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42-DL221
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发行日期
文件名
总页数
: A.005
: 2004/03/02
SP- DL221 - A.005.doc
:6
光纤发射IC
新竹市科學園區展業一路
9
7
樓之 1
点晶科技股份有限公司。
9-7F - 1 ,繁荣路一,科学工业园区,
新竹,台湾300 ,中华民国
Fax:886-3-5645626
Tel:886-3-5645656
點晶科技股½有限公司
点晶科技股份有限公司。
42-DL221
42-DL221
光纤发射IC
概述
42 - DL221是一个驱动器IC设计用于高速光纤的应用
传输。它集成了LED驱动器,恒流输出,以减少复杂性
和发射模块的成本。 42 - DL221可以用速度高达25MB / s的传输。
42 - DL221通过使用CMOS技术具有低功率消耗的目的制造。
特点
1. TTL接口兼容
2.高速(高达25MB / s)的
3.均匀的输出波形
4.恒流输出
5.低功耗
6.宽范围电源电压( 2.7V - 5.5V )
框图及应用电路
动力
42-DL221
VDD
OUT
信号
IN
VSS
SP-DL221-A.005.doc
-1-
VERSION
A.005
點晶科技股½有限公司
点晶科技股份有限公司。
42-DL221
绝对最大额定值
电源电压
输入电压
工作温度
储存温度
静电损坏
输出电压
符号
V
DD
V
IN
TOPR
TSTG
ESD
V
OUT
等级
-0.5到+6.5
-0.5到V
DD
+0.5
-40至+85
-55到+100
HBM 3级
-0.5到V
DD
+0.5
V
单位
V
V
推荐工作条件
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
符号
V
DD
V
IH
V
IL
分钟。
2.7
2
0
典型值。
-
-
-
MAX 。 UNIT
5.5
V
DD
0.8
V
V
V
电气特性(V
DD
= 5V , TA = 25 ℃ ,如果没有提到)
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏电流
静态电源电流
输出吸收电流
输出偏置电流
传播延迟
上升时间,下降时间
I
OUT
脉冲宽度失真
符号
V
IH
V
IL
I
IN
I
DDQ
I
OUT =开
I
B
T
PLH
, T
PHL
条件
-
-
V
IN
=V
DD
或V
SS
V
IN
=V
DD
V
IN
=V
DD
V
逃离
=
1.8V
V
OUT
= V
DD
V
IN
=V
SS
V
逃离
=
1.8V
分钟。
2.0
0
-
-
2.4
-
-
典型值。
-
-
-
0.5
3
0.14
-
MAX 。 UNIT
V
DD
0.8
1
-
3.6
-
40
V
V
uA
mA
mA
mA
ns
T
r
, T
f
Δ
tw
Δ
tj
V
逃离
=
1.8V
-
-
9
ns
V
逃离
=
1.8V
-8
0
8
ns
输出电流的抖动
V
逃离
=
1.8V
NRZ码,
V
逃离
=
1.8V
1
-
ns
数据速率
F
数据
-
-
25
Mb / s的
SP-DL221-A.005.doc
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VERSION
A.005
點晶科技股½有限公司
点晶科技股份有限公司。
42-DL221
PAD说明
垫号
1
2
3
4
垫名称
IN
VDD
OUT
VSS
说明
输入垫(高电平有效)
电源电压
输出焊盘灌入电流(低电平有效)
模具结构
(522.2, 499.6)
IN
2
VDD
中心( 93.6 , 406 )
1
IN
中心( 363.8 , 406 )
3
OUT
中心( 151 , 99.8 )
4
VSS
中心( 427.9,101.2 )
(0, 0)
单位: UM
模具尺寸: 522.2 * 499.6um
模具厚度: 15密耳( ≒ 375um )
垫尺寸: 100um的* 100um的
*注意:
SITI保留改进的设备的几何形状和制造权
流程,恕不另行通知。尽管这些改进可能会导致
轻微的几何形状的变化,不会影响芯片的电气特性
和垫布局。
SP-DL221-A.005.doc
-3-
VERSION
A.005
點晶科技股½有限公司
点晶科技股份有限公司。
42-DL221
要求晶圆交付
材料:硅与p衬底
直径: 6英寸( ≒ 15cm)的距离
厚度: 15密耳( ≒ 375um )
发生故障的芯片:标有红墨水或同等标记
操作处置建议书静电防护
( 1 )避免产生静电任何情况下,如摩擦塑胶,期间
移动,存储和处理42 - DL221 。
(2 )处理42 - DL221在洁净室用适当的温度和湿度。
( 3 )地面所有工作的机器和工人要穿防静电环在对地
处理。
( 4 )避免接触42 - DL221赤手。如果unavoided ,穿防静电环和使用
防静电工具,把它捡起来。
GUARANTED温度和保留周期
( 1)设备/晶片42 - DL221应存放在含氮胸部。该建议的条件
如下:
温度为23 ± 3 ℃
相对湿度= 50 ± 10%的
最小氮气流入= 3升/分
(2)如果该设备/晶片, 42 - DL221被捎带暴露在空气中,将其用于一旦制造
成为可能。
(3 )根据在(1)项规定的存储环境中, 6个月的安全储存期
保证。
SP-DL221-A.005.doc
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A.005
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DL221
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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