DMC2038LVT
互补对增强型MOSFET
产品概述
设备
Q1
V
（ BR ） DSS
20V
-20V
R
DS （ ON）
35mΩ @ V
GS
= 4.5V
56mΩ @ V
GS
= 1.8V
74mΩ @ V
GS
= -4.5V
168mΩ @ V
GS
= -1.8V
I
D
T
A
= 25°C
4.5A
3.5A
3.1A
2.0A
特点
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
开关速度快
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
新产品
Q2
描述
这种MOSFET的设计，以减少通态电阻
(R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关性能，使其
适用于高效率的电源管理应用。
机械数据
案例： TSOT26
外壳材料：模压塑料， "Green"模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头
雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
终端连接指示灯：参见图
重量： 0.013克（近似值）
Q1
Q2
D2
应用
电机控制
电源管理功能
DC- DC转换器
背光
TSOT26
G1
S2
G2
1
2
3
6
5
4
D1
S1
D2
D1
G1
G2
S1
S2
顶视图
顶视图
引脚配置
N沟道
P沟道
订购信息
（注4 ）
产品型号
DMC2038LVT-7
DMC2038LVTQ-7
注意事项：
QUALI科幻阳离子
广告
汽车
例
TSOT26
TSOT26
包装
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.关于Diodes公司的免费锑， "Green"和无铅卤素 - 和定义的详细信息，请参阅http://www.diodes.com 。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
4.
用于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com 。
标识信息
31C
YM
31C =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： X = 2010）
M =月（例如： 9 =九月）
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2010
X
JAN
1
FEB
2
2011
Y
MAR
3
APR
4
2012
Z
五月
5
JUN
6
2013
A
JUL
7
2014
B
八月
8
SEP
9
2015
C
十月
O
NOV
N
2016
D
DEC
D
DMC2038LVT
文件编号： DS35417牧师4 - 2
1 10
www.diodes.com
2012年9月
Diodes公司
DMC2038LVT
最大额定值N沟道 - Q1
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
漏源电压
栅源电压
符号
V
DSS
V
GSS
稳定
状态
t<10s
稳定
状态
t<10s
最大连续体二极管正向电流（注6 ）
漏电流脉冲（ 10μs的脉冲，占空比= 1 ％ ）
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
I
D
I
D
I
D
I
D
I
S
I
DM
价值
20
±12
3.7
3.0
4.1
3.2
4.5
3.6
5.2
4.2
1.5
25
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
新产品
连续漏电流（注5 ）V
GS
= 4.5V
连续漏电流（注6 ）V
GS
= 4.5V
最大额定值P- CHANNEL - Q2
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
漏源电压
栅源电压
稳定
状态
t<10s
稳定
状态
t<10s
最大连续体二极管正向电流（注6 ）
漏电流脉冲（ 10μs的脉冲，占空比= 1 ％ ）
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
I
D
I
D
I
S
I
DM
价值
-20
±12
2.6
2.1
2.9
2.4
3.1
2.5
3.8
3.0
-1.5
-17
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
连续漏电流（注5 ）V
GS
= 4.5V
连续漏电流（注6 ）V
GS
= 4.5V
热特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
总功率耗散（注5 ）
热阻，结到环境（注5 ）
总功率耗散（注6 ）
热阻，结到环境（注6 ）
热阻，结到外壳（注6 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
稳定状态
t<10s
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
稳定状态
t<10s
P
D
R
θ
JA
P
D
R
θ
JA
R
θ
JC
T
J,
T
英镑
价值
0.8
0.5
168
120
1.1
0.7
114
72
39
-55到150
单位
W
° C / W
W
° C / W
°C
5.设备安装在FR-4基板PCB板， 2oz覆铜，以最小的推荐焊盘布局。
6.设备安装在FR-4基板的PC板， 2盎司覆铜，以1英寸方形铜板。
DMC2038LVT
文件编号： DS35417牧师4 - 2
2 10
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2012年9月
Diodes公司
DMC2038LVT
电气特性N沟道 - Q1
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
开关特性（注7 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流@T
c
= +25°C
栅源漏
基本特征（注7
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性（注8）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷（V
GS
= 4.5V)
总栅极电荷（V
GS
= 10V)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
20
-
-
0.4
-
-
-
-
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
27
33
43
9
-
400
70
65
1.9
5.7
12
0.7
1.4
5
8
25
8
最大
-
1.0
±100
1.0
35
43
56
-
1.1
530
90
100
-
-
17
-
-
10
16
40
16
单位
V
μA
nA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
=16V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 2.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 1.5A
V
DS
= 5V ，我
D
= 3.4A
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
= 15V ，我
D
= 5.8A
新产品
V
DS
= 10V, V
GS
= 4.5V,
R
G
= 6, I
DS
= 1A,
7.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
8.通过设计保证。不受产品测试。
30
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
V
GS
=3.0V
V
GS
=4.0V
20
V
DS
= 5.0V
T
A
= -55
°
C
T
A
= 85
°
C
T
A
= 150
°
C
T
A
= 25
°
C
25
I
D
，漏电流（ A）
20
V
GS
=3.5V
V
GS
=2.5V
I
D
，漏电流（ A）
15
T
A
= 125
°
C
15
V
GS
=2.0V
10
10
5
5
V
GS
=1.5V
0
0
2
0
0.5
1
1.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
极，漏极 - 源极电压（ V）
图。 1典型的输出特性
V
GS
，门源极电压（ V）
图。 2典型的传输特性
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3 10
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2012年9月
Diodes公司
QQ：2881677436 复制
