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DIP2450-01D3
2 G / 5 g无线双工器
数据表
生产数据
特点
■
■
■
■
在通带内插入损耗低
高衰减水平
高抑制的频带外的频率
占地面积小： <1.4毫米
2
好处
■
■
■
■
■
非常低调（ <600微米回流后）
高Q值，低损耗
高射频性能
紧公差
材料和面积减少的法案
图1 。
覆晶封装4颠簸
引脚配置（凹凸视图）
应用
■
■
■
■
1
5G
2
2G
A
WLAN
蓝牙
手机应用
无线网络
蚂蚁
GND
B
描述
该双工器针对使用双频段2.4 GHz的的
和5 GHz 。该DIP2450-01D3是双工器
专用于WLAN / BT的应用。
它是利用意法半导体IPD设计
关于非（集成无源器件）技术
导电玻璃基板，以优化射频
性能。
2012年6月
这是在满负荷生产一个产品信息。
文档编号023193版本1
1/10
www.st.com
10
特征
DIP2450-01D3
1
表1中。
符号
P
AV
V
ESD
天线
和2G
端口
T
OP
特征
A
bsolute评级（极限值）
价值
参数
分钟。
平均功率
ESD额定值：
MIL STD883C （ HBM ： C = 100 pF的， R = 1.5 kΩ的，空气放电）
带电器件模型（ CDM）
机器模型（ MM ： C = 200 pF的， R = 25
Ω,
L = 500 NH）
工作温度范围
典型值。
马克斯。
27
DBM
单位
400
500
100
-40
+85
V
C
表2中。
符号
电气特性和射频性能（T
AMB
= 25 °C)
价值
参数
测试条件
分钟。
通带
2 G带通
2400
4900
50
所有端口
2 G以天线插入损耗
5 G将天线插入损耗
2400至2483.5兆赫
4900至5850兆赫
衰减
0.6
0.6
-17
0.7
0.7
2483.5
5850
兆赫
兆赫
Ω
dB
dB
dB
典型值。
马克斯。
单位
f
5 G带通
Z
回波损耗
S21
S31
标称阻抗
S21
S31
2 G以天线衰减
5 G将天线衰减
4900至5850兆赫
2400至2483.5兆赫
带外衰减的
5850至7000兆赫
20
18
dB
dB
15
9
16
11
dB
dB
S21
2 G以天线衰减
7000至9500兆赫
9800到10500兆赫
S31
5 G将天线衰减
9800到11650兆赫
2/10
文档编号023193版本1
DIP2450-01D3
特征
1.1
图2中。
实测性能
2 G和地下5正向传输
(T
AMB
= 25 °C)
网络连接gure 3 。
2 G， 5 G和天线反射
系数（T
AMB
= 25 °C)
0
-10
-20
-30
-40
S21和S31 （ dB）的
0
-5
-10
-15
S21 （ 2 G
≥
蚂蚁）
S31 （5克
≥
蚂蚁）
-20
-25
S11 ， S22和S33 （ dB）的
S11 （ ANT ）
S22 （ 2 G）
S33 （ 5克）
-50
F（千兆赫）
-60
0
2
4
6
8
10
12
-30
-35
0
2
4
6
8
F（千兆赫）
10
12
图4中。
S21(dB)
2 G插入损耗（T
AMB
= 25 °C)
图5中。
S21(dB)
2 G的衰减在5 G带
(T
AMB
= 25 °C)
-0.40
-0.45
-0.50
-0.55
-0.60
-0.65
-0.70
-10
-20
-30
-40
-50
-60
F（千兆赫）
-70
2.50
F（千兆赫）
4.9
5.1
5.3
5.5
5.7
5.9
2.40
2.42
2.44
2.46
2.48
图6 。
S21(dB)
2 G衰减中高频
带（T
AMB
= 25 °C)
图7 。
S22(dB)
2 G的回波损耗（T
AMB
= 25 °C)
-0
-10
-10
-15
-20
-30
-40
-25
-50
-60
5
6
7
8
9
10
F（千兆赫）
11
12
-30
2.40
2.42
2.44
2.46
F（千兆赫）
2.48
2.50
-20
文档编号023193版本1
3/10
特征
DIP2450-01D3
网络连接gure 8 。
S11(dB)
在2 G波段天线的回波损耗
(T
AMB
= 25 °C)
图9 。
S11(dB)
5 G带天线的回波损耗
(T
AMB
= 25 °C)
-10
-10
-15
-15
-20
-20
-25
F（千兆赫）
2.40
2.42
2.44
2.46
2.48
2.50
-25
F（千兆赫）
4.9
5.1
5.3
5.5
5.7
5.9
-30
-30
图10.地下5插入损耗（T
AMB
= 25 °C)
S31(dB)
图11.地下5衰减2 G带
(T
AMB
= 25 °C)
-10
-20
-30
-40
-50
-60
S31(dB)
-0.40
-0.45
-0.50
-0.55
-0.60
-0.65
-0.70
F（千兆赫）
4.9
5.1
5.3
5.5
5.7
5.9
-70
2.40
2.42
2.44
2.46
F（千兆赫）
2.48
2.50
图12.地下5衰减高频
带（T
AMB
= 25 °C)
-0
-10
S31(dB)
图13.地下5回波损耗（T
AMB
= 25 °C)
S33(dB)
-10
-15
-20
-30
-40
-25
-50
-60
5
6
7
8
9
10
F（千兆赫）
11
12
-30
4.9
5.1
5.3
5.5
5.7
F（千兆赫）
5.9
-20
4/10
文档编号023193版本1
DIP2450-01D3
特征
图14. 2至5g隔离（T
AMB
= 25 °C)
S23 （ dB）的
图15. 2至5g隔离在2 G带
(T
AMB
= 25 °C)
-15
S23(dB)
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-20
-25
-30
-25
F（千兆赫）
-40
0
2
4
6
8
10
12
2.40
2.42
2.44
2.46
F（千兆赫）
2.48
2.50
图16. 2 G在5 G带地下5隔离（T
AMB
= 25 °C)
-15
S23(dB)
-20
-25
-30
-25
F（千兆赫）
5.1
5.3
5.5
5.7
5.9
-40
4.9
文档编号023193版本1
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