DIM800NSM33-F000
单开关IGBT模块
2009年PDS5615-4.1一月（ LN26570 ）
特点
软穿通硅
孤立的铝碳化硅基带的AlN基板
高的热循环能力
10μs的短路承受
无铅建设
主要参数
V
CES
V
CE （ SAT ）
*
（典型值）
I
C
（最大）
I
C（ PK ）
（最大）
* （在辅助端子测量）
3300V
2.8V
800A
1600A
应用
高可靠性逆变器
电机控制器
牵引驱动
菜刀
高功率模块的电力线范围包括
半桥，菜刀，双，单，双向
交换机配置涵盖电压为1200V
至6500V及电流高达3600A 。
该DIM800NSM33 - F000是一台交换机3300V ，
通过n沟道增强模式软冲床，
绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块。该
IGBT具有宽的反向偏压安全工作区
（ RBSOA ）加为10μs的短路耐受。这
装置用于牵引驱动器和其他优化
应用程序需要很高的热循环能力。
该模块集成了电气隔离基地
板和低电感建设使能电路
设计人员优化电路布局和利用
接地散热片的安全性
.
图。 1电路结构
订购信息
订单号：
DIM800NSM33-F000
注：订货时，请使用完整的零件
数
外形类型代码：N
（有关更多信息，图11 ）
图。 2包
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DIM800NSM33-F000
绝对最大额定值
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在
极端条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。
适当的安全预防措施，应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响
器件的可靠性。
T
例
= 25°C除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C（ PK ）
P
最大
It
V
ISOL
Q
PD
2
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
二极管余吨价值
隔离电压
局部放电
2
测试条件
V
GE
= 0V
马克斯。
3300
±20
单位
V
V
A
A
kW
千安s
kV
pC
2
T
例
= 90 ° C
1毫秒，T
例
= 115 ° C
T
例
= 25 ° C，T
j
= 150 ° C
V
R
= 0V ，T
p
= 10毫秒，T
j
= 125 ° C
Commoned端子到基板上。
AC RMS ， 1分钟，50赫兹
IEC1287 。 V
1
= 3500V, V
2
= 2600V ， 50Hz的RMS
800
1600
10.4
320
6
10
热学和力学额定值
内部绝缘材料：
底板材料：
爬电距离：
通关：
CTI （严重漏电起痕指数） ：
符号
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
R
个（ C-H）
T
j
参数
热电阻 - 晶体管
热电阻 - 二极管
热电阻 - 案件
散热器
结温
氮化铝
铝碳化硅
33mm
20mm
350
测试条件
持续散热 - 结到外壳
持续散热 - 结到外壳
安装扭矩5Nm的
（带安装脂）
晶体管
二极管
T
英镑
存储温度范围
螺杆转矩
M6安装
电气连接 - M4
电气连接 - M8
-40
最小典型。最大单位
12
24
8
150
125
125
5
2
10
° C /千瓦
° C /千瓦
° C /千瓦
°C
°C
°C
Nm
Nm
Nm
2/8
:
该器件对静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM800NSM33-F000
电气特性
T
例
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
测试条件
V
GE
= 0V,V
CE
= V
CES
V
GE
= 0V ， V = V，T
例
=125 ° C
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
最小典型。最大
4
60
1
5.5
6.5
2.8
3.6
800
1600
2.9
3.0
144
2.2
15
135
7.0
单位
mA
mA
A
V
V
V
A
A
V
V
nF
nF
nH
A
A
栅极漏电流
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
二极管的正向电流
V
GE
= ±15V, V
CE
= 0V
I
C
= 80毫安，V
GE
= V
CE
V
GE
= 15V ，我
C
= 800A
V
GE
= 15V ，我
C
= 800A ，T
J
= 125 ° C
DC
I
F
I
FM
V
F
二极管的最大正向电流T
p
为1ms
二极管的正向电压
I
F
= 800A
I
F
= 800A ，T
J
= 125 ° C
C
IES
C
水库
L
M
R
INT
输入电容
反向传输电容
模电感
内阻
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
SC
数据
短路电流，I
SC
T
j
= 125°C ，V
CC
= 2500V
V
GE
t
p
*
V
CE （最大）
= V
CES
- 长x的di / dt
IEC 6074-9
I
1
I
2
4000
3700
注意：
*
测定在辅助端子
L是线路电感+ L
M
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
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图。 3典型的输出特性
图。 4典型的输出特性
图5典型的开关能量VS集电极电流
图。 6典型开关能量VS栅极电阻
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
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