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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第604页 > DG9461DV
DG9461
Vishay Siliconix公司
低电压单SPDT模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
D
低工作电压( 2.7至+5 V )
低导通电阻 - R的
DS (上
): 40
W
快速切换 - 吨
ON
: 35纳秒,T
关闭
: 20纳秒
低漏 - 我
COM(上)
: 200 pA的最大
低电荷注入 - Q
INJ
量:1件
低功耗
TTL / CMOS兼容
ESD保护> 2000伏(方法3015.7 )
可在TSOP -6和SOIC- 8
好处
D
D
D
D
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间( TSOP - 6 )
应用
D
D
D
D
D
D
D
电池供电系统
便携式测试设备
采样和保持电路
手机
通信系统
军方电台
PBX , PABX和指导
控制系统
描述
该DG9461是一个单刀/双掷单片CMOS
模拟设备设计的高性能开关
模拟信号。结合低功耗,高速(T
ON
: 35纳秒,
t
关闭
: 20毫微秒) ,低导通电阻(R
DS ( ON)
: 40
W)
和小
物理尺寸( TSOP- 6)中, DG9461是适用于便携式和
电池供电应用要求高性能和
有效地利用电路板空间。
该DG9461采用Vishay Siliconix公司的低电压BCD- 15
流程。最低的ESD保护,每个方法3015.7 ,是
2000五外延层可防止闩锁。先开
-make是保证DG9461 。
每个开关进行同样在两个方向上时,
并阻止了电源电平的时候了。
功能框图及引脚配置
TSOP-6
IN
V+
GND
1
2
3
顶视图
6
5
4
NO
COM
NC
0
1
ON
关闭
逻辑“0”的
v0.8
V
逻辑“ 1 ”W 2.4 V
关闭
ON
真值表
逻辑
NC
NO
SOIC-8
NO
COM
NC
GND
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
V+
IN
*
*
订购信息
温度范围
-40到85°C
SOIC-8
DG9461DY
TSOP-6
产品型号
DG9461DV
*未连接
文档编号: 70832
S- 63597 -REV 。 B, 26 -JUL- 99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-1
DG9461
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3至+13 V
IN, COM ,NC , NO
a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-0.3到(V + + 0.3V)
连续电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"20
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"40
mA
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比)
ESD (方法3015.7 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 > 2000伏
存储温度(D后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 125°C
功率耗散(包)
b
8引脚窄体SOIC
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
注意事项:
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
规格( V + = 3V)
测试条件
否则,除非指定
参数
P
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS ( ON)
MATCH
d
r
DS ( ON)
平整度
f
NO或NC关闭泄漏电流
g
COM关闭泄漏电流
g
信道泄漏电流
g
V
类似物
r
DS ( ON)
Dr
DS ( ON)
r
DS ( ON)
平整度
I
NO / NC (关闭)
I
COM (关闭)
I
COM(上)
V
NO
或V
NC
= 1.5 V, V+ = 2.7 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
V
NO
或V
NC
= 1和2 V
V
NO
或V
NC
= 1 V / 2 V, V
COM
= 2 V / 1 V
V
COM
= 1 V / 2 V, V
NO
或V
NC
= 2 V / 1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V / 2 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
-100
–5000
-100
–5000
-200
–10000
0
50
0.4
4
5
5
10
3
80
140
2
8
100
5000
100
5000
200
10000
pA
A
W
V
后缀
-40到85°C
符号
S B升
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
温度
a
T
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入电流
I
INL
还是我
INH
1
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
关断隔离
源关断电容
通道导通电容
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
C
S( OFF)
C
D(上)
C
L
= 1 NF,电动势Vgen = 0 V , RGEN = 0
W
R
L
= 50
W,
C
L
= 5 PF, F = 1兆赫
F = 1 MHz的
房间
32
V
NO
或V
NC
= 1 5 V
1.5
房间
房间
房间
房间
房间
房间
3
50
20
20
1
–74
7
pF
5
pC
dB
120
200
50
120
ns
电源
电源电压范围
电源电流
注意事项:
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
房间= 25 ° C,完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
通过设计保证,也不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
差的最小值和最大值。
5 -V漏测试Guraranteed ,未经生产测试..
