DIM1800ESM12-A000
单开关IGBT模块
替换DS5529-3
DS5529-4 2010年10月（ LN27613 ）
特点
10μs的短路承受
高的热循环能力
非穿通硅
孤立的铝碳化硅基带的AlN基板
无铅建设
主要参数
V
CES
V
CE （ SAT ）
* （典型值）
I
C
（最大）
I
C（ PK ）
（最大）
1200V
2.2V
1800A
3600A
*测量在电源母线，而不是辅助端子
应用
9(C)
3(C)
2(G)
7(C)
5(C)
高可靠性逆变器
电机控制器
牵引驱动
高功率模块的电力线范围包括
半桥，菜刀，双，单，双向
交换机配置涵盖电压为1200V至
6500V及电流高达2400A 。
该DIM1800ESM12 - A000是一台交换机1200V ，
n沟道增强模式中，绝缘栅双极型
晶体管（IGBT）模块。在IGBT具有宽
反向偏压安全工作区（ RBSOA ）加10μs的
短路耐受。该器件经过优化
牵引传动及要求高的其他应用程序
热循环能力。
该模块集成了电气隔离基地
板和低电感建设使能电路
设计人员优化电路布局和利用
接地散热片的安全性
.
1(E)
8(E)
6(E)
4(E)
图。 1电路结构
订购信息
订单号：
DIM1800ESM12-A000
注：订货时，请使用完整的零件
数
外形类型代码：电子
（有关更多信息，图11 ）
图。 2包
注意事项：
该器件对静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
1
/
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DIM1800ESM12-A000
绝对最大额定值
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在
极端条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。
适当的安全预防措施，应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响
器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C（ PK ）
P
最大
It
V
ISOL
Q
PD
2
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
二极管余吨价值
隔离电压 - 每个模块
局部放电 - 每个模块
2
测试条件
V
GE
= 0V
马克斯。
1200
±20
单位
V
V
A
A
W
千安s
V
pC
2
T
例
= 85°C
1毫秒，T
例
= 115°C
T
例
= 25 ° C，T
j
= 150°C
V
R
= 0, t
p
= 10毫秒，T
j
= 125C
Commoned端子到基板上。
AC RMS ， 1分钟，50赫兹
IEC1287 ，V
1
= 1300V, V
2
= 1000V ， 50Hz的RMS
1800
3600
15625
900
2500
10
热学和力学额定值
内部绝缘材料：
底板材料：
爬电距离：
通关：
CTI （相比漏电起痕指数） ：
氮化铝
铝碳化硅
33mm
20mm
600
符号
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
R
个（ C-H）
T
j
T
英镑
参数
热电阻 - 晶体管
热电阻 - 二极管
热电阻 -
案件散热器（每个模块）
结温
二极管
存储温度范围
-
测试条件
连续耗散 -
结到外壳
连续耗散 -
结到外壳
安装扭矩5Nm的
（带安装脂）
晶体管
民
-
-
-
-
-
-40
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
8
13
6
150
125
125
5
2
10
单位
C /千瓦
C /千瓦
C /千瓦
°C
°C
°C
Nm
Nm
Nm
安装 - M6
螺杆转矩
电气连接 - M4
电气连接 - M8
2/8
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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