DM74LS670 3 -STATE 4× 4寄存器文件
1986年8月
修订后的2000年3月
DM74LS670
3 -STATE 4× 4寄存器文件
概述
这些寄存器文件组织成4个字的4位
每个，以及独立的片解码提供了一种用于
针对这四个词的位置要么写在或
检索数据。这允许写入到一个位置，并
从另一个字位置读出，同时进行。
四个数据输入可用来提供字是
存储。字的位置由写确定
选择输入A和B ，结合一个写使能
信号。加在输入的数据应该是其真正形式。
也就是说，如果一个高电平信号从输出端，所期望的
高电平被施加于数据输入的该特定位
位置。该锁存器的输入被设置，使得新的数据
仅当两个内部地址门输入端将被接受
是HIGH 。当满足此条件时，在D的输入数据是
传送到锁存器的输出。当写使能
输入，G
W
，为高时，数据输入被禁止，其
级别可能会导致存储在该信息没有变化
内部锁存器。当读使能输入，G
R
，为HIGH
数据输出被抑制，进入高阻抗
ANCE状态。
个人地址线允许直接收购
存储在锁存器中的任何四个数据。四个人
解码栅极被用于完成地址读
荷兰国际集团的单词。当读出地址是由结合
用读出使能信号，字出现在四个
输出。
这样的安排，数据录入处理分开
数据读取寻址和个人意义上线 - 消除
纳茨恢复时间，允许同时读取和
写作，是在有限的速度只写时间（ 27纳秒
典型值），阅读时间（ 24 ns的典型值） 。寄存器文件
已经在该数据的非易失性读出不丢失时
解决。
所有输入（除读使能和写使能）是缓冲的
ERED降低驱动要求一个正常的系列
DM74LS负载和输入钳位二极管减少开关
荷兰国际集团瞬态简化了系统设计。高速， dou-
BLE结束与或反转门采用的
读地址的功能，并具有较高的灌电流， 3 -STATE
输出。到这些输出128可以是有线和反对
连接的用于增加容量可达512个字。任何
这些寄存器的数目可以并联，以提供正
位字长。
特点
s
用作：
暂存器
处理器之间的缓冲存储器
位存储在快速乘法设计
s
单独的读/写寻址允许同时进行
阅读和写作
s
组织成4个字的4位
s
可扩展到n位的512个字
s
DM74LS170的3态版本
s
快速存取时间为20ns （典型值）
订购代码：
订单号
DM74LS670M
DM74LS670N
包装数
M16A
N16E
包装说明
16引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150窄
16引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ，宽0.300
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
2000仙童半导体公司
DS006436
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DM74LS670
接线图
功能表
写表
写输入
W
B
L
L
H
H
X
W
A
L
H
L
H
X
G
W
L
L
L
L
H
0
Q
=
D
Q
0
Q
0
Q
0
Q
0
1
Q
0
Q
=
D
Q
0
Q
0
Q
0
（注1 ） （注2 ）
字
2
Q
0
Q
0
Q
=
D
Q
0
Q
0
3
Q
0
Q
0
Q
0
Q
=
D
Q
0
L
L
H
H
X
读表
读取输入
R
B
R
A
L
H
L
H
X
G
R
L
L
L
L
H
（注3）
输出
Q1
WOB1
W1B1
W2B1
W3B1
Z
Q2
WOB2
W1B2
W2B2
W3B2
Z
Q3
WOB3
W1B3
W2B3
W3B3
Z
Q4
WOB4
W1B4
W2B4
W3B4
Z
H
=
高层
L
=
低层
X
=
不在乎
Z
=
高阻抗（关）
注1 ：
(Q
=
D)
=
四个选择的内部触发器输出将承担应用到四个外部数据输入的状态。
注2 ：
Q
0
=
建立了Q的指示的输入条件前的水平。
注3 ：
WOB1
=
字0等的第一位
逻辑图
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DM74LS670
绝对最大额定值
（注4 ）
电源电压
输入电压
工作自由空气的温度范围
存储温度范围
7V
7V
0℃至
+70°C
65°C
to
+150°C
注4 ：
“绝对最大额定值”，超出该值的
该装置的安全性不能得到保证。该设备不应该
在这些限制操作。在电气定义的参数值
特性表不能保证在绝对最大额定值。
“推荐工作条件”表将定义的条件
器件的实际工作。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
t
W
t
SU
t
H
t
LATCH
T
A
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
写使能脉冲宽度（注5 ）
建立时间
（注5 ） （注6 ）
保持时间
（注5 ） （注6 ）
数据
W
A
, W
B
数据
W
A
, W
B
25
10
15
15
5
25
0
70
参数
民
4.75
2
0.8
2.6
24
喃
5
最大
5.25
单位
V
V
V
mA
mA
ns
ns
ns
ns
°C
锁定时间为新的数据（注5 ） （注7 ）
自由空气工作温度
注5 ：
T
A
=
25° C和V
CC
=
5V.
