【DMC3032LSD互补对增强型MOSFET特点低导通电阻N通道： 32mΩ @ 10V46mΩ @】,IC型号DMC3032LSD,DMC3032LSD PDF资料,DMC3032LSD经销商,ic,电子元器件-51电子网

DMC3032LSD

互补对增强型MOSFET

特点

低导通电阻

N通道： 32mΩ @ 10V

46mΩ @ 4.5V

P通道： 39mΩ @ 10V

53mΩ @ 4.5V

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

对互补MOSFET

无铅/符合RoHS （注1 ）

"Green"设备（注2 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

机械数据

案例： SO- 8

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

终端连接：见图

码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

标识信息：请参见第6页

订购信息：参见第6页

重量： 0.072克（近似值）

新产品

SO-8

D

2

D

1

S2

G2

S1

G1

D2

D1

G

2

G

1

S

2

S

1

P沟道MOSFET

顶视图

N沟道MOSFET

最大额定值N沟道 - Q1

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

特征

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（注3 ）

漏电流脉冲（注4 ）

稳定

状态

T

A

= 25°C

T

A

= 85°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

价值

30

±20

8.1

5.1

25

单位

V

A

最大额定值P- CHANNEL - Q2

特征

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（注3 ）

漏电流脉冲（注4 ）

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

GSS

价值

-30

±20

-7.0

-4.5

-25

单位

V

A

稳定

状态

T

A

= 25°C

T

A

= 85°C

I

D

I

DM

热特性

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

P

D

R

θJA

T

J

,

T

英镑

价值

2.5

50

-55到+150

单位

W

° C / W

°C

特征

功率耗散（注3 ）

热阻，结到环境（注3 ）

工作和存储温度范围

注意事项：

1.没有故意添加铅。

2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。

3.设备安装在FR- 4印刷电路板，以最小的推荐焊盘布局。

4.重复等级，脉冲宽度有限的结温。

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DMC3032LSD

电气特性N沟道 - Q1

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

特征

开关特性（注5 ）

漏源击穿电压

零栅压漏电流T

J

= 25°C

栅源漏

基本特征（注5 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向转移导纳

二极管的正向电压（注5 ）

动态特性（注6 ）

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷（ 10V ）

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

V

SD

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

民

30

-

1

-

典型值

-

1.45

23

32

7.6

0.7

404.5

51.8

45.1

1.5

9.2

1.2

1.8

3.4

6.18

13.92

2.84

最大

-

1.0

±100

2.1

32

46

-

1.0

-

单位

V

μA

nA

V

mΩ

S

V

pF

Ω

nC

ns

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250μA

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

V

GS

= ±20V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

C

= 250μA

V

GS

= 10V ，我

C

= 7A

V

GS

= 4.5V ，我

C

= 5.6A

V

DS

= 5V ，我

C

= 7A

V

GS

= 0V时，我

S

= 1A

V

DS

= 15V, V

GS

= 0V,

F = 1.0MHz的

V

DS

= 0V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

V

GS

= 10V, V

DS

= 15V,

I

D

= 5.8A

新产品

V

GS

= 10V, V

DS

= 15V,

R

G

= 3, R

L

= 2.6

20

16

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

= 8.0V

V

GS

= 4.5V

16

I

D

，漏电流（ A）

V

DS

= 5V

12

8

V

GS

= 3.0V

8

T

A

= 150°C

4

V

GS

= 2.5V

4

T

A

= 125°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

T

A

= -55°C

0

1

V

GS

= 2.0V

2

3

4

V

DS

，漏源电压（V ）

图。 1典型的输出特性

5

0

1

2

3

V

GS

，门源极电压（ V）

图。 2典型的传输特性

4

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DMC3032LSD

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

Ω

)

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

Ω

)

1

0.08

V

GS

= 4.5V

T

A

= 150°C

0.06

T

A

= 125°C

T

A

= 85°C

V

GS

= 2.5V

0.1

0.04

T

A

= 25°C

新产品

V

GS

= 4.5V

0.02

T

A

= -55°C

V

GS

= 8.0V

0.01

0.1

1

10

I

D

，漏源电流（A ）

图。 3典型导通电阻

与漏电流和栅极电压

100

0

8

12

16

20

I

D

，漏电流（ A）

图。 4典型的漏源导通电阻

与漏电流和温度

4

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

Ω

)

