【直流分量CO 。， LTD 。RDMBT4403分立半导体作者PNP外延平面型晶体管技术规格描述专】,IC型号DMBT4403,DMBT4403 PDF资料,DMBT4403经销商,ic,电子元器件-51电子网

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直流分量CO 。， LTD 。

R

DMBT4403

分立半导体

作者PNP外延平面型晶体管技术规格

描述

专为通用交换和

放大器应用。

SOT-23

.020(0.50)

.012(0.30)

钉扎

1 - 基地

2 - 发射极

3 - 集电极

1

3

.063(1.60)

.055(1.40)

.108(0.65)

.089(0.25)

2

绝对最大额定值

(T

A

=25

o

C)

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

D

T

J

T

英镑

等级

-40

-40

-5

-600

225

+150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

o

o

.091(2.30)

.067(1.70)

.118(3.00)

.110(2.80)

.045(1.15)

.034(0.85)

.051(1.30)

.035(0.90)

.026(0.65)

.010(0.25)

.0043(0.11)

.0035(0.09)

C

.004

最大

(0.10)

.027(0.67)

.013(0.32)

C

尺寸以英寸（毫米）

电气特性

o

特征

集电极 - 基极击穿Volatge

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿Volatge

收藏家Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

(1)

（在25℃环境温度额定值除非另有说明）

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CEX

(1)

民

-40

-40

-5

-

-

-

-

-

30

60

100

100

20

200

-

2%

典型值

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

最大

-

-

-

-100

-0.4

-0.75

-0.95

-1.3

-

-

-

300

-

-

8.5

单位

V

V

V

nA

V

V

V

V

-

-

-

-

-

兆赫

pF

测试条件

I

C

=-100A

I

C

=-1mA

I

E

=-10A

V

CE

=-35V, V

EB

=-0.4V

I

C

= -150mA ，我

B

= 15毫安

I

C

= -500mA ，我

B

=-50mA

I

C

= -150mA ，我

B

=-15mA

I

C

= -500mA ，我

B

=-50mA

I

C

= -0.1mA ，V

CE

=-1V

I

C

= -1mA ，V

CE

=-1V

I

C

= -10mA ，V

CE

=-1V

I

C

= -150mA ，V

CE

=-2V

I

C

= -500mA ，V

CE

=-2V

I

C

= -20mA ，V

CE

= -10V ， F = 100MHz的

V

CB

= -10V ， F = 1MHz的

-

V

CE(sat)1

V

CE(sat)2

V

BE(sat)1

V

BE(sat)2

h

FE1

h

FE2

直流电流增益

(1)

h

FE3

h

FE4

h

FE5

跃迁频率

输出电容

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

f

T

C

ob

380μs ，占空比

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