TetraFET
DMD1009
DMD1009-A
符合RoHS
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
C
（ 2 PLS ）
B
G
（典型值）
2
1
H
D
3
P
（ 2 PLS ）一个
5
E
（ 4 PLS ）
F
I
4
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
150W - 28V - 500MHz的
推 - 拉
特点
适用于宽带应用
N
M
D1
销2
引脚4
O
J
K
简单的偏置电路
超低热阻
免费氧化铍
销1
3脚
5脚
SOURCE （ COMMON ）
排水2
门1
排水1
门2
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
O
P
单位为毫米
15.24
10.80
45°
9.78
8.38
27.94
1.52R
10.16
21.84
0.10
1.96
1.02
4.45
34.04
1.63R
TOL 。
0.50
0.13
5°
0.13
0.13
0.13
0.13
0.15
0.23
0.02
0.13
0.13
0.38
0.13
0.13
英寸
0.600
0.425
45°
0.385
0.330
1.100
0.060R
0.400
0.860
0.004
0.077
0.040
0.175
1.340
0.064R
TOL 。
0.020
0.005
5°
0.005
0.005
0.005
0.005
0.006
0.009
0.001
0.005
0.005
0.015
0.005
0.005
低的Crss
高增益 - 19 dB（最小值）
应用
VHF / UHF通信
从1MHz到500MHz的
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
j
*每方
功耗
漏极 - 源极击穿电压*
门 - 源极击穿电压*
漏电流*
储存温度
最大工作结温
648W （ 389W -A版）
70V
±20V
20A
-65 ℃150℃
200°C
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
网址：
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文档编号6932
问题2
DMD1009
DMD1009-A
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
每面
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
g
fs
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
栅极阈值电压*
正向跨导*
栅极阈值电压
匹配方之间
V
GS
= 0
V
DS
= 28V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
I
D
= 1A
I
D
= 100毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 4A
V
DS
= V
GS
1
3.2
70
典型值。
MAX 。 UNIT
V
4
1
7
mA
μA
V
姆欧
0.1
V
V
GS （ TH）比赛
设备总
G
PS
η
VSWR
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
输入电容
输出电容
P
O
= 150W
V
DS
= 28V
F = 400MHz的
I
DQ
= 2A
12
50
20:1
V
GS
= -5V F = 1MHz的
V
GS
= 0
V
GS
= 0
F = 1MHz的
F = 1MHz的
240
100
10
dB
%
—
pF
pF
pF
每面
V
DS
= 28V
V
DS
= 28V
反向传输电容V
DS
= 28V
*脉冲测试：
脉冲持续时间= 300
μs
，占空比
≤
2%
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 0.27 ° C / W
0.45 ° C / W -A版
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是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
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问题2
DMD1009
DMD1009-A
20
80
70
15
%
收益
dB
60
50
40
30
20
10
效率
10
5
VDS = 28V
IDQ = 2A
F = 400MHz的
0
50
100
噘嘴W
VDS = 28V
IDQ = 2A
F = 400MHz的
0
50
100
噘嘴W
0
150
增益（dB ）
200
0
150
效率（％）
200
图1 - 增益与输出功率。
图2 - 效率与输出功率。
-10
-20
IMD3
-30
dBc的
-40
-50
-60
F1 = 400 MHz的
F2 = 400.1兆赫
VDS = 28V
IDQ = 2A
0
50
100
噘嘴W PEP
150
200
图3 - IMD与输出功率
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问题2
DMD1009
DMD1009-A
30
25
VG = 13 V
VG = 12 V
VG = 11 V
VG = 10 V
Vg=9V
VG = 8 V
VG = 7 V
VG = 6 V
VG = 5 V
20
I
DS
(A)
15
10
5
0
0.00
5.00
10.00
15.00
V
DS
(V)
20.00
25.00
30.00
35.00
图4 - 典型的IV特性。
1000
pF的电容
100
输出电容
输入电容
10
反向传输电容
1
0
5
10
15
20
25
30
V
ds
V
图5 - 典型的CV特性。
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问题2
DMD1009
DMD1009-A
+28V
100nF
栅偏压
5.6K
100nF
5 x 5mm的
联系
PAD
5 ×5mm的
接触焊盘
100uF
100
10nF
L1
3K
T2
91pF
L2
T4
DMD1009
T1
2-18pF
2-18pF
T3
DMD1009
30pF
30pF
2-18pF
680pF
T5
680pF
91pF
5 x 5mm的
联系
PAD
5 ×5mm的
接触焊盘
T6
2-18pF
DMD1009测试夹具
基板1.6毫米PTFE /玻璃， ER = 2.5
所有的微带线W = 4.4毫米
T1
T2,3
T4,5
T6
L1
L2
12cm
7.5cm
7cm
11cm
6.5圈
6.5圈
50Ω UT85的半刚性同轴电缆上的铁氧体磁芯
15Ω UT85-15的半刚性同轴电缆
15Ω UT85-15的半刚性同轴电缆
50Ω UT85的半刚性同轴电缆上的铁氧体磁芯
25swg漆包铜线上展色丽FT50B - 43核心
25swg漆包铜线的4mm内径
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