DIM1800ESM12-A000
DIM1800ESM12-A000
单开关IGBT模块
取代了2002年7月版DS5529-2.1
2003年DS5529-3.0三月
特点
I
I
I
I
10μs的短路承受
高的热循环能力
非穿通硅
与氮化铝衬底隔离MMC基地
主要参数
V
CES
（典型值）
V
CE （ SAT ）
*
（最大）
I
C
（最大）
I
C（ PK ）
1200V
2.2V
1800A
3600A
* （测得的功率母线和没有辅助端子）
应用
I
I
I
外部连接
C1
奥克斯
C2
C3
高可靠性逆变器
电机控制器
牵引驱动
高功率模块的电力线产品包括半
桥，斩波器，双，单，双向开关
配置涵盖了从600V电压3300V及
电流高达2400A 。
该DIM1800ESM12 - A000是一台交换机1200V ，正
沟道增强模式中，绝缘栅双极型晶体管
（IGBT）模块。在IGBT具有宽反向偏压安全
工作区（ RBSOA ），加上全10μs的短路耐受。
该模块适用于需要高导热应用进行了优化
循环能力。
该模块集成了电气隔离底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局，利用接地的散热片以保证安全。
G
奥克斯ê
E1
E2
外部连接
E3
图。 1单开关电路图
订购信息
订单号：
DIM1800ESM12-A000
注：订货时请使用整个零件编号。
大纲类型代码：
E
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 2电气连接 - （不按比例）
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM1800ESM12-A000
绝对最大额定值
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全
预防措施应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C（ PK ）
P
最大
I
2
t
V
ISOL
Q
PD
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
二极管我
2
吨价（ IGBT ARM）
隔离电压 - 每个模块
局部放电 - 每个模块
T
例
= 85C
1毫秒，T
例
= 115C
T
例
= 25 ° C，T
j
= 150C
V
R
= 0, t
p
= 10毫秒，T
vj
= 125C
Commoned端子到基板上。 AC RMS ， 1分钟，50赫兹
IEC1287 。 V
1
= 1300V, V
2
= 1000V ， 50Hz的RMS
V
GE
= 0V
-
测试条件
马克斯。
1200
±20
1800
3600
15625
900
2500
10
单位
V
V
A
A
W
kA
2
s
V
PC
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热学和力学额定值
内部绝缘材料：
底板材料：
爬电距离：
通关：
CTI （严重漏电起痕指数） ：
符号
R
日（J -C ）
氮化铝
铝碳化硅
32mm
20mm
175
参数
热电阻 - 晶体管
测试条件
连续耗散 -
结到外壳
R
日（J -C ）
热电阻 - 二极管
连续耗散 -
结到外壳
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器
（每个模块）
T
j
结温
安装扭矩5Nm的
（带安装脂）
晶体管
二极管
T
英镑
-
存储温度范围
螺杆转矩
安装 - M6
电气连接 - M4
电气连接 - M8
-
-
-
–40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
125
125
5
2
10
C
C
C
Nm
Nm
Nm
-
-
6
C /千瓦
-
-
17.8
C /千瓦
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
8
单位
C /千瓦
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
, T
例
= 125C
I
GES
V
GE （日）
V
CE （SAT）
栅极漏电流
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V
I
C
= 90毫安，V
GE
= V
CE
V
GE
= 15V ，我
C
= 1800A
V
GE
= 15V ，我
C
= 1800A ， ，T
例
= 125C
I
F
I
FM
V
F
二极管的正向电流
二极管的最大正向电流
二极管的正向电压
DC
t
p
为1ms
I
F
= 2400A
I
F
= 2400A ，T
例
= 125C
C
IES
L
M
R
INT
SC
数据
输入电容
模电感
内部晶体管的电阻
短路。我
SC
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
T
j
= 125°C ，V
CC
= 900V,
t
p
≤
为10μs ，V
CE （最大）
= V
CES
- L * 。的di / dt
IEC 60747-9
I
1
I
2
分钟。
-
-
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
5.5
2.2
2.6
-
-
2.1
2.1
200
10
0.09
12500
10000
马克斯。
3
75
12
6.5
2.8
3.3
1800
3600
2.4
2.4
-
-
-
-
-
单位
mA
mA
A
V
V
V
A
A
V
V
nF
nH
m
A
A
注意：
测量在电源母线，而不是辅助端子
L *为电路电感+ L
M
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DIM1800ESM12-A000
电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
E
O
Q
g
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
栅极电荷
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
I
F
= 1800A ，V
R
= 50% V
CES
,
dI
F
/ DT = 9000A / μs的
测试条件
I
C
= 1800A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 600V
R
G（ ON）的
= R
G（ OFF）
= 1.2
L 60nH
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1250
190
330
220
200
100
20
210
860
110
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
C
A
mJ
T
例
= 125℃ ，除非另有说明
符号
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
E
ON
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
I
F
= 1800A ，V
R
= 50% V
CES
,
dI
F
/ DT = 8000A / μs的
测试条件
I
C
= 1800A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 600V
R
G（ ON）的
= R
G（ OFF）
= 1.2
L 60nH
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
11450
190
390
230
340
180
390
1100
200
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
A
mJ
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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