DKV6522
硅超突变调谐变容二极管
描述：
该
ASI DKV6522
是一种离子
注入硅超突变调谐
变容二极管专为八度调
高达500兆赫。
功能包括：
C
T4
= 50 pF的名义
密封玻璃封装
封装形式DO- 7
最大额定值
I
V
P
DISS
T
J
T
英镑
50毫安
8.0 V
250毫瓦@ T
C
= 25 °C
-55 ° C至+125°C
-55 ° C至+175 ℃，
特征
符号
V
B
I
R
C
T
Q
Tsold
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 2.5 V
V
R
= 4.0 V
V
R
= 4.0 V
T
C
= 25 °C
无
测试条件
最低
8.0
典型
最大
250
单位
V
nA
pF
F = 1.0 MHz的
6.2
45
100
7.2
55
F = 50MHz的
T = 5.0秒。
+230
O
C
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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硅超突变调谐变容二极管
描述：
该
ASI DKV6522
是一种离子
注入硅超突变调谐
变容二极管专为八度调
高达500兆赫。
功能包括：
C
T4
= 50 pF的名义
密封玻璃封装
封装形式DO- 7
最大额定值
I
V
P
DISS
T
J
T
英镑
50毫安
8.0 V
250毫瓦@ T
C
= 25 °C
-55 ° C至+125°C
-55 ° C至+175 ℃，
特征
符号
V
B
I
R
C
T
Q
Tsold
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 2.5 V
V
R
= 4.0 V
V
R
= 4.0 V
T
C
= 25 °C
无
测试条件
最低
8.0
典型
最大
250
单位
V
nA
pF
F = 1.0 MHz的
6.2
45
100
7.2
55
F = 50MHz的
T = 5.0秒。
+230
O
C
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
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