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DHE1A DHE1J
低调的空间
适合自动放置
玻璃钝化芯片路口
低正向压降
低漏电流
高正向浪涌能力
高温焊接:
260 ℃ / 10秒码头
按照组分
符合RoHS 2002/95/1和WEEE 2002/96 / EC
案例:
JEDEC SOD- 123FL模压塑料
身体在玻璃钝化芯片
终端:
焊接镀,每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
极性:
激光频带端为负极
( TA = 25
°C
除非另有说明)
DHE-符号DHE1A DHE1B DHE1D DHE1F DHE1G DHE1J
单位
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
在1.0A最大瞬时电压forwad
反向电流最大DC
T
A
= 25
在额定阻断电压DC
T
A
= 100℃
最大反向恢复时间
在我
F
= 0.5 A,I
R
= 1.0 A,I
rr
= 0.25 A
在4.0 V, 1MHz的典型结电容
工作结存储
温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
T
J
, T
英镑
50
35
50
100
70
100
200
140
200
1
25
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
A
1.0
5.0
100
50
20
–55
+150
1.3
1.7
V
μA
75
nS
pF
lizhenhui MB : + 86-13537087568电邮: dgjifu@qq.com
DHE1A DHE1J
lizhenhui MB : + 86-13537087568电邮: dgjifu@qq.com
DHE1A THRU DHE1M
表面贴装高效率整流
反向电压 - 50到1000伏特
正向电流 - 1.0安培
SOD-123FL
阴极带
顶视图
特点
玻璃钝化装置
适用于地表mouted应用
低反向漏
冶金结合建设
高温焊接保证:
250 ℃/ 10秒0.375
设计(9.5mm )引线长度,
5磅。 ( 2.3千克)张力
2.8
±
0.1
1.3± 0.15
0.10-0.30
0.6
±
0.25
1.0±
0.2
1.8± 0.1
机械数据
案例:
JEDEC SOD- 123FL模压塑料车身超过钝化芯片
终端:
镀轴向引线,每MIL -STD -750焊接的,
方法2026
极性:
颜色频带端为负极
安装位置:
任何
重量: 0.0007
盎司, 0.02克
3.7
±
0.2
单位:毫米
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹,电阻或电感性负载,容性负载电流降额20% 。
符号
MDD产品目录号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压at1.0A
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=100 C
最大反向恢复时间(注1 )
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
DHE1A DHE1B DHE1D DHE1G DHE1J DHE1K DHE1M
U1A
U1B
U1D
U1G
U1J
U1K
U1M
单位
AMP
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
FSM
V
F
I
R
TRR
50
1.0
1.4
25.0
1.7
安培
A
75
ns
K / W
C
5.0
100.0
180
-50至+150
典型热阻
R
θ
JA
工作结温和存储温度范围T
J
,
T
英镑
注意:
1.Measured与IF = 0.5A , IR = 1A , IRR = 0.25A 。
MDD电子
额定值和特性曲线DHE1A THRU DHE1M
正向平均整流电流,
安培
图。 1正向电流降额曲线
图。 2 ,最大非重复峰值正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流,
安培
30
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
1.0
25
0.8
20
0.6
15
0.4
单相
半波60Hz的
电阻或
感性负载
10
0.2
5.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
10
100
循环次数在60赫兹
环境温度,C
瞬时反向电流,
微安
图。 3 ,典型正向
特征
图。 4 ,典型的反向特性
1,000
正向
当前,安培
20
10
T
J
=25 C
脉冲宽度= 300
s
1 %占空比
100
1
TJ = 100℃
10
0.1
DHE1A-DHE1D
DHE1G
DHE1J-DHE1M
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.0
1
TJ = 25℃
0.1
0.01
0.01
0
20
40
60
80
100
正向电压,
百分之峰值反向电压, %
MDD电子
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DHE1D
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
DHE1D
FUXINSEMI(富芯森美)
21+
16200
SOD-123
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