DIM600DCM17-A000
DIM600DCM17-A000
IGBT斩波模块
取代了2001年9月版DS5491-1.1
2002年DS5491-2.0三月
特点
s
s
s
s
10μs的短路承受
高的热循环能力
非穿通硅
与氮化铝衬底隔离MMC基地
主要参数
V
CES
（典型值）
V
CE （ SAT ）
*
（最大）
I
C
（最大）
I
C（ PK ）
1700V
2.7V
600A
1200A
* （测得的功率母线和没有辅助端子）
应用
s
s
s
菜刀
电机控制器
牵引驱动
5(E
1
)
1(E1)
2(C2)
6(G
1
)
模块的电力线的范围，包括半桥
斩波器，双核和单开关配置包括电压
从600V到3300V及电流高达2400A 。
该DIM600DCM17 - A000是1700V ， N沟道
增强型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
斩波模块。在IGBT具有宽反向偏压安全
工作区（ RBSOA ），加上全10μs的短路耐受。
该模块为牵引驱动器和其他优化
应用程序需要很高的热循环能力。
该模块集成了电气隔离底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局，利用接地的散热片以保证安全。
7(C
1
)
3(C1)
4(E2)
图。 1斩波电路原理图
订购信息
订单号：
DIM600DCM17-A000
注：订货时请使用整个零件编号。
大纲类型代码：
D
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 2电气连接 - （不按比例）
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM600DCM17-A000
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全预防措施
应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C（ PK ）
P
最大
I
2
t
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
二极管我
2
吨价（ IGBT ARM）
二极管我
2
吨价（二极管ARM）
V
ISOL
Q
PD
隔离电压 - 每个模块
局部放电 - 每个模块
Commoned端子到基板上。 AC RMS ， 1分钟，50赫兹
IEC1287 。 V
1
= 1500V, V
2
= 1100V ， 50Hz的RMS
T
例
= 70C
1毫秒，T
例
= 105C
T
例
= 25 ° C，T
j
= 150C
V
R
= 0, t
p
= 10毫秒，T
vj
= 125C
V
GE
= 0V
-
测试条件
马克斯。
1700
±20
600
1200
4630
120
120
4000
10
单位
V
V
A
A
W
kA
2
s
kA
2
s
V
pC
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注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM600DCM17-A000
热学和力学额定值
内部绝缘材料：
底板材料：
爬电距离：
通关：
CTI （严重漏电起痕指数） ：
符号
R
日（J -C ）
氮化铝
铝碳化硅
20mm
10mm
175
参数
热电阻 - 晶体管（每组）
测试条件
连续耗散 -
结到外壳
R
日（J -C ）
热电阻 - 二极管（ IGBT ARM）
热电阻 - 二极管（二极管ARM）
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器
（每个模块）
T
j
结温
连续耗散 -
结到外壳
安装扭矩5Nm的
（带安装脂）
晶体管
二极管
T
英镑
-
存储温度范围
螺杆转矩
安装 - M6
电气连接 - M4
电气连接 - M8
-
-
-
–40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
125
125
5
2
10
C
C
C
Nm
Nm
Nm
-
-
-
-
-
-
40
40
8
C /千瓦
C /千瓦
C /千瓦
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
27
单位
C /千瓦
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM600DCM17-A000
电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
, T
例
= 125C
I
GES
V
GE （日）
V
CE （SAT）
栅极漏电流
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V
I
C
= 30mA时V
GE
= V
CE
V
GE
= 15V ，我
C
= 600A
V
GE
= 15V ，我
C
= 600A ， ，T
例
= 125C
I
F
I
FM
V
F
二极管的正向电流
二极管的最大正向电流
二极管的正向电压（ IGBT ARM）
二极管的正向电压（二极管ARM）
二极管的正向电压（ IGBT ARM）
二极管的正向电压（二极管ARM）
C
IES
C
水库
L
M
R
INT
SC
数据
输入电容
反向传输电容
模块的电感 - 每臂
内部晶体管的电阻 - 每臂
短路。我
SC
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
T
j
= 125°C ，V
CC
= 1000V,
t
p
≤
为10μs ，V
CE （最大）
= V
CES
- L * 。的di / dt
IEC 60747-9
注意：
测量在功率母线和没有辅助端子）
* L是线路电感+ L
M
I
1
I
2
I
F
= 600A ，T
例
= 125C
DC
t
p
为1ms
I
F
= 600A
分钟。
-
-
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
5.5
2.7
3.4
-
-
2.0
2.0
2.1
2.1
45
3.8
20
0.27
2780
2400
马克斯。
1
20
4
6.5
3.2