1.7

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0

-50

V

GS

= 10V

I

D

= 10A

V

GS

= 4.5V

I

D

= 5.0A

R

DS （ ON）

，漏 - 源

导通电阻（标准化）

1.5

1.3

1.1

V

GS

= 4.5V

I

D

= 5.0A

0.9

V

GS

= 10V

I

D

= 10A

0.7

0.5

-50

-25

0

25

50

75 100 125 150

T

J

，结温（ ° C）

图。 5导通电阻随温度的变化

-25

0

25

50

75 100 125 150

T

J

，结温（ ° C）

图。 6导通电阻随温度的变化

2.0

V

GS （ TH）

，栅极阈值电压（ V）

20

18

1.6

I

S

，源电流（ A）

I

D

= 1毫安

16

14

12

10

8

6

4

2

T

A

= 25°C

1.2

I

D

= 250A

0.8

0.4

-25

0

25

50

75 100 125 150

T

A

，环境温度（ ° C）

图。 7栅极阈值变化与环境温度

0

-50

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

SD

，源极 - 漏极电压（ V）

图。 8二极管正向电压与电流

1.2

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DMC3032LSD

F = 1MHz的

I

DSS

，漏极 - 源极漏电流（ NA）

1,000

10,000

C，电容（pF ）

C

国际空间站

1,000

T

A

= 150°C

100

C

OSS

C

RSS

100

T

A

= 125°C

新产品

10

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

10

0

5

10

15

20

25

V

DS

，漏源电压（V ）

图。 9典型电容

30

1

0

T

A

= -55°C

5

10

15

20

25

30

V

DS

，漏源电压（V ）

图。 10典型的漏源漏电流

与漏源电压

电气特性P- CHANNEL

特征

开关特性（注5 ）

漏源击穿电压

零栅压漏电流T

J

= 25°C

栅源漏

基本特征（注5 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向转移导纳

二极管的正向电压（注5 ）

动态特性（注6 ）

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷（ 4.5V ）

总栅极电荷（ 10V ）

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

注意事项：

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

V

SD

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

民

-30

-

-1

-

典型值

-

-1.7

30

42

7

-0.75

1002

125

118

13

10.1

21.1

2.8

3.2

10.1

6.5

50.1

22.2

最大

-

-1.0

±100

-2.2

39

53

-

-1.0

-

单位

V

μA

nA

V

mΩ

S

V

pF

Ω

nC

ns

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= -250μA

V

DS

= -30V, V

GS

= 0V

V

GS

= ±20V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250μA

V

GS

= -10V ，我

D

= -4.3A

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -3.7A

V

DS

= -5V ，我

D

= -4.3A

V

GS

= 0V时，我

S

= -1.7A

V

DS

= -15V, V

GS

= 0V,

F = 1.0MHz的

V

DS

= 0V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

V

GS

= -4.5V/-10V, V

DS

= -15V,

I

D

= -6A

V

GS

= -10V, V

DS

= -15V,

R

G

= 6 , I

D

= -1A

5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

6.通过设计保证。不受生产测试。

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DMC3032LSD

20

V

GS

= 10V

V

GS

= 4.5V

20

V

DS

= 5V

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

= 3.5V

I

D

，漏电流（ A）

15

V

GS

= 4.0V

15

10

新产品

V

GS

= 3.0V

5

T

A

= 150°C

T

A

= 125°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

T

A

= -55°C

0

V

GS

= 2.5V

0

5

0

0.5

1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5

V

DS

，漏源电压（V ）

图。 11典型的输出特性

1

0

1

2

3

4

5

V

GS

，门源极电压（ V）

图。 12典型的传输特性

6

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

Ω

)

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

Ω

)

0.10

V

GS

= 10V

0.08

T

A

= 150°C

T

A

= 125°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

0.06

0.04

V

GS

= 4.5V

0.04

V

GS

= 10V

T

A

= -55°C

0.02

0

5

10

15

I

D

，漏源电流（A ）

图。 13典型导通电阻

与漏电流和栅极电压

20

0

5

10

15

20

I

D

，漏电流（ A）

图。 14典型的漏源导通电阻

与漏电流和温度

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

Ω

)

1.7

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0

-50

-25

0

25

50

75 100 125 150

T

J

，结温（ ° C）

图。 16导通电阻随温度的变化

V

GS

= 4.5V

I

D

= 5A

R

DS （ ON）

，漏 - 源

导通电阻（标准化）

1.5

1.3

1.1

V

GS

= 10V

I

D

= 10A

0.9

V

GS

= 4.5V

I

D

= 5A

V

GS

= 10V

I

D

= 10A

0.7

0.5

-50

-25

0

25

50

75 100 125 150

T

J

，结温（ ° C）

图。 15导通电阻随温度的变化

DMC3032LSD

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