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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第383页 > DMG3401LSN-7
产品speci fi cation
DMG3401LSN
30V P沟道增强型MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
-30V
R
DS （ ON） MAX
50mΩ的@ V
GS
= -10V
的60mΩ @ V
GS
= -4.5V
85mΩ @ V
GS
= -2.5V
I
D
T
A
= 25°C
-3.7A
-3.3A
-2.7A
特点
低输入电容
低导通电阻
低输入/输出泄漏
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
描述
新产品
这种新一代的小信号增强型MOSFET
具有低导通电阻和快速开关，使其成为理想的高
效率的电源管理应用。
机械数据
案例： SC59
外壳材料：模压塑料“绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端连接：见图
重量： 0.008克（近似值）
应用
电机控制
背光
DC- DC转换器
电源管理功能
漏
SC59
D
门
来源
G
S
顶视图
等效电路
顶视图
订购信息
（注4 ）
产品型号
DMG3401LSN-7
注意事项：
例
SC59
包装
3000 /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
标识信息
G34
G34 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： Y = 2011）
M =月（例如： 9 =九月）
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2011
Y
JAN
1
FEB
2
2012
Z
MAR
3
APR
4
2013
A
五月
5
JUN
6
YM
2014
B
JUL
7
2015
C
八月
8
SEP
9
2016
D
十月
O
NOV
N
2017
E
DEC
D
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1 2
产品speci fi cation
DMG3401LSN
最大额定值
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（注5 ）V
GS
= -10V
连续漏电流（注6 ）V
GS
= -10V
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
I
DM
I
S
价值
-30
±12
-3.0
-2.3
-3.7
-2.9
-30
-1.5
单位
V
V
A
A
A
A
新产品
漏电流脉冲（ 10μs的脉冲，占空比= 1 ％ ）
最大体二极管连续电流（注6 ）
热特性
特征
总功耗
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
工作和存储温度范围
（注5 ）
（注6 ）
（注5 ）
（注6 ）
（注6 ）
符号
P
D
R
θ
JA
R
θ
JC
T
J,
T
英镑
价值
0.8
1.2
159
105
36
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
开关特性（注7 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
门体漏
基本特征（注7 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性（注8）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷（V
GS
= -4.5V)
总栅极电荷（V
GS
= -10V)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
-30
-
-
-0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-1.0
41
47
60
12
-0.8
1326
103
71
7.3
11.6
25.1
2
1.7
8
13
71
38
最大
-
-1.0
±100
-1.3
50
60
85
-
-1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
A
nA
V
mΩ
S
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250μA
V
DS
=-30V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -10V ，我
D
= -4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.5A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -2.5A
V
DS
= -5V ，我
D
= -4A
V
GS
= 0V时，我
S
= -1A
pF
Ω
nC
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
= -15V ，我
D
= -4A
nS
V
DS
= -15V, V
GS
= -10V,
R
根
= 6, R
L
= 3.75
3.设备安装在FR- 4印刷电路板，以最小的推荐焊盘布局，单面。
4.设备安装在FR-4基板PCB板， 2oz覆铜，以1英寸方形铜焊盘布局
5.Short持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
6.通过设计保证。不受生产测试
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2 2
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