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DIM200PHM33-A000
DIM200PHM33-A000
半桥IGBT模块
取代2002年11月版DS5464-6.2
2003年DS5464-7.1一月
特点
I
I
I
I
主要参数
V
CES
V
CE ( SAT )
*
I
C
I
C( PK )
(典型值)
(最大)
(最大)
3300V
3.4V
200A
400A
10μs的短路承受
高的热循环能力
非穿通硅
与氮化铝衬底隔离MMC基地
* (测得的功率母线和没有辅助端子)
应用
I
I
I
1(E1/C2)
2(C1)
5(E
1)
4(G
1)
3(E2)
7(E
2)
6(G
2)
高可靠性逆变器
电机控制器
牵引辅助
高功率模块的电力线产品包括半
桥,斩波器,双,单,双向开关
配置涵盖了从600V电压3300V及
电流高达2400A 。
该DIM200PHM33 - A000是一种半桥3300V , N沟道
增强模式中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
模块。在IGBT具有广泛的反向偏压安全工作区
( RBSOA )加满10μs的短路耐受。该装置是
牵引驱动器和其他应用程序需要优化,高
热循环能力。
该模块集成了电气隔离底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局,利用接地的散热片以保证安全。
8(C
1)
图。 1半桥电路图
订购信息
订单号:
DIM200PHM33-A000
注:订货时请使用整个零件编号。
大纲类型代码:
P
(见包的详细信息以获取更多信息)
图。 2电气连接 - (不按比例)
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM200PHM33-A000
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ,即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下,与所有的半导体,这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全
预防措施应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
T
= 25℃ ,除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C( PK )
P
最大
I
2
t
V
ISOL
Q
PD
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
二极管我
2
吨价(二极管ARM)
隔离电压 - 每个模块
局部放电 - 每个模块
T
= 85C
1毫秒,T
= 115C
T
= 25 ° C,T
j
= 150C
V
R
= 0, t
p
= 10毫秒,T
vj
= 125C
Commoned端子到基板上。 AC RMS , 1分钟,50赫兹
IEC1287 。 V
1
= 3500V, V
2
= 2600V , 50Hz的RMS
V
GE
= 0V
-
测试条件
马克斯。
3300
±20
200
400
2608
20
6000
10
单位
V
V
A
A
W
kA
2
s
V
pC
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注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM200PHM33-A000
热学和力学额定值
内部绝缘材料:
底板材料:
爬电距离:
通关:
CTI (严重漏电起痕指数) :
符号
R
日(J -C )
氮化铝
铝碳化硅
33mm
20mm
175
参数
热电阻 - 晶体管(每个交换机)
测试条件
连续耗散 -
结到外壳
R
日(J -C )
热电阻 - 二极管(每开关)
连续耗散 -
结到外壳
R
个( C-H)
热电阻 - 案件散热器
(每个模块)
T
j
结温
安装扭矩5Nm的
(带安装脂)
晶体管
二极管
T
英镑
-
存储温度范围
螺杆转矩
安装 - M6
电气连接 - M5
-
-
-
–40
-
-
-
-
-
-
-
150
125
125
5
4
C
C
C
Nm
Nm
-
-
16
C /千瓦
-
-
96
C /千瓦
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
48
单位
C /千瓦
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM200PHM33-A000
电气特性
T
= 25℃ ,除非另有说明。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
, T
= 125C
I
GES
V
GE (日)
V
CE (SAT)
栅极漏电流
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V
I
C
= 20mA时, V
GE
= V
CE
V
GE
= 15V ,我
C
= 200A
V
GE
= 15V ,我
C
= 200A , ,T
= 125C
I
F
I
FM
V
F
二极管的正向电流
二极管的最大正向电流
二极管的正向电压
DC
t
p
为1ms
I
F
= 200A
I
F
= 200A ,T
= 125C
C
IES
C
水库
L
M
R
INT
SC
数据
输入电容
反向传输电容
模块的电感 - 每个交换机
内部晶体管的电阻 - 每个交换机
短路。我
SC
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V , F = 1MHz的
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V , F = 1MHz的
-
-
T
j
= 125°C ,V
CC
= 2500V,
t
p
为10μs ,V
CE (最大)
= V
CES
- L * 。的di / dt
IEC 60747-9
I
1
I
2
分钟。
-
-
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
5.5
3.4
4.4
200
400
2.5
2.5
45
0.65
30
0.54
1300
1100
马克斯。
1
15
2
6.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
mA
mA
A
V
V
V
A
A
V
V
nF
nF
nH
m
A
A
注意:
测量在功率母线和没有辅助端子)
L *为电路电感+ L
M
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DIM200PHM33-A000
电气特性
T
= 25℃ ,除非另有说明
符号
t
D(关闭)
t
f
E
关闭
t
D(上)
t
r
E
ON
Q
g
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
栅极电荷
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
I
F
= 200A ,V
R
= 1800V,
dI
F
/ DT = 1000A / μs的
测试条件
I
C
= 200A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 1800V
R
G( ON)的
= R
G( OFF)
=10
C
ge
= 33nF
L 100nH的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1350
200
150
550
250
300
2.5
80
140
110
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
C
A
mJ
T
= 125℃ ,除非另有说明
符号
t
D(关闭)
t
f
E
关闭
t
D(上)
t
r
E
ON
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
测试条件
I
C
= 200A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 1800V
R
G( ON)的
= R
G( OFF)
=10
C
ge
= 33nF
L 100nH的
I
F
= 200A ,V
R
= 1800V,
dI
F
/ DT = 850A / μs的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1400
250
210
550
250
440
150
150
200
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
A
mJ
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