54LS256 DM74LS256双4位可寻址锁存器
1989年6月
54LS256 DM74LS256
双4位可寻址锁存器
概述
在“ LS256是一款双4位可寻址锁存器与普通
控制输入其中包括两个地址输入（ A0 A1 ）
一个低电平有效使能输入（ E）和低电平有效清除
输入（CL）的每个锁存器具有一个数据输入端（ D）和四个输出
(Q0–Q3)
当使能（ E）为HIGH和清除输入（CL）是
LOW所有输出（ Q0 - Q3 ）的低双4通道demul-
发生路分离时的CL和E都为低时
CL为高电平，E是低所选的输出（ Q0 -Q3 ）
由地址输入确定如下时电子
变高锁存器的内容被存储在OP-
在可寻址锁存模式展业务（E
e
LOW CL
e
高）变化的地址一个以上的位（A0 A1）的
可能因此，这种强加一个短暂错误的地址
应该只，而在内存模式下进行（E
e
CL
e
HIGH ）
特点
Y
Y
Y
Y
Y
串行到并行能力
从每个存储位可用的输出
随机的（寻址）数据录入
易于扩展
低电平有效普通清晰
接线图
双列直插式封装
逻辑符号
TL F 9823-1
订单号54LS256DMQB
54LS256FMQB或DM74LS256N
见NS包装数J16A
N16E或W16A
引脚名称
A0 A1
D
a
D
b
E
CL
Q0
a
–Q
3
a
Q0
b
–Q
3
b
描述
TL F 9823 - 2
V
CC
e
PIN码16
GND
e
引脚8
常见的地址输入
数据输入
常见的使能输入（低电平有效）
有条件的清除输入（低电平有效）
A面锁存器输出
B面锁存器输出
C
1995年全国半导体公司
TL F 9823
RRD - B30M115印制在U S A
绝对最大额定值
（注）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压
输入电压
7V
7V
记
在' '绝对最大额定值''是那些价值
超出该设备的安全不能瓜拉尼
开球设备不应该在这些限制的操作
在“ ”电气特性''定义的参数值
表中不能保证在绝对最大额定值
在“”推荐工作条件' '表将定义
器件的实际工作条件
工作自由空气的温度范围
b
55 ℃
a
125 C
54LS
DM74LS
0 ℃
a
70 C
存储温度范围
b
65℃，以
a
150 C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
T
A
t
s
(H)
t
h
(H)
t
s
(L)
t
h
(L)
t
s
(H)
t
s
(L)
t
w
(L)
参数
民
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
自由空气工作温度
建立时间高D
n
到E
保持时间高D
n
到E
建立时间D越低
n
到E
保持时间D越低
n
到E
建立时间高或低
A
n
到E
E脉冲宽度低
b
55
54LS256
喃
5
最大
55
民
4 75
2
07
b
0 4
DM74LS256
喃
5
最大
5 25
单位
V
V
08
b
0 4
45
2
V
mA
mA
C
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
125
0
20
0
15
0
0
17
8
70
20
0
15
0
0
17
电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明）
符号
V
I
V
OH
V
OL
参数
输入钳位电压
高电平输出
电压
低电平输出
电压
条件
V
CC
e
闵我
I
E B
18毫安
V
CC
e
闵我
OH
e
最大
V
IL
e
最大
V
CC
e
闵我
OL
e
最大
V
IH
e
民
I
OL
e
4毫安V
CC
e
民
I
I
I
IH
I
IL
I
OS
I
CC
输入电流
输入电压
最大
V
CC
e
MAX V
I
e
10V
V
CC
e
MAX V
I
e
2 7V
V
CC
e
MAX V
I
e
0 4V
V
CC
e
最大
（注2 ）
V
CC
e
最大
54LS
DM74
54LS
DM74
DM74
输入
E
输入
E
低电平输入电流
输入
E
短路
输出电流
电源电流
54LS
DM74
b
20
b
20
民
典型值
（注1 ）
最大
b
1 5
单位
V
V
25
27
34
04
0 35
0 25
05
04
01
02
20
40
b
0 4
b
0 8
b
100
b
100
V
mA
高电平输入电流
mA
mA
mA
mA
25
注1
所有标准被定在V
CC
e
5V牛逼
A
e
25 C
注2
不超过一个的输出应在同一时间被短路和持续时间应不超过1秒
3
54LS256 DM74LS256双4位可寻址锁存器
