DMC3036LSD
互补对增强型MOSFET
特点
对互补MOSFET的
低导通电阻
N通道： 36mΩ @ 10V
61mΩ @ 4.5V
P通道： 36mΩ @ -10V
64mΩ @ -4.5V
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注3）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOP- 8L
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
码头：完成 - 雾锡比退火铜引线
框架。每MIL -STD- 202方法208
标识信息：请参见第6页
订购信息：参见第6页
重量： 0.072克（近似值）
NE瓦特产品
SOP-8L
D
2
D
1
S2
G2
S1
G1
顶视图
顶视图
内部原理
D2
D2
D1
D1
G
2
G
1
S
2
N沟道MOSFET
S
1
P沟道MOSFET
最大额定值N沟道
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
漏电流脉冲（注4 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
I
D
I
DM
价值
30
±20
6.9
5.8
24
单位
V
V
A
A
最大额定值P- CHANNEL
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
漏电流脉冲（注4 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
I
D
I
DM
价值
-30
±20
-6
-5
-21
单位
V
V
A
A
热特性
功率耗散（注1 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
2.5
50
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
特征
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
4.
设备安装在FR- 4 PCB上2盎司铜垫有R
θ
JA
= 50 ° C / W 。
没有故意添加铅。
二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
重复性等级，脉冲宽度有限的结温。
DMC3036LSD
文件编号： DS31311牧师4 - 2
1 7
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2008年10月
Diodes公司
DMC3036LSD
电气特性N沟道
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注5 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
民
30
1
0.5
典型值
28
51
7.7
384
67
48
1.3
4.3
8.6
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
最大
1
±
100
2.1
36
61
1.2
单位
V
μA
nA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
Ω
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.9A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.0A
V
DS
= 5V ，我
D
= 6.9A
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A
新产品
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
GS
= 0V V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
1.2
2.5
nC
电气特性P- CHANNEL
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注5 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
民
-30
-1
-0.5
典型值
30
53
8.8
637
147
105
3.3
6.8
13.7
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
最大
-1.0
±
100
-2.2
36
64
-1.2
单位
V
μA
nA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
Ω
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250μA
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -10V ，我
D
= -6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5A
V
DS
= -5V ，我
D
= -6A
V
GS
= 0V时，我
S
= -1A
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
= 15V, V
GS
= -4.5V ，我
D
= 6A
V
DS
= 15V, V
GS
= -10V ，我
D
= 6A
V
DS
= 15V, V
GS
= -10V ，我
D
= 6A
V
DS
= 15V, V
GS
= -10V ，我
D
= 6A
1.6
4.2
nC
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
DMC3036LSD
文件编号： DS31311牧师4 - 2
2 7
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2008年10月
Diodes公司
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