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直流分量CO 。 , LTD 。
R
DMBT3906
分立半导体
作者PNP外延平面型晶体管技术规格
描述
专为通用交换和
放大器应用。
SOT-23
.020(0.50)
.012(0.30)
钉扎
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
1
3
.063(1.60)
.055(1.40)
.108(0.65)
.089(0.25)
2
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
等级
-40
-40
-5
-200
225
+150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
o
o
.091(2.30)
.067(1.70)
.118(3.00)
.110(2.80)
.045(1.15)
.034(0.85)
.051(1.30)
.035(0.90)
.026(0.65)
.010(0.25)
.0043(0.11)
.0035(0.09)
C
.004
最大
(0.10)
.027(0.67)
.013(0.32)
C
尺寸以英寸(毫米)
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CEX
(1)
-40
-40
-5
-
-
-
-650
-
60
80
100
60
30
250
-
2%
典型值
-
-
-
-
-
-200
-
-840
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-50
-250
-400
-850
-950
-
-
300
-
-
-
4.5
单位
V
V
V
nA
mV
mV
mV
mV
-
-
-
-
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
=-10A
I
C
=-1mA
I
E
=-10A
V
CE
=-30V, V
BE
=-3V
I
C
= -10mA ,我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ,我
B
=-5mA
I
C
= -10mA ,我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ,我
B
=-5mA
I
C
= -0.1mA ,V
CE
=-1V
I
C
= -1mA ,V
CE
=-1V
I
C
= -10mA ,V
CE
=-1V
I
C
= -50mA ,V
CE
=-1V
I
C
= -100mA ,V
CE
=-1V
I
C
= -10mA ,V
CE
= 20V , F = 100MHz的
V
CB
= -5V , F = 1MHz时,我
E
=0
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
(1)
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
h
FE1
h
FE2
直流电流增益
(1)
h
FE3
h
FE4
h
FE5
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
f
T
C
ob
380μs ,占空比
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