文档编号: 70832
S- 63597 -REV 。 B, 26 -JUL- 99
V+
I+
V+ = 3.3 V, V
IN
= 0或3.3 V
2.7
12
1
V
mA
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-2
DG9461
Vishay Siliconix公司
规格( V + = 5 V)
测试条件
否则,除非指定
参数
P
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS ( ON)
MATCH
d
r
DS ( ON)
平整度
f
NO或NC关闭泄漏电流
COM关闭泄漏电流
信道泄漏电流
V
类似物
r
DS ( ON)
Dr
DS ( ON)
r
DS ( ON)
平整度
I
NO / NC (关闭)
I
COM (关闭)
I
COM(上)
V
NO
或V
NC
= 3.5 V, V+ = 4.5 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
V
NO
或V
NC
= 1,2,和3伏
V
NO
或V
NC
= 1 V / 4 V, V
COM
= 4 V / 1 V
V
COM
= 1 V / 4 V, V
NO
或V
NC
= 4 V / 1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V / 4 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
-100
–5000
-100
–5000
-200
–10000
0
30
0.4
2
10
10
5
60
75
2
6
100
5000
100
5000
200
10000
pA
A
W
V
后缀
-40到85°C
符号
S B升
V+ = 5 V,
"10%,
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
温度
a
T
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入电流
I
INL
还是我
INH
1
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
关断隔离
NC和NO电容
通道导通电容
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
C
(关闭)
C
D(上)
C
L
= 1 nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
R
L
= 50
W,
C
L
= 5 PF, F = 1兆赫
F = 1 MHz的
房间
32
3.0
V
NO
或V
NC
= 3 0 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
3
35
20
10
2
–74
–7
pF
5
pC
dB
75
150
50
100
ns
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V+ = 5.5 V, V
IN
= 0或5.5 V
2.7
12
1
V
mA
注意事项:
a.
b.
c.
d.
e.
f.
房间= 25 ° C,完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
通过设计保证,也不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
差的最小值和最大值。
文档编号: 70832
S- 63597 -REV 。 B, 26 -JUL- 99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-3
DG9461
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
电荷注入
2.0
1.5
1.0
0.5
Q
INJ
(PC)的
0.0
–0.5
–1.0
–1.5
–2
0
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
I
供应
(
m
A)
V+ = 3 V
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
V+ = 3 V
–500
0
1
2
V
IN
3
4
5
V+ = 5 V
电源电流与V
IN
漏电流与温度的关系
10 nA的
–40
关断隔离与频率的关系
1 nA的
OFF-隔离度(dB )
125
I
COM (关闭)
(A)
–60
100 pA的
I
COM (关闭)
10 pA的
I
COM(上)
–80
–100
1 pA的
–120
0.1帕
25
45
65
85
105
–140
0.001 M
0.01 M
0.1 M
频率(Hz)
1M
10 M
温度(℃)
关断漏与电压@ 25_C
2.5
2.0
1.5
60
1.0
I
关闭
( PA )
0.5
0.0
–0.5
–1.0
20
–1.5
–2.0
–2.5
0
1
2
V
COM
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
4
5
0
0
1
I
NO / NC
r
DS ( ON)
(
W
)
I
COM
V+ = 5 V
80
r
DS
与V
COM
V+ = 3 V
40
V+ = 5 V
2
V
COM
3
4
5
4-4
文档编号: 70832
S- 63597 -REV 。 B, 26 -JUL- 99
DG9461
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
r
DS
与V
COM
80
70
V+ = 3 V
60
60
r
DS ( ON)
(
W
)
85_C
50
25_C
40
40_C
t
ON
/ t
关闭
(纳秒)
40
30
t
关闭
20
10
0
0
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
0
–60
t
ON
开关时间与温度的关系
20
–30
0
30
60
90
120
温度(℃)
t
ON
/t
关闭
- 电源电压
120
输入交换点与电源电压
2.25
2.00
1.75
100
T(纳秒)
V
IN
( SW)的
t
ON
t
关闭
80
1.50
1.25
1.00
60
40
20
0.75
0.5
2.0
2.5
3.0
V+
3.5
4.0
4.5
5.0
2
3
4
V+
5
6
0
1.5
文档编号: 70832
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4-5
DG9461
Vishay Siliconix公司
