DM74S473 （ 512 ×8 ）， 4096位TTL PROM
1990年11月
DM74S473
（ 512 ×8 ）， 4096位TTL PROM
概述
这肖特基存储器组织中流行的512
由8位字配置的内存使能输入是亲
单元提供控制输出状态。当该设备是烯
禁止时输出代表所选择的内容
当这个词被禁用的8个输出去的' OFF ''或高
阻抗状态
PROM的从出厂时的低点某些地区
TIONS高可被编程到任意选择的位置
通过以下所述的编程指令
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
先进的钛钨（TI -W ）保险丝
肖特基钳位高速
地址访问45 ns（最大值）
启用访问30 ns（最大值）
支持恢复30 ns（最大值）
PNP输入，降低输入装
所有的DC和AC参数保证在
温度
低压TRI -SAFE
TM
程序设计
集电极开路输出
框图
TL 9715 - 1
引脚名称
A0–A8
G
GND
Q0–Q7
V
CC
地址
OUTPUT ENABLE
地
输出
电源
TRI -SAFE
TM
是美国国家半导体公司的商标。
C
1995年全国半导体公司
TL 9715
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（注2）
输入电压（注2 ）
输出电压（注2 ）
储存温度
铅温度（焊接10秒）
待确定的ESD
b
0至5V
a
7 0V
b
1 2V至
a
5 5V
b
0至5V
a
5 5V
b
65℃，以
a
150 C
工作条件
民
电源电压（V
CC
)
广告
环境温度（T
A
)
广告
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1'， '输入电压
4 75
0
0
20
最大
5 25
a
70
单位
V
C
V
V
08
55
300 C
注1
绝对最大额定值是那些价值超过该DE-
副会永久损坏他们不意味着设备可以
在这些数值被操作
注2
这些限制对于编程编程期间不适用
评分参考编程指令
DC电气特性
（注1 ）
符号
I
IL
I
IH
参数
输入负载电流
输入漏电流
条件
民
V
CC
e
MAX V
IN
e
0 45V
V
CC
e
MAX V
IN
e
2 7V
V
CC
e
MAX V
IN
e
5 5V
V
OL
V
IL
V
IH
I
OZ
低电平输出电压
低电平输入电压
高电平输入电压
输出漏电流
（仅集电极开路）
输入钳位电压
输入电容
输出电容
电源电流
V
CC
e
MAX V
CEX
e
2 4V
V
CC
e
MAX V
CEX
e
5 5V
V
CC
e
闵我
IN
E B
18毫安
V
CC
e
5 0V V
IN
e
2 0V
T
A
e
25℃ 1兆赫
V
CC
e
5 0V V
O
e
2 0V
T
A
e
25℃ 1 MHz的输出关闭
V
CC
e
最大输入接地
所有输出开
b
0 8
DM74S473
典型值
b
80
单位
最大
b
250
mA
mA
mA
V
V
V
25
10
0 35
0 45
0 80
20
50
100
b
1 2
V
CC
e
闵我
OL
e
16毫安
mA
mA
V
pF
pF
V
C
C
I
C
O
I
CC
40
60
110
155
mA
注1
这些限制适用于整个工作范围内，除非另有说明，否则所有典型值是V
CC
e
5 0V和T
A
e
25 C
3
AC电气特性
商用温度范围
（0 ℃至
a
70 C)
符号
TAA
茶
TER
TZX
TXZ
JEDEC
符号
tAVQV
TEVQV
TEXQX
TEVQX
TEXQZ
参数
与标准负载和工作条件
DM74S473
民
典型值
40
15
15
15
15
最大
60
30
30
30
30
民
DM74S473A
典型值
25
15
15
15
15
最大
45
30
30
30
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