1989年6月
54LS256 DM74LS256
双4位可寻址锁存器
概述
在“ LS256是一款双4位可寻址锁存器与普通
控制输入其中包括两个地址输入（ A0 A1 ）
一个低电平有效使能输入（ E）和低电平有效清除
输入（CL）的每个锁存器具有一个数据输入端（ D）和四个输出
(Q0–Q3)
当使能（ E）为HIGH和清除输入（CL）是
LOW所有输出（ Q0 - Q3 ）的低双4通道demul-
发生路分离时的CL和E都为低时
CL为高电平，E是低所选的输出（ Q0 -Q3 ）
由地址输入确定如下时电子
变高锁存器的内容被存储在OP-
在可寻址锁存模式展业务（E
e
LOW CL
e
高）变化的地址一个以上的位（A0 A1）的
可能因此，这种强加一个短暂错误的地址
应该只，而在内存模式下进行（E
e
CL
e
HIGH ）
特点
Y
Y
Y
Y
Y
串行到并行能力
从每个存储位可用的输出
随机的（寻址）数据录入
易于扩展
低电平有效普通清晰
接线图
双列直插式封装
逻辑符号
TL F 9823-1
订单号54LS256DMQB
54LS256FMQB或DM74LS256N
见NS包装数J16A
N16E或W16A
引脚名称
A0 A1
D
a
D
b
E
CL
Q0
a
–Q
3
a
Q0
b
–Q
3
b
描述
TL F 9823 - 2
V
CC
e
PIN码16
GND
e
引脚8
常见的地址输入
数据输入
常见的使能输入（低电平有效）
有条件的清除输入（低电平有效）
A面锁存器输出
B面锁存器输出
C
1995年全国半导体公司
TL F 9823
RRD - B30M115印制在U S A
绝对最大额定值
（注）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压
输入电压
7V
7V
记
在' '绝对最大额定值''是那些价值
超出该设备的安全不能瓜拉尼
开球设备不应该在这些限制的操作
在“ ”电气特性''定义的参数值
表中不能保证在绝对最大额定值
在“”推荐工作条件' '表将定义
器件的实际工作条件
工作自由空气的温度范围
b
55 ℃
a
125 C
54LS
DM74LS
0 ℃
a
70 C
存储温度范围
b
65℃，以
a
150 C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
T
A
t
s
(H)
t
h
(H)
t
s
(L)
t
h
(L)
t
s
(H)
t
s
(L)
t
w
(L)
参数
民
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
自由空气工作温度
建立时间高D
n
到E
保持时间高D
n
到E
建立时间D越低
n
到E
保持时间D越低
n
到E
建立时间高或低
A
n
到E
E脉冲宽度低
b
55
54LS256
喃
5
最大
55
民
4 75
2
07
b
0 4
DM74LS256
喃
5
最大
5 25
单位
V
V
08
b
0 4
45
2
V
mA
mA
C
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
125
0
20
0
15
0
0
17
8
70
20
0
15
0
0
17
电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明）
符号
V
I
V
OH
V
OL
参数
输入钳位电压
高电平输出
电压
低电平输出
电压
条件
V
CC
e
闵我
I
E B
18毫安
V
CC
e
闵我
OH
e
最大
V
IL
e
最大
V
CC
e
闵我
OL
e
最大
V
IH
e
民
I
OL
e
4毫安V
CC
e
民
I
I
I
IH
I
IL
I
OS
I
CC
输入电流
输入电压
最大
V
CC
e
MAX V
I
e
10V
V
CC
e
MAX V
I
e
2 7V
V
CC
e
MAX V
I
e
0 4V
V
CC
e
最大
（注2 ）
V
CC
e
最大
54LS
DM74
54LS
DM74
DM74
输入
E
输入
E
低电平输入电流
输入
E
短路
输出电流
电源电流
54LS
DM74
b
20
b
20
民
典型值
（注1 ）
最大
b
1 5
单位
V
V
25
27
34
04
0 35
0 25
05
04
01
02
20
40
b
0 4
b
0 8
b
100
b
100
V
mA
高电平输入电流
mA
mA
mA
mA
25
注1
所有标准被定在V
CC
e
5V牛逼
A
e
25 C
注2
不超过一个的输出应在同一时间被短路和持续时间应不超过1秒
3
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