低电压单SPDT模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
D
低工作电压( 2.7至+5 V )
低导通电阻 - R的
DS (上
): 40
W
快速切换 - 吨
ON
: 35纳秒,T
关闭
: 20纳秒
低漏 - 我
COM(上)
: 200 pA的最大
低电荷注入 - Q
INJ
量:1件
低功耗
TTL / CMOS兼容
ESD保护> 2000伏(方法3015.7 )
可在TSOP -6和SOIC- 8
好处
D
D
D
D
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间( TSOP - 6 )
应用
D
D
D
D
D
D
D
电池供电系统
便携式测试设备
采样和保持电路
手机
通信系统
军方电台
PBX , PABX和指导
控制系统
描述
该DG9461是一个单刀/双掷单片CMOS
模拟设备设计的高性能开关
模拟信号。结合低功耗,高速(T
ON
: 35纳秒,
t
关闭
: 20毫微秒) ,低导通电阻(R
DS ( ON)
: 40
W)
和小
物理尺寸( TSOP- 6)中, DG9461是适用于便携式和
电池供电应用要求高性能和
有效地利用电路板空间。
该DG9461采用Vishay Siliconix公司的低电压BCD- 15
流程。最低的ESD保护,每个方法3015.7 ,是
2000五外延层可防止闩锁。先开
-make是保证DG9461 。
每个开关进行同样在两个方向上时,
并阻止了电源电平的时候了。
功能框图及引脚配置
TSOP-6
IN
V+
GND
1
2
3
顶视图
6
5
4
NO
COM
NC
0
1
ON
关闭
逻辑“0”的
v0.8
V
逻辑“ 1 ”W 2.4 V
关闭
ON
真值表
逻辑
NC
NO
SOIC-8
NO
COM
NC
GND
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
V+
IN
*
*
订购信息
温度范围
-40到85°C
SOIC-8
DG9461DY
TSOP-6
产品型号
DG9461DV
*未连接
文档编号: 70832
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www.vishay.com
S
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4-1
DG9461
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3至+13 V
IN, COM ,NC , NO
a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-0.3到(V + + 0.3V)
连续电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"20
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"40
mA
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比)
ESD (方法3015.7 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 > 2000伏
存储温度(D后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 125°C
功率耗散(包)
b
8引脚窄体SOIC
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
注意事项:
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
规格( V + = 3V)
测试条件
否则,除非指定
参数
P
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS ( ON)
MATCH
d
r
DS ( ON)
平整度
f
NO或NC关闭泄漏电流
g
COM关闭泄漏电流
g
信道泄漏电流
g
V
类似物
r
DS ( ON)
Dr
DS ( ON)
r
DS ( ON)
平整度
I
NO / NC (关闭)
I
COM (关闭)
I
COM(上)
V
NO
或V
NC
= 1.5 V, V+ = 2.7 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
V
NO
或V
NC
= 1和2 V
V
NO
或V
NC
= 1 V / 2 V, V
COM
= 2 V / 1 V
V
COM
= 1 V / 2 V, V
NO
或V
NC
= 2 V / 1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V / 2 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
-100
–5000
-100
–5000
-200
–10000
0
50
0.4
4
5
5
10
3
80
140
2
8
100
5000
100
5000
200
10000
pA
A
W
V
后缀
-40到85°C
符号
S B升
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
温度
a
T
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入电流
I
INL
还是我
INH
1
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
关断隔离
源关断电容
通道导通电容
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
C
S( OFF)
C
D(上)
C
L
= 1 NF,电动势Vgen = 0 V , RGEN = 0
W
R
L
= 50
W,
C
L
= 5 PF, F = 1兆赫
F = 1 MHz的
房间
32
V
NO
或V
NC
= 1 5 V
1.5
房间
房间
房间
房间
房间
房间
3
50
20
20
1
–74
7
pF
5
pC
dB
120
200
50
120
ns
电源
电源电压范围
电源电流
注意事项:
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
房间= 25 ° C,完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
通过设计保证,也不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
差的最小值和最大值。
5 -V漏测试Guraranteed ,未经生产测试..