地址访问时间
启用访问时间
使恢复时间
输出使能时间
输出禁止时间
功能说明
可测性
肖特基PROM的模具包括额外的行和列
可熔合的链接，用于测试每个芯片的可编程性
这些测试熔断器被放置在最坏情况下的芯片的位置
提供尽可能高的信心编程
明试验中的最终产物。ROM模式也是per-
manently固定在所述的附加电路和编码，以亲
韦迪输入的地址层次的奇偶校验这些和其他
测试电路，用于测试该行的正确操作
和列选择电路和输入和恩的功能
能够控制所有的测试电路提供晶圆在和
组装设备的水平，让100 ％的功能和对位
度量测试的测试流程的每个阶段
可靠性
与所有国家的产品在Ti -W PROM的是标的
编辑由可靠性AS-一个持续的可靠性评价
surance系这些评价采用accelerat-
ED寿命测试，包括动态高温工作
生活中温湿度的生活温度循环和热敏
发作性休克至今近700 4000000肖特基的Ti -W PROM
器件小时已记录与环氧乙样本
成型DIP （N -包） PLCC （ V-封装）和CERIP （ J-
在所有的封装配置包）设备性能
是优秀的
钛钨保险丝
美国国家半导体的可编程只读存储器（ PROM中）
特征titanuim - 钨（钛钨），目的是亲熔断
克效率只有10 5V应用的高perform-
ANCE这些PROM中的可靠性是fabrica-的结果
化用肖特基双极工艺使钛的
钨金属化是不可缺少的一部分，并使用一个
片上编程电路
钛，钨保险丝技术的一个主要优点
是熔丝连接的低编程电压在10 5V
这实质上消除了对保护环的设备和
需要其他保险丝技术护理宽间距
然而，考虑到最大限度地降低芯片的电压降
并减少寄生效应的装置，目的是确保
在最差情况下的保险丝工作电流足够低的
长期可靠运行的达林顿编程
电路设计宽松，以保证足够的功率密度
吹熔丝链完整的电路设计
优化，以提供高的性能在整个能操作
第五阿婷范围
CC
和温度
4
DM74S473 （ 512 ×8 ）， 4096位TTL PROM
1990年11月
DM74S473
（ 512 ×8 ）， 4096位TTL PROM
概述
这肖特基存储器组织中流行的512
由8位字配置的内存使能输入是亲
单元提供控制输出状态。当该设备是烯
禁止时输出代表所选择的内容
当这个词被禁用的8个输出去的' OFF ''或高
阻抗状态
PROM的从出厂时的低点某些地区
TIONS高可被编程到任意选择的位置
通过以下所述的编程指令
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
先进的钛钨（TI -W ）保险丝
肖特基钳位高速
地址访问45 ns（最大值）
启用访问30 ns（最大值）
支持恢复30 ns（最大值）
PNP输入，降低输入装
所有的DC和AC参数保证在
温度
低压TRI -SAFE
TM
程序设计
集电极开路输出
框图
TL 9715 - 1
引脚名称
A0–A8
G
GND
Q0–Q7
V
CC
地址
OUTPUT ENABLE
地
输出
电源
TRI -SAFE
TM
是美国国家半导体公司的商标。
C
1995年全国半导体公司
TL 9715
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（注2）
输入电压（注2 ）
输出电压（注2 ）
储存温度
铅温度（焊接10秒）
待确定的ESD
b
0至5V
a
7 0V
b
1 2V至
a
5 5V
b
0至5V
a
5 5V
b
65℃，以
a
150 C
工作条件
民
电源电压（V
CC
)
广告
环境温度（T
A
)
广告
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1'， '输入电压
4 75
0
0
20
最大
5 25
a
70
单位
V
C
V
V
08
55
300 C
注1
绝对最大额定值是那些价值超过该DE-
副会永久损坏他们不意味着设备可以
在这些数值被操作
注2