注6 ：
时间就写使能输入。写选择时间将保护写入到以前的地址数据。如果保护的数据
以前的地址，T
格局
(W
A
, W
B
）可以忽略不计。任何地址选择持续的最后30 ns的写使能脉冲和T时
H
(W
A
, W
B
)
将导致数据被写入到该位置。根据输入的条件的持续时间，一个或若干先前的地址可能已被
写入。
注7 ：
锁定时间是允许的锁存器的内部输出假设的新数据的状态的时间。这是试图从读取，只有当重要
该位置后的位置已经接收到新数据。
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DM74LS670
电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明）
符号
V
I
V
OH
V
OL
I
I
参数
输入钳位电压
高层
输出电压
低层
输出电压
输入电流最大@
输入电压
I
IH
高层
输入电流
I
IL
低层
输入电流
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
CC
关态输出电流
关态输出电流
短路输出电流
电源电流
条件
V
CC
=
分钟，我
I
= 18
mA
V
CC
=
分钟，我
OH
=
最大
V
IL
=
马克斯，V
IH
=
民
V
CC
=
分钟，我
OL
=
最大
I
OL
=
马克斯，V
IH
=
民
V
CC
=
最大
V
I
=
7V
V
CC
=
最大
V
I
=
2.7V
V
CC
=
最大
V
I
=
0.4V
V
CC
=
马克斯，V
O
=
2.7V
V
CC
=
马克斯，V
O
=
0.4V
V
CC
=
马克斯（注9 ）
V
CC
=
马克斯（注10 ）
20
30
D，R或W
G
W
G
R
D，R或W
G
W
G
R
D，R或W
G
W
G
R
高电平输出电压V的应用
IH
=
分钟，V
IL
=
最大
低电平输出电压V的应用
IH
=
分钟，V
IL
=
最大
2.4
3.4
0.34
0.5
0.1
0.2
0.3
20
40
60
0.4
0.8
1.2
20
20
100
50
A
A
mA
mA
mA
A
mA
民
典型值
（注8）
最大
1.5
单位
V
V
V
注8 ：
所有标准被定在V
CC
=
5V ，T
A
=
25°C.
注9 ：
不超过一个的输出应在同一时间被短路，并且持续时间应不超过一秒钟。
注10 ：
I
CC
测量与4.5V适用于所有的数据输入和两个使能输入，所有的地址输入接地，所有的输出为开。
开关特性
在V
CC
=
5V和T
A
=
25°C
R
L
=
667
符号
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
参数
传播延迟时间
低到高电平输出
传播延迟时间
高到低电平输出
传播延迟时间
低到高电平输出
传播延迟时间
高到低电平输出
传播延迟时间
低到高电平输出
传播延迟时间
高到低电平输出
输出使能时间
高电平输出
输出使能时间
为低电平输出
输出禁止时间从
高电平输出（注11 ）
输出禁止时间从
低电平输出（注11 ）
注11 ：
C
L
=
5 pF的。
从（输入）
到（输出）
阅读选择Q
阅读选择Q
写使能以Q
写使能以Q
数据Q
数据Q
读使能以任何Q
读使能以任何Q
读使能以任何Q
读使能以任何Q
C
L
=
45 pF的
民
最大
40
45
45
50
45
40
35
40
50
35
C
L
=
150 pF的
民
最大
50
55
55
60
55
50
45
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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DM74LS670
物理尺寸
英寸（毫米），除非另有说明
16引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150窄
包装数M16A
5
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