文档编号: 70832
S- 63597 -REV 。 B, 26 -JUL- 99
V+
I+
V+ = 3.3 V, V
IN
= 0或3.3 V
2.7
12
1
V
mA
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-2
DG9461
Vishay Siliconix公司
规格( V + = 5 V)
测试条件
否则,除非指定
参数
P
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS ( ON)
MATCH
d
r
DS ( ON)
平整度
f
NO或NC关闭泄漏电流
COM关闭泄漏电流
信道泄漏电流
V
类似物
r
DS ( ON)
Dr
DS ( ON)
r
DS ( ON)
平整度
I
NO / NC (关闭)
I
COM (关闭)
I
COM(上)
V
NO
或V
NC
= 3.5 V, V+ = 4.5 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
V
NO
或V
NC
= 1,2,和3伏
V
NO
或V
NC
= 1 V / 4 V, V
COM
= 4 V / 1 V
V
COM
= 1 V / 4 V, V
NO
或V
NC
= 4 V / 1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V / 4 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
-100
–5000
-100
–5000
-200
–10000
0
30
0.4
2
10
10
5
60
75
2
6
100
5000
100
5000
200
10000
pA
A
W
V
后缀
-40到85°C
符号
S B升
V+ = 5 V,
"10%,
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
温度
a
T
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入电流
I
INL
还是我
INH
1
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
关断隔离
NC和NO电容
通道导通电容
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
C
(关闭)
C
D(上)
C
L
= 1 nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
R
L
= 50
W,
C
L
= 5 PF, F = 1兆赫
F = 1 MHz的
房间
32
3.0
V
NO
或V
NC
= 3 0 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
3
35
20
10
2
–74
–7
pF
5
pC
dB
75
150
50
100
ns
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V+ = 5.5 V, V
IN
= 0或5.5 V
2.7
12
1
V
mA
注意事项:
a.
b.
c.
d.
e.
f.
房间= 25 ° C,完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
通过设计保证,也不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
差的最小值和最大值。
文档编号: 70832
S- 63597 -REV 。 B, 26 -JUL- 99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-3
DG9461
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
电荷注入
2.0
1.5
1.0
0.5
Q
INJ
(PC)的
0.0
–0.5
–1.0
–1.5
–2
0
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
I
供应
(
m
A)
V+ = 3 V
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
V+ = 3 V
–500
0
1
2
V
IN
3
4
5
V+ = 5 V
电源电流与V
IN
漏电流与温度的关系
10 nA的
–40
关断隔离与频率的关系
1 nA的
OFF-隔离度(dB )
125
I
COM (关闭)
(A)
–60
100 pA的
I
COM (关闭)
10 pA的
I
COM(上)
–80
–100
1 pA的
–120
0.1帕
25
45
65
85
105
–140
0.001 M
0.01 M
0.1 M
频率(Hz)
1M
10 M
温度(℃)
关断漏与电压@ 25_C
2.5
2.0
1.5
60
1.0
I
关闭
( PA )
0.5
0.0
–0.5
–1.0
20
–1.5
–2.0
–2.5
0
1
2
V
COM
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
4
5
0
0
1
I
NO / NC
r
DS ( ON)
(
W
)
I
COM
V+ = 5 V
80
r
DS
与V
COM
V+ = 3 V
40
V+ = 5 V
2
V
COM
3
4
5
4-4
文档编号: 70832
S- 63597 -REV 。 B, 26 -JUL- 99
DG9461
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
r
DS
与V
COM
80
70
V+ = 3 V
60
60
r
DS ( ON)
(
W
)
85_C
50
25_C
40
40_C
t
ON
/ t
关闭
(纳秒)
40
30
t
关闭
20
10
0
0
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
0
–60
t
ON
开关时间与温度的关系
20
–30
0
30
60
90
120
温度(℃)
t
ON
/t
关闭
- 电源电压
120
输入交换点与电源电压
2.25
2.00
1.75
100
T(纳秒)
V
IN
( SW)的
t
ON
t
关闭
80
1.50
1.25
1.00
60
40
20
0.75
0.5
2.0
2.5
3.0
V+
3.5
4.0
4.5
5.0
2
3
4
V+
5
6
0
1.5
文档编号: 70832
S- 63597 -REV 。 B, 26 -JUL- 99
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DG9461
