【对产品线Diodes公司DMC4040SSD40V互补对增强型MOSFET产品概述IDMAX（ A）】,IC型号DMC4040SSD,DMC4040SSD PDF资料,DMC4040SSD经销商,ic,电子元器件-51电子网

对产品线

Diodes公司

DMC4040SSD

40V互补对增强型MOSFET

产品概述

MAX（ A）

设备

（ BR ） DSS

DS （ ON）

最大

25MΩ @ V

= 10V

40V

40MΩ @ V

= 4.5V

6.2

-7.3

-5.7

25MΩ @ V

= -10V

-40V

45mΩ @ V

= -4.5V

= 25°C

（注3 & 5 ）

特点和优点

匹配 & P

DS （ ON）

最大限度地减少功率损耗

快速开关 - 最大限度地减少开关损耗

双通道器件 - 降低PCB面积

"Green"组成部分，符合RoHS标准（注1 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

7.5

新产品

机械数据

案例： SO- 8

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。 UL

可燃性分类额定值94V- 0 （注1 ）

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

重量： 0.074克（近似值）

说明与应用

这种MOSFET的设计，以确保是R

DS （ ON）

N和P

沟道FET被匹配以最小化在两个臂的损失

桥梁。该DMC4040SSD被用于3相无刷进行了优化

直流电动机电路（ BLDC ）， CCFL背光。

3相无刷直流电机

CCFL背光

SO-8

顶视图

Q1 N沟道

Q2 P沟道

等效电路

订购信息

（注1 ）

产品

DMC4040SSD-13

注意：

记号

C4040SD

卷尺寸（英寸）

胶带宽度（mm）

QUANTITY每卷

2,500

1. Diodes公司将“绿色”产品为那些符合RoHS标准，不含卤素和锑化合物;有关更多信息，

二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到。用于包装的详细信息，请访问我们的网站。

标识信息

C4040SD

YY WW

=制造商的标志

C4040SD =产品型号标识代码

YYWW =日期代码标

YY =年（例如： 10 = 2010）

WW =周（ 01 - 53 ）

DMC4040SSD

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1 11

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对产品线

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DMC4040SSD

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

特征

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

= 10V

（注3 & 5 ）

= 70 ° C（注3 & 5 ）

（注2 & 5 ）

（注2 & 6 ）

（注4 & 5 ）

（注3 & 5 ）

（注4 & 5 ）

符号

DSS

GSS

N沟道 - Q1

±20

7.5

5.8

5.7

6.8

29.0

3.0

29.0

P沟道 - Q2

-40

±20

-7.5

-5.8

-5.7

-6.8

-29.0

-3.0

-29.0

单位

新产品

漏电流脉冲

= 10V

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

热特性

= 25 ° C除非另有说明

特征

（注2 & 5 ）

功耗

线性降额因子

（注2 & 6 ）

（注3 & 5 ）

热阻，结到环境

热阻，结领导

工作和存储温度范围

注意事项：

符号

（注2 & 5 ）

（注2 & 6 ）

（注3 & 5 ）

（注5 & 7 ）

θJA

θJL

英镑

N通道 - Q1 P沟道 - Q2

1.25

1.8

14.3

2.14

17.2

100

-55到+150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

2.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件;该装置是

在稳态条件下测量的操作时。

3.同注（2 ），除了设备测量在t

≤

10秒。

4.同注（2 ），除了该装置是脉冲的以D = 0.02和脉冲宽度300μS 。

5.对于具有一个活性模具的双设备。

6.对于在同等功率两种活性芯片上运行的设备。

从结点到焊接点7，热敏电阻（在漏极引线的端部）。

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对产品线

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DMC4040SSD

热特性

DS （ ON）

新产品

100ms

10ms

单脉冲

AMB

= 25°C

一个活动模

1ms

100us

-I

漏电流（ A）

有限

100ms

单脉冲

