DIM1800ESM12-A000
单开关IGBT模块
替换DS5529-3
DS5529-4 2010年10月( LN27613 )
特点
10μs的短路承受
高的热循环能力
非穿通硅
孤立的铝碳化硅基带的AlN基板
无铅建设
主要参数
V
CES
V
CE ( SAT )
* (典型值)
I
C
(最大)
I
C( PK )
(最大)
1200V
2.2V
1800A
3600A
*测量在电源母线,而不是辅助端子
应用
9(C)
3(C)
2(G)
7(C)
5(C)
高可靠性逆变器
电机控制器
牵引驱动
高功率模块的电力线范围包括
半桥,菜刀,双,单,双向
交换机配置涵盖电压为1200V至
6500V及电流高达2400A 。
该DIM1800ESM12 - A000是一台交换机1200V ,
n沟道增强模式中,绝缘栅双极型
晶体管(IGBT)模块。在IGBT具有宽
反向偏压安全工作区( RBSOA )加10μs的
短路耐受。该器件经过优化
牵引传动及要求高的其他应用程序
热循环能力。
该模块集成了电气隔离基地
板和低电感建设使能电路
设计人员优化电路布局和利用
接地散热片的安全性
.
1(E)
8(E)
6(E)
4(E)
图。 1电路结构
订购信息
订单号:
DIM1800ESM12-A000
注:订货时,请使用完整的零件
数
外形类型代码:电子
(有关更多信息,图11 )
图。 2包
注意事项:
该器件对静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
1
/
8
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DIM1800ESM12-A000
绝对最大额定值
条件超过上述“绝对最大额定值” ,即可能对器件造成永久性损坏。在
极端条件下,与所有的半导体,这可以包括封装的潜在危险的破裂。
适当的安全预防措施,应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响
器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ,除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C( PK )
P
最大
It
V
ISOL
Q
PD
2
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
二极管余吨价值
隔离电压 - 每个模块
局部放电 - 每个模块
2
测试条件
V
GE
= 0V
马克斯。
1200
±20
单位
V
V
A
A
W
千安s
V
pC
2
T
例
= 85°C
1毫秒,T
例
= 115°C
T
例
= 25 ° C,T
j
= 150°C
V
R
= 0, t
p
= 10毫秒,T
j
= 125C
Commoned端子到基板上。
AC RMS , 1分钟,50赫兹
IEC1287 ,V
1
= 1300V, V
2
= 1000V , 50Hz的RMS
1800
3600
15625
900
2500
10
热学和力学额定值
内部绝缘材料:
底板材料:
爬电距离:
通关:
CTI (相比漏电起痕指数) :
氮化铝
铝碳化硅
33mm
20mm
600
符号
R
日(J -C )
R
日(J -C )
R
个( C-H)
T
j
T
英镑
参数
热电阻 - 晶体管
热电阻 - 二极管
热电阻 -
案件散热器(每个模块)
结温
二极管
存储温度范围
-
测试条件
连续耗散 -
结到外壳
连续耗散 -
结到外壳
安装扭矩5Nm的
(带安装脂)
晶体管
民
-
-
-
-
-
-40
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
8
13
6
150
125
125
5
2
10
单位
C /千瓦
C /千瓦
C /千瓦
°C
°C
°C
Nm
Nm
Nm
安装 - M6
螺杆转矩
电气连接 - M4
电气连接 - M8
2/8
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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