Vishay Siliconix公司
低电压单SPDT模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
D
低工作电压( 2.7至+5 V )
低导通电阻 - R的
DS (上
): 40
W
快速切换 - 吨
ON
: 35纳秒,T
关闭
: 20纳秒
低漏 - 我
COM(上)
: 200 pA的最大
低电荷注入 - Q
INJ
量:1件
低功耗
TTL / CMOS兼容
ESD保护> 2000伏(方法3015.7 )
可在TSOP -6和SOIC- 8
好处
D
D
D
D
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间( TSOP - 6 )
应用
D
D
D
D
D
D
D
电池供电系统
便携式测试设备
采样和保持电路
手机
通信系统
军方电台
PBX , PABX和指导
控制系统
描述
该DG9461是一个单刀/双掷单片CMOS
模拟设备设计的高性能开关
模拟信号。结合低功耗,高速(T
ON
: 35纳秒,
t
关闭
: 20毫微秒) ,低导通电阻(R
DS ( ON)
: 40
W)
和小
物理尺寸( TSOP- 6)中, DG9461是适用于便携式和
电池供电应用要求高性能和
有效地利用电路板空间。
该DG9461采用Vishay Siliconix公司的低电压BCD- 15
流程。最低的ESD保护,每个方法3015.7 ,是
2000五外延层可防止闩锁。先开
-make是保证DG9461 。
每个开关进行同样在两个方向上时,
并阻止了电源电平的时候了。
功能框图及引脚配置
TSOP-6
IN
V+
GND
1
2
3
顶视图
6
5
4
NO
COM
NC
0
1
ON
关闭
逻辑“0”的
v0.8
V
逻辑“ 1 ”W 2.4 V
关闭
ON
真值表
逻辑
NC
NO
SOIC-8
NO
COM
NC
GND
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
V+
IN
*
*
订购信息
温度范围
-40到85°C
SOIC-8
DG9461DY
TSOP-6
产品型号
DG9461DV
*未连接
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S
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DG9461
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3至+13 V
IN, COM ,NC , NO
a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-0.3到(V + + 0.3V)
连续电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"20
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"40
mA
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比)
ESD (方法3015.7 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 > 2000伏
存储温度(D后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 125°C
功率耗散(包)
b
8引脚窄体SOIC
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
注意事项:
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
规格( V + = 3V)
测试条件
否则,除非指定
参数
P
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS ( ON)
MATCH
d
r
DS ( ON)
平整度
f
NO或NC关闭泄漏电流
g
COM关闭泄漏电流
g
信道泄漏电流
g
V
类似物
r
DS ( ON)
Dr
DS ( ON)
r
DS ( ON)
平整度
I
NO / NC (关闭)
I
COM (关闭)
I
COM(上)
V
NO
或V
NC
= 1.5 V, V+ = 2.7 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
V
NO
或V
NC
= 1和2 V
V
NO
或V
NC
= 1 V / 2 V, V
COM
= 2 V / 1 V
V
COM
= 1 V / 2 V, V
NO
或V
NC
= 2 V / 1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V / 2 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
-100
–5000
-100
–5000
-200
–10000
0
50
0.4
4
5
5
10
3
80
140
2
8
100
5000
100
5000
200
10000
pA
A
W
V
后缀
-40到85°C
符号
S B升
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
温度
a
T
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入电流
I
INL
还是我
INH
1
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
关断隔离
源关断电容
通道导通电容
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
C
S( OFF)
C
D(上)
C
L
= 1 NF,电动势Vgen = 0 V , RGEN = 0
W
R
L
= 50
W,
C
L
= 5 PF, F = 1兆赫
F = 1 MHz的
房间
32
V
NO
或V
NC
= 1 5 V
1.5
房间
房间
房间
房间
房间
房间
3
50
20
20
1
–74
7
pF
5
pC
dB
120
200
50
120
ns
电源
电源电压范围
电源电流
注意事项:
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
房间= 25 ° C,完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
通过设计保证,也不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
差的最小值和最大值。
5 -V漏测试Guraranteed ,未经生产测试..
