近似值)
D
2
D
1
G
2
G
1
S
2
S
1
P沟道MOSFET
顶视图
底部视图
N沟道MOSFET
订购信息
(注3)
产品型号
DMG4511SK4-7
注意事项:
例
TO252-4L
包装
3000 /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
3.对于包装的详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
G4511S
YYWW
=制造商的标志
G4511S =产品型号标识代码
YYWW =日期代码标
YY =年(例如: 09 = 2009)
WW =周( 01 - 53 )
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2011年7月
Diodes公司
DMG4511SK4
最大额定值 - N - CHANNEL , Q1
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(注4 )V
GS
= 10V
连续漏电流(注5 )V
GS
= 10V
连续漏电流(注5 )V
GS
= 10V
连续漏电流(注5 )V
GS
= 4.5V
连续漏电流(注5 )V
GS
= 4.5V
漏电流脉冲(注6 )
稳定
状态
稳定
状态
t
≤
10s
稳定
状态
t
≤
10s
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
I
D
I
D
I
D
I
DM
价值
35
±20
5.3
4.2
8.6
6.8
13
11
6.3
5.0
9.3
7.4
50
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
最大额定值 - P- CHANNEL , Q2
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(注4 )V
GS
= -10V
连续漏电流(注5 )V
GS
= -10V
连续漏电流(注5 )V
GS
= -10V
连续漏电流(注5 )V
GS
= -4.5V
连续漏电流(注5 )V
GS
= -4.5V
漏电流脉冲(注6 )
稳定
状态
稳定
状态
t
≤
10s
稳定
状态
t
≤
10s
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
I
D
I
D
I
D
I
DM
价值
-35
±20
-5.0
-3.8
-7.8
-6.2
-12
-10
-6.5
-5.2
-9.6
-7.7
-50
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
热特性
特征
功率耗散(注4 )
热阻,结到环境@T
A
= 25 (注4 )
功率耗散(注5 )
热阻,结到环境@T
A
= 25 ° C(注5 )
功率耗散(注5 )T
≤
10s
热阻,结到环境@T
A
= 25 ° C(注5 )T
≤
10s
工作和存储温度范围
注意事项:
4.设备安装在FR- 4 PCB板的最低推荐焊盘布局,单面。
5.装置安装在2 “×2”的FR-4印刷电路板用的高覆盖率2盎司铜,单面。
6.重复等级,脉冲宽度有限的结温。
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
,
T
英镑
价值
1.54
81.3
4.1
30.8
8.9
14
-55到+150
单位
W
° C / W
W
° C / W
W
° C / W
°C
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DMG4511SK4
电气特性 - N - CHANNEL , Q1
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性(注7 )
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
栅源漏
基本特征(注7 )
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性(注8)
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷(V
GS
= 10V)
总栅极电荷(V
GS
= 4.5V)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
民
35
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
25
50
4.5
-
850
64.7
51.9
1.6
18.7
8.8
2.6
2.1
5.4
2.8
33.2
35.6
最大
-
1.0
±100
3.0
35
65
-
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
nA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
Ω
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= 35V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ,我
D
= 8A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 6A
V
DS
= 10V ,我
D
= 8A
V
GS
= 0V时,我
S
= 8A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
GS
= 10V, V
DS
= 28V ,我
D
= 8A
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 28V,
I
D
= 8A
V
DS
= 18V, V
GS
= 10V,
R
L
= 18, R
G
= 3.3,
I
D
= 1A
nC
ns
ns
ns
ns
电气特性 - P- CHANNEL , Q2
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性(注7 )
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
栅源漏
基本特征(注7 )
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性(注8)
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷(V
GS
= -10V)
总栅极电荷(V
GS
= -4.5V)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项:
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
民
-35
-
-
-1.0
-
-
典型值
-
-
-
-
30
40
8
-
985.2
90.6
75.3
7.0
19.2
9.5
2.0
3.5
5.2
4.8
45.8
29.5
最大
-
-1.0
±100
-3.0
45
65
-
-1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
nA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
Ω
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -250μA
V
DS
= -35V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -10V ,我
D
= -6A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -4A
V
DS
= -10V ,我
D
= -6A
V
GS
= 0V时,我
S
= -6A
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
GS
= -10V, V
DS
= -28V ,我
D
= -6A
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -28V,
I
D
= -6A
V
DS
= -18V, V
GS
= -10V,
R
L
= 18, R
G
= 3.3,
I
D
= -1A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
ns
ns
ns
ns
7.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
8.通过设计保证。不受生产测试。
DMG4511SK4
文件编号: DS32042牧师4 - 2
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2011年7月
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