DMG3420U
N沟道增强型MOSFET
特点
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成
雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
终端连接：下面请参阅图
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.008克（近似值）
新产品
漏
D
门
来源
G
顶视图
S
顶视图
内部原理
最大额定值
漏源电压
栅源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
I
D
I
DM
价值
20
±12
5.47
3.43
20
单位
V
V
A
A
连续漏电流（注3 ）
漏电流脉冲（注4 ）
稳定
状态
热特性
特征
功率耗散（注3 ）
热阻，结到环境@T
A
= 25 ° C（注3 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θJA
T
J,
T
英镑
价值
0.74
167
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
3.设备安装在FR- 4印刷电路板，以最小的推荐焊盘布局。
4.重复等级，脉冲宽度有限的结温。
DMG3420U
文件编号： DS31867修订版2 - 2
1 6
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2010年1月
Diodes公司
DMG3420U
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
民
20
-
-
0.5
典型值
-
-
-
0.95
21
25
34
65
9
0.75
434.7
69.1
61.2
1.53
5.4
0.9
1.5
6.5
8.3
21.6
5.3
最大
-
1.0
±100
1.2
29
35
48
91
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
nA
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 4A
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 2A
V
DS
= 5V ，我
D
= 3.8A
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A
新产品
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流TJ = 25°C
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
-
mΩ
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性（注6 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
S
V
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V,
I
D
= 6A
V
DD
= 10V, V
GS
= 5V,
R
L
= 1.7, R
G
= 6
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
6.通过设计保证。不受生产测试。
20
V
GS
= 10V
20
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 2.5V
I
D
，漏电流（ A）
15
V
GS
= 4.5V
15
10
V
GS
= 2.0V
10
5
V
GS
= 1.8V
5
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
V
GS
= 1.5V
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0
0.5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
5
0
0
1
2
3
V
GS
，门源极电压（ V）
图。 2典型的传输特性
4
DMG3420U
文件编号： DS31867修订版2 - 2
2 6
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2010年1月
Diodes公司
DMG3420U
I
DSS
，漏极 - 源极漏电流（ NA）
1,000
F = 1MHz的
10,000
C
国际空间站
T
A
= 150°C
C，电容（pF ）
1,000
T
A
= 125°C
新产品
100
C
OSS
C
RSS
100
10
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
10
0
5
10
15
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 9典型电容
20
1
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 10典型的漏源漏电流
与漏源电压
1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 162 ° C / W
P（ PK）
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
t
1
D =单脉冲
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 11瞬态热响应
10
100
1,000
订购信息
产品型号
DMG3420U-7
注意事项：
（注7 ）
例
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
7.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
G31 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： W = 2009）
M =月（例如： 9 =九月）
G31
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2009
W
JAN
1
FEB
2
2010
X
MAR
3
APR
4
2011
Y
五月
5
JUN
6
YM
2012
Z
JUL
7
2013
A
八月
8
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
2010年1月
Diodes公司
DMG3420U
文件编号： DS31867修订版2 - 2
4 6
www.diodes.com
产品speci fi cation
DMG3420U
N沟道增强型MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
21mΩ @ V
GS
= 10V
25MΩ @ V
GS
= 4.5V
I
D
最大
T
A
= +25°C
6.5A
5.2A
特点
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
新产品
20V
描述
这种新一代的MOSFET的设计，以减少导通
态电阻（R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关
性能，使其非常适用于高效率电源管理
应用程序。
机械数据
案例： SOT23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成
雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
e3
终端连接：下面请参阅图
重量： 0.008克（近似值）
漏
应用
通用接口开关
电源管理功能
SOT23
D
门
G
顶视图
顶视图
S
来源
等效电路
订购信息
产品型号
DMG3420U-7
DMG3420UQ-7
注意事项：
（注4 ）
QUALI科幻阳离子
广告
汽车
例
SOT23
SOT23
包装
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
标识信息
G31 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： W = 2009）
M =月（例如： 9 =九月）
G31
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2009
W
JAN
1
FEB
2
2010
X
MAR
3
APR
4
2011
Y
五月
5
JUN
6
YM
2012
Z
JUL
7
2013
A
八月
8
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1 2
产品speci fi cation
DMG3420U
最大额定值
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（注5 ）
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
20
±12
5.47
3.43
20
单位
V
V
A
A
新产品
漏电流脉冲（注6 ）
热特性
特征
功率耗散（注5 ）
热阻，结到环境@T
A
= 25 ° C（注5 ）
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θJA
T
J,
T
英镑
价值
0.74
167
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
20
—
—
0.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
0.95
21
25
34
65
9
0.75
434.7
69.1
61.2
1.53
5.4
0.9
1.5
6.5
8.3
21.6
5.3
最大
—
1.0
±100
1.2
29
35
48
91
—
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
A
nA
V
m
S
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 4A
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 2A
V
DS
= 5V ，我
D
= 3.8A
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V,
I
D
= 6A
V
DD
= 10V, V
GS
= 5V,
R
L
= 1.7, R
G
= 6
特征
开关特性（注7 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= +25°C
栅源漏
基本特征（注7 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性（注8）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
3.设备安装在FR-4基板的PC板， 2盎司覆铜，以最小的推荐焊盘布局。
4.重复等级，脉冲宽度有限的结温。
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
6.通过设计保证。不受生产测试。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
2 2
QQ：2880707522 复制