4.0
600
1200
2.3
2.3
2.4
2.4
-
-
-
-
-
-
单位
mA
mA
A
V
V
V
A
A
V
V
V
V
nF
nF
nH
m
A
A
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注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM600DCM17-A000
电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
E
ON
Q
g
Q
rr
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
栅极电荷
二极管的反向恢复电荷
二极管手臂
IGBT的手臂
I
rr
二极管的反向恢复电流
二极管手臂
IGBT的手臂
E
REC
二极管的反向恢复精力
二极管手臂
IGBT的手臂
I
F
= 600A,
V
R
= 50% V
CES
,
dI
F
/ DT = 3000A / μs的
测试条件
I
C
= 600A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 900V
R
G（ ON）的
= R
G（ OFF）
= 3.3
L 100nH的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1200
140
190
250
250
220
6.8
370
150
800
350
250
100
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
C
C
A
A
mJ
mJ
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM600DCM17-A000
±0.2
替换DS5491-4.2
IGBT斩波模块
DS5491-5 2011年3月（ LN26753 ）
11.5
特点
±0.2
10μs的短路承受
高的热循环能力
非穿通硅
孤立的铝碳化硅基带的AlN基板
无铅建设
14
±0.2
16
6 x
O7
主要参数
V
CES
V
CE （ SAT ）
* （典型值）
I
C
（最大）
I
C（ PK ）
（最大）
28
±0.5
1700V
2.7V
旋入深度
600A
8
最大
1200A
*测量在电源母线，而不是辅助端子
55.2
± 0.3
应用
11.85
±0.2
1(E)
5
(E)
6
(G)
2(C)
高可靠性逆变器
电机控制器
牵引驱动
高功率模块的电力线范围包括
半桥，菜刀，双，单，双向
交换机配置涵盖电压从600V到
3300V及电流高达2400A 。
该DIM600DCM17 - A000是一个1700V ， n沟道
增强模式中，绝缘栅双极型晶体管
（IGBT）斩波器模块。在IGBT具有广泛的反
偏置安全工作区（ RBSOA ）加10μs的短路
电路承受。该器件为牵引优化
驱动器和其它需要高的热
循环能力。
该模块集成了电气隔离基地
板和低电感建设使能电路
设计人员优化电路布局和利用
接地散热片的安全性
.
7
(C)
3(C)
4(E)
图。 1电路结构
订购信息
订单号：
DIM600DCM17-A000
注：订货时，请使用完整的零件
数
外形类型代码：D
（有关更多信息，图11 ）
图。 2包
注意事项：
该器件对静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
1
/
8
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DIM600DCM17-A000
绝对最大额定值
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在
极端条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。
适当的安全预防措施，应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响
器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C（ PK ）
P
最大
It
V
ISOL
Q
PD
2
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
二极管余吨价值（ IGBT ARM）
二极管余吨价值（二极管ARM）
隔离电压 - 每个模块
局部放电 - 每个模块
2
2
测试条件
V
GE
= 0V
马克斯。
1700
±20
单位
V
V
A
A
W
千安s
千安s
V
pC
2
2
T
例
= 75°C
1毫秒，T
例
= 110°C
T
例
= 25 ° C，T
j
= 150°C
V
R
= 0, t
p
= 10毫秒，T
j
= 125C
600
1200
5200
120
120
Commoned端子到基板上。
AC RMS ， 1分钟，50赫兹
IEC1287 ，V
1
= 1800V, V
2
= 1300V ， 50Hz的RMS
4000
10
热学和力学额定值
内部绝缘材料：
底板材料：
爬电距离：
通关：
CTI （相比漏电起痕指数） ：
符号
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
R
个（ C-H）
T
j
T
英镑
参数
热电阻 - 晶体管（每组）
热电阻 - 二极管（ IGBT ARM）
热电阻 - 二极管（二极管ARM）
热电阻 - 案件散热器
（每个模块）
结温
二极管
存储温度范围
-
安装 - M6
螺杆转矩
电气连接 - M4
电气连接 - M8
2/8
-
-40
-
-
-
-
-
-
-
-
125
125
5
2
10
°C
°C
Nm
Nm
Nm
氮化铝
铝碳化硅
20mm
10mm
350
测试条件
连续耗散 -
结到外壳
连续耗散 -
结到外壳
安装扭矩5Nm的
（带安装脂）
晶体管
民
-
-
典型值。
-
-
最大
24
40
40
-
-
-
-
8
150
单位
C /千瓦
C /千瓦
C /千瓦
C /千瓦
°C
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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