DMB54D0UV
N沟道增强型MOSFET PLUS PNP晶体管
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特点
N沟道MOSFET和PNP晶体管在一个封装中
低导通电阻
非常低的栅极阈值电压， 1.0V最大
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
铅，卤素和无锑，符合RoHS （注
2
)
ESD保护MOSFET栅极高达2kV的
"Green"设备（注3）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT- 563
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端连接：见图
码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
标识信息：参见第5页
订购信息：参见第5页
重量： 0.006克（近似值）
SOT-563
Q
1
D
2
B
E
Q
2
S
2
G
2
C
ESD保护门高达2kV的
顶视图
底部视图
顶视图
内部原理
最大额定值 - MOSFET（Q1）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
漏电流脉冲（注1 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
50
±12
160
560
单位
V
V
mA
mA
连续
最大额定值 - PNP晶体管， Q2
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
价值
-50
-45
-5.0
-100
单位
V
V
V
mA
热特性，器件总
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
250
500
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。卤素和无锑。
3.二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DMB54D0UV
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电气特性 - MOSFET
特征
开关特性（注2 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注2 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
民
50
0.7
180
典型值
0.8
3.1
4
25
5
2.1
最大
10
1.0
5.0
单位
V
μA
μA
V
Ω
mS
pF
pF
pF
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±8V,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 80毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 100mA时
F = 1.0kHz
1.0
4
5
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
电气特性 - PNP晶体管
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极击穿电压（注4 ）
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
发射极 - 基极击穿电压（注4 ）
直流电流增益（注4 ）
集电极 - 发射极饱和电压（注4 ）
基射极饱和电压（注4 ）
基射极电压（注4 ）
集电极截止电流（注4 ）
集电极 - 发射极截止电流
增益带宽积
输出电容
噪声系数
注意事项：
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
民
-50
-45
-5
220
—
—
—
-600
—
—
—
—
100
—
—
典型值
—
—
—
290
—
—
-700
-900
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
475
-100
-400
—
—
-750
-820
-15
-4.0
-100
—
4.5
10
单位
V
V
V
—
mV
mV
mV
nA
A
nA
兆赫
pF
dB
（注4 ）
I
CES
f
T
C
OB
NF
测试条件
I
C
= 10μA ，我
B
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 1μA ，我
C
= 0
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA
V
CB
= -30V
V
CB
= -30V ，T
A
= 150°C
V
CE
= -45V
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA ， F = 100MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1.0MHz的
I
C
= -0.2mA ，V
CE
= -5.0Vdc ，
R
S
= 2.0KΩ ， F = 1.0KHz ， BW = 200Hz的
4.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
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DMB54D0UV
PNP晶体管
1,000
T
A
= 150°C
0.5
V
CE
= 5V
I
C
I
B
= 10
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
0.4
h
FE
，直流电流增益
100
T
A
= 25°C
T
A
= -50°C
0.3
0.2
T
A
= 150°C
T
A
= 25°C
10
0.1
T
A
= -50°C
1
1
10
100
1,000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 10典型的DC电流增益与集电极电流
0
0.1
1,000
10
100
1
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 11集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
1,000
f
t
，增益带宽积（兆赫）
V
CE
= 5V
100
10
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 12典型增益带宽积与集电极电流
1
订购信息
产品型号
DMB54D0UV-7
注意事项：
（注5 ）
例
SOT-563
包装
3000 /磁带&卷轴
5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
MB2 =标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： V = 2008）
M =月（例如： 9 =九月）
MB2 YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2008
V
JAN
1
FEB
2
2009
W
MAR
3
2010
X
APR
4
五月
5
2011
Y
JUN
6
2012
Z
JUL
7
八月
8
2013
A
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
DMB54D0UV
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