文档编号: 70832
S- 63597 -REV 。 B, 26 -JUL- 99
V+
I+
V+ = 3.3 V, V
IN
= 0或3.3 V
2.7
12
1
V
mA
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S
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DG9461
Vishay Siliconix公司
规格( V + = 5 V)
测试条件
否则,除非指定
参数
P
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS ( ON)
MATCH
d
r
DS ( ON)
平整度
f
NO或NC关闭泄漏电流
COM关闭泄漏电流
信道泄漏电流
V
类似物
r
DS ( ON)
Dr
DS ( ON)
r
DS ( ON)
平整度
I
NO / NC (关闭)
I
COM (关闭)
I
COM(上)
V
NO
或V
NC
= 3.5 V, V+ = 4.5 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
V
NO
或V
NC
= 1,2,和3伏
V
NO
或V
NC
= 1 V / 4 V, V
COM
= 4 V / 1 V
V
COM
= 1 V / 4 V, V
NO
或V
NC
= 4 V / 1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V / 4 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
-100
–5000
-100
–5000
-200
–10000
0
30
0.4
2
10
10
5
60
75
2
6
100
5000
100
5000
200
10000
pA
A
W
V
后缀
-40到85°C
符号
S B升
V+ = 5 V,
"10%,
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
温度
a
T
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入电流
I
INL
还是我
INH
1
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
关断隔离
NC和NO电容
通道导通电容
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
C
(关闭)
C
D(上)
C
L
= 1 nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
R
L
= 50
W,
C
L
= 5 PF, F = 1兆赫
F = 1 MHz的
房间
32
3.0
V
NO
或V
NC
= 3 0 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
3
35
20
10
2
–74
–7
pF
5
pC
dB
75
150
50
100
ns
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V+ = 5.5 V, V
IN
= 0或5.5 V
2.7
12
1
V
mA
注意事项:
a.
b.
c.
d.
e.
f.
房间= 25 ° C,完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
通过设计保证,也不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
差的最小值和最大值。
文档编号: 70832
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DG9461
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
电荷注入
2.0
1.5
1.0
0.5
Q
INJ
(PC)的
0.0
–0.5
–1.0
–1.5
–2
0
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
I
供应
(
m
A)
V+ = 3 V
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
V+ = 3 V
–500
0
1
2
V
IN
3
4
5
V+ = 5 V
电源电流与V
IN
漏电流与温度的关系
10 nA的
–40
关断隔离与频率的关系
1 nA的
OFF-隔离度(dB )
125
I
COM (关闭)
(A)
–60
100 pA的
I
COM (关闭)
10 pA的
I
COM(上)
–80
–100
1 pA的
–120
0.1帕
25
45
65
85
105
–140
0.001 M
0.01 M
0.1 M
频率(Hz)
1M
10 M
温度(℃)
关断漏与电压@ 25_C
2.5
2.0
1.5
60
1.0
I
关闭
( PA )
0.5
0.0
–0.5
–1.0
20
–1.5
–2.0
–2.5
0
1
2
V
COM
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
4
5
0
0
1
I
NO / NC
r
DS ( ON)
(
W
)
I
COM
V+ = 5 V
80
r
DS
与V
COM
V+ = 3 V
40
V+ = 5 V
2
V
COM
3
4
5
4-4
文档编号: 70832
S- 63597 -REV 。 B, 26 -JUL- 99
DG9461
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
r
DS
与V
COM
80
70
V+ = 3 V
60
60
r
DS ( ON)
(
W
)
85_C
50
25_C
40
40_C
t
ON
/ t
关闭
(纳秒)
40
30
t
关闭
20
10
0
0
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
0
–60
t
ON
开关时间与温度的关系
20
–30
0
30
60
90
120
温度(℃)
t
ON
/t
关闭
- 电源电压
120
输入交换点与电源电压
2.25
2.00
1.75
100
T(纳秒)
V
IN
( SW)的
t
ON
t
关闭
80
1.50
1.25
1.00
60
40
20
0.75
0.5
2.0
2.5
3.0
V+
3.5
4.0
4.5
5.0
2
3
4
V+
5
6
0
1.5
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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