这些限制对于编程编程期间不适用
评分参考编程指令
DC电气特性
（注1 ）
符号
I
IL
I
IH
参数
输入负载电流
输入漏电流
条件
民
V
CC
e
MAX V
IN
e
0 45V
V
CC
e
MAX V
IN
e
2 7V
V
CC
e
MAX V
IN
e
5 5V
V
OL
V
IL
V
IH
I
OZ
低电平输出电压
低电平输入电压
高电平输入电压
输出漏电流
（仅集电极开路）
输入钳位电压
输入电容
输出电容
电源电流
V
CC
e
MAX V
CEX
e
2 4V
V
CC
e
MAX V
CEX
e
5 5V
V
CC
e
闵我
IN
E B
18毫安
V
CC
e
5 0V V
IN
e
2 0V
T
A
e
25℃ 1兆赫
V
CC
e
5 0V V
O
e
2 0V
T
A
e
25℃ 1 MHz的输出关闭
V
CC
e
最大输入接地
所有输出开
b
0 8
DM74S473
典型值
b
80
单位
最大
b
250
mA
mA
mA
V
V
V
25
10
0 35
0 45
0 80
20
50
100
b
1 2
V
CC
e
闵我
OL
e
16毫安
mA
mA
V
pF
pF
V
C
C
I
C
O
I
CC
40
60
110
155
mA
注1
这些限制适用于整个工作范围内，除非另有说明，否则所有典型值是V
CC
e
5 0V和T
A
e
25 C
3
AC电气特性
商用温度范围
（0 ℃至
a
70 C)
符号
TAA
茶
TER
TZX
TXZ
JEDEC
符号
tAVQV
TEVQV
TEXQX
TEVQX
TEXQZ
参数
与标准负载和工作条件
DM74S473
民
典型值
40
15
15
15
15
最大
60
30
30
30
30
民
DM74S473A
典型值
25
15
15
15
15
最大
45
30
30
30
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
地址访问时间
启用访问时间
使恢复时间
输出使能时间
输出禁止时间
功能说明
可测性
肖特基PROM的模具包括额外的行和列
可熔合的链接，用于测试每个芯片的可编程性
这些测试熔断器被放置在最坏情况下的芯片的位置
提供尽可能高的信心编程
明试验中的最终产物。ROM模式也是per-
manently固定在所述的附加电路和编码，以亲
韦迪输入的地址层次的奇偶校验这些和其他
测试电路，用于测试该行的正确操作
和列选择电路和输入和恩的功能
能够控制所有的测试电路提供晶圆在和
组装设备的水平，让100 ％的功能和对位
度量测试的测试流程的每个阶段
可靠性
与所有国家的产品在Ti -W PROM的是标的
编辑由可靠性AS-一个持续的可靠性评价
surance系这些评价采用accelerat-
ED寿命测试，包括动态高温工作
生活中温湿度的生活温度循环和热敏
发作性休克至今近700 4000000肖特基的Ti -W PROM
器件小时已记录与环氧乙样本
成型DIP （N -包） PLCC （ V-封装）和CERIP （ J-
在所有的封装配置包）设备性能
是优秀的
钛钨保险丝
美国国家半导体的可编程只读存储器（ PROM中）
特征titanuim - 钨（钛钨），目的是亲熔断
克效率只有10 5V应用的高perform-
ANCE这些PROM中的可靠性是fabrica-的结果
化用肖特基双极工艺使钛的
钨金属化是不可缺少的一部分，并使用一个
片上编程电路
钛，钨保险丝技术的一个主要优点
是熔丝连接的低编程电压在10 5V
这实质上消除了对保护环的设备和
需要其他保险丝技术护理宽间距
然而，考虑到最大限度地降低芯片的电压降
并减少寄生效应的装置，目的是确保
在最差情况下的保险丝工作电流足够低的
长期可靠运行的达林顿编程
电路设计宽松，以保证足够的功率密度
吹熔丝链完整的电路设计
优化，以提供高的性能在整个能操作
第五阿婷范围
CC
和温度
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