DMG3415UFY4
P沟道增强型MOSFET
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特点
低导通电阻
39mΩ @ V
GS
= -4.5V
52mΩ @ V
GS
= -2.5V
65mΩ @ V
GS
= -1.8V
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
ESD保护可达3kV的
"Green"设备，卤素和无锑（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： DFN2015H4-3
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成
雾锡铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
终端连接：下面请参阅图
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.008克（近似值）
新产品
S
D
G
ESD保护3kV的
顶视图
底部视图
内部原理
最大额定值
漏源电压
栅源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
I
D
I
DM
价值
-16
±8
-2.5
-2.2
-12
单位
V
V
A
A
连续漏电流（注3 ）
漏电流脉冲（注4 ）
稳定
状态
热特性
特征
功率耗散（注3 ）
热阻，结到环境@T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θJA
T
J,
T
英镑
价值
0.49
250.7
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
3.设备安装在FR- 4 PCB板2盎司铜和测试脉冲宽度t
≤
10s.
4.重复等级，脉冲宽度有限的结温。
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电气特性
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
-16
-0.3
典型值
-0.55
31
40
51
7.9
281.9
152.0
37.9
250
10
1.5
2.4
79.0
175.2
884.5
568
最大
-1.0
±10
±500
-1.0
39
52
65
单位
V
μA
μA
nA
V
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250μA
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±8V,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±5V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4.0A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -3.5A
V
GS
= -1.8V ，我
D
= -2.0A
V
DS
= -5V ，我
D
= -2.5A
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
新产品
T
J
= 25°C
正向转移导纳
动态特性
（注6 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
门Resistnace
开关特性
（注6 ）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
= -4A
V
DS
= -10V, V
GS
= -4.5V,
R
D
= 2.5Ω, R
G
= 3.0Ω
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
6.通过设计保证。不受生产测试。
20
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 2.5V
20
16
I
D
，漏电流（ A）
16
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 2.0V
V
DS
= 5V
12
12
8
V
GS
= 1.5V
8
4
4
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
5
0
0.5
1
1.5
2
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2典型的传输特性
2.5
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100,000
I
DSS
漏电流（ NA）
10,000
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1,000
新产品
100
T
A
= 85°C
10
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
1
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 9典型泄漏电流和漏源电压
1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 171 ° C / W
D = 0.02
0.01
P（ PK）
D = 0.01
D = 0.005
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
D =单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 10瞬态热响应
10
100
1,000
订购信息
（注7 ）
产品型号
DMG3415UFY4-7
注意事项：
例
DFN2015H4-3
包装
3000 /磁带&卷轴
7.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
34P =标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： W = 2009）
M =月（例如： 9 =九月）
34P
YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2009
W
JAN
1
FEB
2
2010
X
MAR
3
APR
4
2011
Y
五月
5
JUN
6
2012
Z
JUL
7
2013
A
八月
8
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
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