DMG1016UDW
互补对增强型MOSFET
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特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
对互补MOSFET
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS （注2 ）
ESD保护高达2.5kV的
"Green"设备（注3）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT- 363
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端：雾锡完成了退火合金引线框架42
（无铅电镀） 。每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标识信息：请参阅第7页
订购信息：见第7页
重量： 0.006克（近似值）
新产品
D
1
G
2
S
2
Q
1
Q
2
S
1
G
1
D
2
ESD保护
顶视图
顶视图
内部原理
最大额定值N沟道 - Q
1
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
稳定
状态
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
价值
20
±6
1066
690
单位
V
V
mA
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
I
D
最大额定值P- CHANNEL - Q
2
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
稳定
状态
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
价值
-20
±6
845
548
单位
V
V
mA
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
I
D
热特性 - 共有设备
特征
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
330
379
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
设备安装在FR- 4 PCB板的最低推荐焊盘布局。
没有故意添加铅。
二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DMG1016UDW
文件编号： DS31860修订版3 - 2
1第8
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2009年10月
Diodes公司
DMG1016UDW
电气特性N沟道 - Q
1
特征
开关特性（注4 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
栅源漏
基本特征（注4 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注4 ）
动态特性（注5 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
民
20
-
-
0.5
-
-
典型值
-
-
-
-
0.3
0.4
0.5
1.4
0.7
60.67
9.68
5.37
736.6
93.6
116.6
5.1
7.4
26.7
12.3
最大
-
100
±1.0
1.0
0.45
0.6
0.75
-
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
nA
μA
V
Ω
S
V
pF
pF
pF
pC
pC
pC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±4.5V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 600毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 350毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 400毫安
V
GS
= 0V时，我
S
= 150毫安
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V,
I
D
= 250毫安
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
新产品
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V,
R
L
= 47, R
G
= 10
电气特性P- CHANNEL - Q
2
特征
开关特性（注4 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
栅源漏
基本特征（注4 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注4 ）
动态特性（注5 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
民
-20
-
-
-0.5
-
-
典型值
-
-
-
-
0.5
0.7
1.0
0.9
-0.8
59.76
12.07
6.36
622.4
100.3
132.2
5.1
8.1
28.4
20.7
最大
-
-100
±2.0
-1.0
0.75
1.05
1.5
-
-1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
nA
μA
V
Ω
S
V
pF
pF
pF
pC
pC
pC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250μA
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±4.5V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -430mA
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -300mA
V
GS
= -1.8V ，我
D
= -150mA
V
DS
= -10V ，我
D
= -250mA
V
GS
= 0V时，我
S
= -150mA
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -10V,
I
D
= -250mA
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DD
= -10V, V
GS
= -4.5V,
R
L
= 47, R
G
= 10
4.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
5.通过设计保证。不受生产测试。
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Diodes公司
DMG1016UDW
P- CHANNEL - Q
2
1.0
V
GS
= -8.0V
V
GS
= -4.5V
1.0
V
DS
= -5V
新产品
V
GS
= -3.0V
-I
D
，漏电流（ A）
0.8
0.8
0.6
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -2.0V
0.6
0.4
0.4
0.2
V
GS
= -1.5V
0.2
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
-V
DS
，漏源电压（V ）
图。 12典型的输出特性
5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-V
GS
，栅源电压（V ）
图。 13典型的传输特性
3.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
1.6
1.4
1.2
V
GS
= -1.8V
1.0
V
GS
= -4.5V
0.8
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
-I
D
，漏源电流（A ）
图。 14典型导通电阻
与漏电流和栅极电压
1.0
V
GS
= -2.5V
0.6
0.4
T
A
= -55°C
V
GS
= -4.5V
0.2
0
0
0.4
0.6
0.8
-I
D
，漏电流（ A）
图。 15典型导通电阻
与漏电流和温度
0.2
1.0
R
DSON
，漏 - 源
导通电阻（标准化）
1.5
R
DSON
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
1.7
1.0
0.8
V
GS
= -2.5V
I
D
= -250mA
1.3
0.6
1.1
V
GS
= -4.5V
I
D
= -500mA
0.4
0.9
V
GS
= -4.5V
I
D
= -500mA
0.7
0.5
-50
V
GS
= -2.5V
I
D
= -250mA
0.2
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 16导通电阻随温度的变化
0
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 17导通电阻随温度的变化
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