DIM400DDM12-A000
双路开关IGBT模块
2009年DS5532-3.1一月（ LN26558 ）
特点
10μs的短路承受
非穿通硅
无铅建设
与氮化铝衬底隔离MMC基地
高的热循环能力
主要参数
V
CES
V
CE （ SAT ）
*
（典型值）
I
C
（最大）
I
C（ PK ）
（最大）
1200V
2.2 V
400A
800A
* （测得的功率母线和没有辅助端子）
应用
高可靠性逆变器
电机控制器
牵引驱动
高功率模块的电力线范围包括
半桥，菜刀，双，单，双向
交换机配置涵盖电压为1200V
至6500V及电流高达2400A 。
该DIM400DDM12 - A000是一款双开关1200V ，正
沟道增强模式中，绝缘栅双极型
晶体管（IGBT）模块。在IGBT具有宽
反向偏压安全工作区（ RBSOA ）加10us的
短路耐受。该器件经过优化
牵引传动及要求高的其他应用程序
热循环能力。
该模块集成了电气隔离基地
板和低电感建设使能电路
设计人员优化电路布局和利用
接地散热片的安全性
.
图。 1电路结构
订购信息
订单号：
DIM400DDM12-A000
注：订货时，请使用完整的零件
数
外形类型代码：D
（有关更多信息，图11 ）
图。 2包
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DIM400DDM12-A000
绝对最大额定值
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。
在极端条件下，与所有的半导体，这可以包括的有潜在危险的破裂
封装。适当的安全预防措施，应始终遵循。暴露在绝对最大额定值
可能会影响器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C（ PK ）
P
最大
It
V
ISOL
Q
PD
2
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极
当前
峰值集电极电流
Max.transistor电源
耗散
二极管余吨价值
隔离电压，每
模块
局部放电元
模块
2
测试条件
V
GE
=0V
马克斯。
1200
±20
单位
V
V
A
A
kW
千安s
V
pC
2
T
例
=85 °C
1毫秒，T
例
=115 °
C
T
例
= 25 ° C，T
j
=150 °
C
V
R
= 0V ，T
p
= 10毫秒，T
j
= 125°C
Commoned端子到基板上。 AC RMS ，
1分钟，50赫兹
IEC1287.V
1
=1300V, V
2
= 1000V ， 50Hz的RMS
400
800
3470
25
2500
10
热学和力学额定值
内部绝缘材料：
底板材料：
爬电距离：
通关：
CTI （严重漏电起痕指数）
氮化铝
铝碳化硅
20mm
10mm
175
符号
参数
热电阻 - 晶体管（每
开关）
热电阻-diode （每
开关）
热电阻-case到
散热器
（每个模块）
结温
测试条件
连续耗散 -
结到外壳
连续耗散 -
结到外壳
安装扭矩5Nm的
（带安装脂）
晶体管
二极管
民
典型值。
最大
36
80
8
150
125
125
单位
°
C /千瓦
°
C /千瓦
°
C /千瓦
°
C
°
C
°
C
Nm
Nm
Nm
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
R
个（ C-H）
T
j
T
英镑
存储温度范围
螺杆转矩
M6安装
电气连接 -
M4
电气连接 -
M8
5
2
10
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:
该器件对静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM400DDM12-A000
电气特性
T
例
= 25° ，除非另有说明。
C
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
测试条件
V
GE
=0V,V
CE
=V
CES
V
GE
=0V,V
CE
=V
CES
,T
例
=125 °
C
民
典型值
最大
0.5
12
2
单位
mA
mA
uA
V
V
V
A
A
V
V
nF
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
栅极漏电流
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
V
GE
=
±
20V,V
CE
=0V
I
C
=20mA,V
GE
=V
CE
V
GE
=15V,I
C
=400A
V
GE
=15V,I
C
=400A,T
例
=125 °
C
4.5
5.5
2.2
2.6
6.5
2.8
3.2
400
800
I
F
I
FM
V
F
二极管的正向电流
二极管的最大正向
当前
二极管的正向电压
DC
t
p
=1ms
I
F
=400A
I
F
=400A,T
例
=125 °
C
2.1
2.1
20
2.4
2.4
C
IES
L
M
R
INT
输入电容
模电感
内部晶体管的电阻
V
CE
=25V,V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
--
20
0.27
nH
A
A
SC
数据
短路电流，I
SC
T
j
= 125°C ，V
CC
= 900V
V
ge
t
p
*
V
CE （最大）
= V
CES
- 长x的di / dt
I
1
I
2
2750
2250
注意：
*
测量在电源母线，而不是辅助端子
L是线路电感+ L
M
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
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DIM400DDM12-A000
图。 3典型的输出特性
图。 4典型的输出特性
图5典型的开关能量VS集电极电流
图。 6典型开关能量VS栅极电阻
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
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