AMB

= 25°C

一个活动模

10ms

1ms

100us

100m

10m

0.1

10m

0.1

漏源极电压（ V）

N沟道安全工作区

100

D=0.2

D=0.5

R（ THETA结到环境），R

一个活动模

-V

漏源极电压（ V）

P沟道安全工作区

2.0

最大功耗（ W）

热阻（ ° C / W）

1.5

两个有源芯片

一个活动模

1.0

单脉冲

D=0.05

D=0.1

0.5

100

0.0

100

125

150

10m 100m

100

脉冲宽度（S ）

温度（℃）

瞬态热阻抗

单脉冲

AMB

= 25°C

一个活动模

降额曲线

最大功率（W）的

100

10m 100m

100

脉冲宽度（S ）

脉冲功率耗散

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电气特性 - Q1 N沟道

= 25 ° C除非另有说明

特征

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅源漏

基本特征

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻（注8 ）

正向跨导（注8 & 9 ）

二极管的正向电压（注8 ）

动态特性（注9 ）

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷（注10 ）

门源费（注10 ）

栅 - 漏极电荷（注10 ）

导通延迟时间（注10 ）

导通上升时间（注10 ）

关断延迟时间（注10 ）

关断下降时间（注10 ）

注意事项：

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

0.8

典型值

1.3

0.013

0.028

12.6

0.7

1790

160

120

1.03

16.0

37.6

7.8

6.6

8.1

15.1

24.3

5.3

最大

1.0

±100

1.8

0.025

0.040

1.0

单位

μA

测试条件

= 250μA ，V

= 0V

= 40V, V

= 0V

±20V,

= 0V

= 250μA ，V

= V

= 10V ，我

= 3A

= 4.5V ，我

= 3A

= 5V ，我

= 3A

= 1A ，V

= 0V

= 20V, V

= 0V

F = 1MHz的

= 0V, V

= 0V ， F = 1MHz的

= 4.5V

= 20V

= 3A

= 10V

新产品

= 20V, V

= 10V

= 3A

脉冲条件下8.测定。脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

9.辅助设计只，不受生产测试。

10.开关特性是独立的工作结点温度。

典型特征 - Q1 N沟道

= 8.0V

，漏电流（ A）

= 5V

= 4.5V

= 4.0V

= 3.5V

= 150°C

= 2.5V

= 3.0V

= 125°C

= 85°C

= 25°C

= -55°C

0.5

1.5

，漏源电压（V ）

图。 1典型的输出特性

，栅源电压（V ）

图。 2典型的传输特性

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DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

)

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

)

0.06

0.04

= 10V

0.05

0.03

0.04

= 150°C

0.03

= 4.5V

0.02

= 125°C

= 85°C

= 25°C

新产品

0.02

0.01

= -55°C

0.01

= 10V

，漏源电流（A ）

图。 3典型导通电阻

与漏电流和栅极电压

，漏电流（ A）

图。 4典型导通电阻

与漏电流和温度

1.7

= 10V

= 20A

0.06

DSON

，漏极 - 源极导通电阻（

)

DSON

，漏 - 源

导通电阻（标准化）

1.5

0.05

1.3

= 4.5V

= 10A

0.04

1.1

0.03

= 4.5V

= 10A

0.9

0.02

0.7

0.01

= 10V

= 20A

0.5

-50

75 100 125 150

，环境温度（ ° C）

图。 5导通电阻随温度的变化

-25

-50

-25

75 100 125 150

，环境温度（ ° C）

图。 6导通电阻随温度的变化

3.0

GS （ TH）

，栅极阈值电压（ V）

2.7

2.4

，源电流（ A）

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

，源极 - 漏极电压（ V）

图。 8二极管正向电压与电流

1.2

= 25°C

2.1

1.8

1.5

1.2

0.9

0.6

0.3

-50 -25

75 100 125 150

，环境温度（ ° C）

图。 7栅极阈值变化与环境温度

= 250A

= 1毫安

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