DIM400GCM33-F000
IGBT斩波模块
替换DS5863-1.1
2011 DS5863-2日（ LN28080 ）
特点
10μs的短路承受
高的热循环能力
软穿通硅
孤立的铝碳化硅基带的AlN基板
无铅建设
主要参数
V
CES
V
CE （ SAT ）
* （典型值）
I
C
（最大）
I
C（ PK ）
（最大）
3300V
2.8V
400A
800A
*测量在辅助端子
应用
1(E)
7(E)
2(K)
菜刀
电机控制器
电源
牵引辅助
6(G)
高功率模块的电力线范围包括
半桥，菜刀，双，单，双向
交换机配置涵盖电压为1200V至
6500V及电流高达2400A 。
该DIM400GCM33 - F000是3300V ， n沟道
增强模式中，绝缘栅双极型晶体管
（IGBT）斩波器模块。在IGBT具有广泛的反
偏置安全工作区（ RBSOA ）加10μs的短路
电路承受。该器件为牵引优化
驱动器和其它需要高的热
循环能力。
该模块集成了电气隔离基地
板和低电感建设使能电路
设计人员优化电路布局和利用
接地散热片的安全性
.
5(C)
3(C)
4(A)
图。 1电路结构
订购信息
订单号：
DIM400GCM33-F000
大纲类型编号：G
注：订货时，请使用完整的零件
数
（有关更多信息，图11 ）
图。 2包
注意事项：
该器件对静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
1
/
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DIM400GCM33-F000
绝对最大额定值
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在
极端条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。
适当的安全预防措施，应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响
器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C（ PK ）
P
最大
It
V
ISOL
Q
PD
2
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
二极管余吨价值（ IGBT ARM）
二极管余吨价值（二极管ARM）
隔离电压 - 每个模块
局部放电 - 每个模块
2
2
测试条件
V
GE
= 0V
马克斯。
3300
±20
单位
V
V
A
A
W
千安s
千安s
V
pC
2
2
T
例
= 90°C
1毫秒，T
例
= 115°C
T
例
= 25 ° C，T
j
= 150°C
V
R
= 0, t
p
= 10毫秒，T
j
= 125C
400
800
5200
80
80
Commoned端子到基板上。
AC RMS ， 1分钟，50赫兹
IEC1287 ，V
1
= 3500V, V
2
= 2600V ， 50Hz的RMS
6000
10
热学和力学额定值
内部绝缘材料：
底板材料：
爬电距离：
通关：
CTI （相比漏电起痕指数） ：
氮化铝
铝碳化硅
33mm
20mm
350
符号
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
R
个（ C-H）
T
j
T
英镑
参数
热电阻 - 晶体管（每组）
热电阻 - 二极管（ IGBT ARM）
热电阻 - 二极管（二极管ARM）
热电阻 - 案件散热器
（每个模块）
结温
测试条件
连续耗散 -
结到外壳
连续耗散 -
结到外壳
安装扭矩5Nm的
（带安装脂）
晶体管
二极管
民
-
-
典型值。
-
-
最大
24
48
48
单位
C /千瓦
C /千瓦
C /千瓦
C /千瓦
°C
°C
°C
Nm
Nm
Nm
-
-
-
-40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
150
125
125
5
2
10
存储温度范围
-
安装 - M6
螺杆转矩
电气连接 - M4
电气连接 - M8
2/8
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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