DIM200WHS17-A000
DIM200WHS17-A000
半桥IGBT模块
替换的问题2003年12月，版本FDS5673-2.3
2004年FDS5673-3.0一月
特点
I
I
I
10μs的短路承受
非穿通硅
孤立的铜基板
主要参数
V
CES
（典型值）
V
CE （ SAT ）
*
（最大）
I
C
（最大）
I
C（ PK ）
1700V
2.7V
200A
400A
* （测得的功率母线和没有辅助端子）
应用
I
I
I
逆变器
电机控制器
感应加热
7(E
2
)
6(G
2
)
高功率模块的电力线产品包括半
桥，斩波器，双，单，双向开关
配置涵盖了从600V电压3300V及
电流高达3600A 。
该DIM200WHS17 - A000是一种半桥1700V ， N沟道
增强模式中，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
模块。在IGBT具有广泛的反向偏压安全工作区
（ RBSOA ）加满10μs的短路耐受。
该模块集成了电气隔离底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局，利用接地的散热片以保证安全。
1(E1C2)
2(E2)
3(C1)
4(G
1
)
5(E
1
)
图。 1半桥电路图
订购信息
订单号：
DIM200WHS17-A000
注：订货时请使用整个零件编号。
大纲类型代码：
W
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 2模块概述
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM200WHS17-A000
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全预防措施
应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C（ PK ）
P
最大
I
2
t
V
ISOL
Q
PD
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
二极管我
2
t值
隔离电压 - 每个模块
局部放电 - 每个模块
T
例
= 65C
1毫秒，T
例
= 110C
T
例
= 25 ° C，T
j
= 150C
V
R
= 0, t
p
= 10毫秒，T
vj
= 125C
Commoned端子到基板上。 AC RMS ， 1分钟，50赫兹
IEC1287 。 V
1
= 1800V, V
2
= 1300V ， 50Hz的RMS
V
GE
= 0V
-
测试条件
马克斯。
1700
±20
200
400
1390
7.5
4000
10
单位
V
V
A
A
W
kA
2
s
V
PC
热学和力学额定值
内部绝缘：铝
2
O
3
底座材质：铜
爬电距离： 24毫米
符号
R
日（J -C ）
参数
热电阻 - 晶体管（每组）
间隙：13毫米
CTI （严重漏电起痕指数） ： 175
测试条件
连续耗散 -
结到外壳
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
90
单位
C /千瓦
R
日（J -C ）
热电阻 - 二极管（每组）
连续耗散 -
结到外壳
-
-
200
C /千瓦
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器
（每个模块）
安装扭矩5Nm的
（带安装脂）
晶体管
二极管
-
-
15
C /千瓦
T
j
结温
-
-
-
–40
-
-
-
-
-
-
-
150
125
125
5
2
C
C
C
Nm
Nm
T
英镑
-
存储温度范围
螺杆转矩
安装 - M6
电气连接 - M4
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注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM200WHS17-A000
电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
, T
例
= 125C
I
GES
V
GE （日）
V
CE （SAT）
栅极漏电流
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= V
CE
V
GE
= 15V ，我
C
= 200A
V
GE
= 15V ，我
C
= 200A ， ，T
例
= 125C
I
F
I
FM
V
F
二极管的正向电流
二极管的最大正向电流
二极管的正向电压
DC
t
p
为1ms
I
F
= 200A
I
F
= 200A ，T
例
= 125C
C
IES
L
M
R
INT
SC
数据
输入电容
模块的电感 - 每臂
内部晶体管的电阻 - 每臂
短路。我
SC
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
T
j
= 125°C ，V
CC
= 1000V,
t
p
≤
为10μs ，V
CE （最大）
= V
CES
- L * 。的di / dt
IEC 60747-9
注意：
测量在功率母线和没有辅助端子。
* L是线路电感+ L
M
I
1
I
2
分钟。
-
-
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
5.5
2.7
3.4
-
-
2.2
2.3
15
20
0.23
900
800
马克斯。
1
6
2
6.5
3.4
4.0
200
400
2.5
2.6
-
-
-
-
-
单位
mA
mA
A
V
V
V
A
A
V
V
nF
nH
m
A
A
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM200WHS17-A000
电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
E
ON
Q
g
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
栅极电荷
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
I
F
= 200A ，V
R
= 900V,
dI
F
/ DT = 3000A / μs的
测试条件
I
C
= 200A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 900V
R
G（ ON）的
= R
G（ OFF）
= 4.7
L 100nH的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
590
300
40
320
90
50
2
65
195
42
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
C
A
mJ
T
例
= 125℃ ，除非另有说明
符号
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
E
ON
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
I
F
= 200A ，V
R
= 900V,
dI
F
/ DT = 2500A / μs的
测试条件
I
C
= 200A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 900V
R
G（ ON）的
= R
G（ OFF）
= 4.7
L 100nH的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
880
410
60
450
110
80
100
195
64
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
A
mJ
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注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM200WHS17-A000
典型特征
400
共发射极。
T
例
= 25C
而不是辅助端子
400
共发射极。
T
例
= 125C
350
V
ce
处测得的功率母线
而不是辅助端子
350
V
ce
处测得的功率母线
300
集电极电流，I
C
- (A)
300
250
200
150
100
V
GE
= 20V
15V
12V
10V
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
集电极电流，I
C
- (A)
250
200
150
100
50
0
0
V
GE
= 20V
15V
12V
10V
0.5
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
集电极 - 发射极电压，V
ce
- (V)
5.5
6
50
0
0
集电极 - 发射极电压，V
ce
- (V)
图。 3典型的输出特性
140
图。 4典型的输出特性
80
条件：
T
c
= 125C,
70 R
g
= 4.7 ,
V
cc
= 900V
60
交换能量，E
sw
- （兆焦耳）
50
40
30
20
10
0
0
E
on
E
关闭
E
REC
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200
集电极电流，I
C
- (A)
条件：
T
c
= 125C,
I
C
= 100A,
120 V
cc
= 900V
100
交换能量，E
sw
- （兆焦耳）
80
60
40
20
0
4
E
on
E
关闭
E
REC
5
6
7
8
栅极电阻，R
g
- （欧姆）
9
10
图。 5典型开关能量VS集电极电流
图。 6典型开关能量VS栅极电阻
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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