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DMG3414U

N沟道增强型MOSFET

请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。

特点

低导通电阻

25MΩ @ V

= 4.5V

29mΩ @ V

= 2.5V

37MΩ @ V

= 1.8V

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）

"Green"设备（注2 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

机械数据

案例： SOT -23

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级

码头：完成

雾锡比退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

终端连接：下面请参阅图

标识信息：请参阅第4页

订购信息：见第4页

重量： 0.008克（近似值）

新产品

漏

门

来源

顶视图

内部原理

最大额定值

漏源电压

栅源电压

= 25 ° C除非另有说明

特征

符号

DSS

GSS

= 25°C

= 70°C

价值

±8

4.2

3.2

单位

连续漏电流（注3 ）

漏电流脉冲（注4 ）

稳定

状态

热特性

特征

功率耗散（注3 ）

热阻，结到环境@T

= 25°C

工作和存储温度范围

注意事项：

符号

θJA

英镑

价值

0.78

162

-55到+150

单位

° C / W

°C

1.没有故意添加铅。

2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。

3.设备安装在FR- 4 PCB板2盎司铜和测试脉冲宽度t

≤

10s.

4.重复等级，脉冲宽度有限的结温。

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电气特性

特征

开关特性（注5 ）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅源漏

基本特征（注5 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向转移导纳

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

注意事项：

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

0.5

典型值

829.9

85.3

81.2

9.6

1.5

3.5

8.1

8.3

40.1

9.6

最大

1.0

±100

0.9

单位

μA

测试条件

= 0V时，我

= 250μA

= 20V, V

= 0V

±8V,

= 0V

= V

, I

= 250μA

= 4.5V ，我

= 8.2A

= 2.5V ，我

= 3.3A

= 1.8V ，我

= 2.0A

= 10V ，我

= 4A

= 10V, V

= 0V

F = 1.0MHz的

= 25°C

新产品

= 4.5V, V

= 10V ，我

= 8.2A

= 10V, V

= 4.5V,

= 10Ω, R

= 6Ω, I

= 1A

5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

，漏电流（ A）

= 10V

= 4.5V

，漏电流（ A）

= -5V

= 3.0V

= 2.5V

= 2.0V

= 1.5V

= 150°C

= 125°C

= 85°C

= 25°C

= -55°C

0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8

，漏源电压（V ）

图。 1典型的输出特性

0.5

1.5

，栅源电压（V ）

图。 2典型的传输特性

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DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

)

0.05

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

)

0.05

= 4.5V

0.04

= 150°C

= 125°C

= 85°C

= 25°C

0.04

0.03

新产品

0.03

= 1.8V

0.02

= 2.5V

0.02

= -55°C

= 4.5V

0.01

，漏源电流（A ）

图。 3典型导通电阻

与漏电流和栅极电压

，漏电流（ A）

图。 4典型导通电阻

与漏电流和温度

0.05

DSON

，漏 - 源

导通电阻（标准化）

1.8

DSON

，漏 - 源

导通电阻（标准化）

1.6

= 2.5V

= 5A

0.04

= 2.5V

= 5A

1.4

0.03

1.2

= 4.5V

= 6.5A

0.02

= 4.5V

= 6.5A

1.0

0.8

0.01

0.6

-50

-25

75 100 125 150

，环境温度（ ° C）

-50

-25

75 100 125 150

，环境温度（ ° C）

图。 5导通电阻随温度的变化

图。 6导通电阻随温度的变化

1.0

GS （ TH）

，栅极阈值电压（ V）

，源电流（ A）

= 25°C

0.8

= 250A

0.6

0.1

0.4

-50 -25

75 100 125 150

，环境温度（ ° C）

图。 7栅极阈值变化与环境温度

0.01

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

，源极 - 漏极电压（ V）

图。 8二极管正向电压与电流

1.0

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10,000

100,000

= 150°C

DSS

漏电流（ NA）

10,000

= 125°C

C，电容（pF ）

1,000

国际空间站

1,000

= 85°C

新产品

100

= 25°C

100

OSS

RSS

= -55°C

，漏源电压（V ）

图。 9典型的总电容

R（T ），瞬态热阻

D = 0.7

D = 0.5

D = 0.3

8 10 12 14 16 18 20

，漏源电压（V ）

图。 10典型泄漏电流和漏源电压

0.1

D = 0.1

D = 0.9

D = 0.05

θJA

（吨） = R （t）的R *

= 166_C / W

P（ PK）

D = 0.02

0.01

D = 0.01

D = 0.005

- T

= P * R

(t)

占空比D = T

D =单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

，脉冲持续时间（s ）

图。 11瞬态热响应

100

1,000

订购信息

产品型号

DMG3414U-7

注意事项：

（注6 ）

例

SOT-23

包装

3000 /磁带&卷轴

6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

MN8 =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年（例如： W = 2009）

M =月（例如： 9 =九月）

MN8

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

2009

JAN

FEB

2010

MAR

APR

2011

五月

JUN

2012

JUL

2013

八月

SEP

2014

十月

NOV

2015

DEC

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包装外形尺寸

新产品

B C

SOT-23

暗淡

民

最大

典型值

0.37

0.51

0.40

1.20

1.40

1.30

2.30

2.50

2.40

0.89

1.03 0.915

0.45

0.60 0.535

1.78

2.05

1.83

2.80

3.00

2.90

0.013 0.10

0.05

0.903 1.10

1.00

0.400

0.45

0.61

0.55

0.085 0.18

0.11

0°

8°

尺寸：mm

拟议的焊盘布局

尺寸值（单位：mm）

2.9

0.8

0.9

2.0

1.35

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