DG9432 ， DG9433 ， DG9434
Vishay Siliconix公司
低电压双通道SPST模拟开关
描述
该DG9432 ， DG9433 ， DG9434是双路单刀/单
扔单片CMOS模拟开关专为高
模拟信号的开关性能。结合低
大功率，高转速（T
ON
： 25纳秒，T
关闭
： 20纳秒）的DG9432 ，
DG9433 ， DG9434是理想的便携式和电池供电
要求高性能和高效率使用的应用
电路板空间。
该DG9432 ， DG9433 ， DG9434采用Vishay Siliconix公司的
低电压BCD - 15的过程。外延层防止
闭锁。突破前先保证为DG9432 ，
DG9433 ， DG9434 。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并达到了电源时平整块。
特点
宽工作电压（ + 2.7 V至+ 12 V）
低电荷注入 - Q
INJ
量：1件
低功耗
TTL / CMOS逻辑，在整个兼容
工作电压范围
提供MSOP - 8和SOT23-8
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
应用
电池供电系统
便携式测试设备
采样和保持电路
手机
通信系统
军方电台
PBX ， PABX制导和控制系统
功能框图及引脚配置
- DG9432
DG9432 ， MSOP- 8
NC
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
顶视图
器件标识：
9432
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NC
2
NC
1
DG9432 ， SOT23-8
1
2
3
4
顶视图
器件标识：
4G
8
7
6
5
COM
1
IN
1
GND
NC
2
V+
IN
2
COM
2
真值表
DG9432
逻辑
0
1
开关
On
关闭
文档编号： 72311
S11-1029 -REV 。 B， 23日， 11
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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DG9432 ， DG9433 ， DG9434
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置 - DG9433 / DG9434
DG9433 ， MSOP- 8
NO
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
顶视图
器件标识：
9433
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NO
2
NO
1
V+
IN
2
COM
2
1
2
3
4
DG9433 。 SOT23-8
8
7
6
5
顶视图
器件标识：
4H
COM
1
IN
1
GND
NO
2
真值表
DG9433
逻辑
0
1
开关
关闭
On
DG9434 ， MSOP- 8
NO
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
顶视图
器件标识：
9434
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NC
2
NO
1
V+
IN
2
COM
2
1
2
3
4
DG9434 。 SOT23-8
8
7
6
5
顶视图
器件标识：
4I
COM
1
IN
1
GND
NC
2
真值表
DG9434
逻辑
0
1
Switch-1
关闭
On
Switch-2
On
关闭
订购信息
TEMP 。 RANGE
包
MSOP-8
- 40 ° C至85°C
SOT23-8
产品型号
DG9432DQ-T1-E3
DG9433DQ-T1-E3
DG9434DQ-T1-E3
DG9432DS-T1-E3
DG9433DS-T1-E3
DG9433DS-T1-E3
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2
文档编号： 72311
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DG9432 ， DG9433 ， DG9434
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
参考V +至GND
IN， COM ，NC ， NO
a
极限
- 0.3 + 13.5
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 10
± 20
- 65 150
MSOP-8
c
SOT23-8
c
320
515
单位
V
mA
°C
mW
连续电流（任何终端）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
功率耗散（包）
b
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/°C， 75°C以上。
特定网络阳离子
V+ = 3 V
测试条件
否则，除非指定
V+ = 3.3 V, ± 10 %
,
V
IN
= 0.4 V或1.8 V
e
范围
- 40 ° C° C至85°C
温度。
a
满
V + = 2.7 V，I
COM
= 1毫安， V
COM
= 1.5 V
房间
满
房间
满
满
-1
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
60
14
0.16
77
55
98
7.5
7.8
22
pF
dB
80
100
25
35
1.8
0.4
1
分钟。
c
V-
81
0.4
典型值。
b
马克斯。
c
V+
100
120
3.0
V
单位
参数
开关导通电阻
模拟信号范围
e
漏极 - 源极导通电阻
R
ON
MATCH
d
符号
V
类似物
R
（上）
R
on
V
INH
V
INL
I
INH
数字控制
输入高电压
输入，低电压
输入电流
动态特性
突破前先
D，G
开启
打开-O FF
时间
d
时间
d
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
NO / NC （关闭）
C
COM （关闭）
C
COM（上）
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
,
V
g
= 0 V
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
F = 1 MHz的
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
F = 10MHz的
R
L
= 50
,
F = 1MHz时， V + = 2.5 V
F = 1MHz时， V
NC / NO
= 0 V
F = 1 MHz的V
COM
= 0 V
V + = 3 V ，R
L
= 300
V
NO
= V
NC
= 1.5 V
C
L
= 35 pF的，V
IN
= 0 V, 3 V
V +范围2.7 5 V
V
A
ns
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
流掉电容
d
排水导通电容
d
pC
V+ = 3.3 V, V
IN
= 0或V +的
房间
-1
-1
A
电源电流
I+
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于在数据资料。
。保证了设计，不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。通过12 V泄漏检测保证，未经生产测试。
克。适用于DG9434只。
文档编号： 72311
S11-1029 -REV 。 B， 23日， 11
www.vishay.com
3
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DG9432 ， DG9433 ， DG9434
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
V+ = 5 V
测试条件
否则，除非指定
V+ = 5 V, ± 10 %
,
V
IN
= 0.4 V或1.8 V
e
范围
- 40 ° C° C至85°C
温度。
a
满
V + = 4.5 V，I
COM
= 1毫安
V
COM
= 2.5 V或3.5 V
V + = 4.5 V，I
COM
= 1毫安， V
COM
= 3.5 V
房间
满
房间
房间
满
V+ = 5 V, V
COM
= 0.5 V, 4.5 V
V
NC / NO
= 4.5 V, 0.5 V
房间
满
房间
满
满
满
-1
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
-1
1
33
10
0.56
76
54
96
7.5
7.8
22
-1
A
pF
dB
60
70
20
30
pC
ns
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
1.8
0.4
1
分钟。
c
V-
39
0.3
0.3
0.3
0.3
典型值。
b
马克斯。
c
V+
60
70
3.0
1
10
1
10
1
10
nA
V
单位
参数
开关导通电阻
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
MATCH
关机漏电流
f
符号
V
类似物
R
（上）
R
（上）
I
NC / NO （OFF）的
I
COM （关闭）
通道泄漏电流
f
数字控制
输入高电压
输入，低电压
输入电流
动态特性
突破前先
D，G
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
流掉电容
d
排水导通电容
d
电源电流
I
COM（上）
V
INH
V
INL
I
INH
V +范围2.7 5 V
V
A
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
NC / NO （OFF）的
C
COM （关闭）
C
COM（上）
I+
V + = 5 V ，R
L
= 300
V
NO
= V
NC
= 3 V
C
L
= 35 pF的，V
IN
= 0 V, 5 V
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
,
V
g
= 0 V
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
F = 1 MHz的
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
F = 10MHz时， V + = 5 V
R
L
= 50
,
F = 1MHz时， V + = 5 V
F = 1MHz时， V
NC / NO
= 0 V
F = 1MHz时， V
COM
= 0 V
V+ = 5.5 V, V
IN
= 0或V +的
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于在数据资料。
。保证了设计，不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。通过12 V泄漏检测保证，未经生产测试。
克。适用于DG9434只。
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4
文档编号： 72311
S11-1029 -REV 。 B， 23日， 11
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DG9432 ， DG9433 ， DG9434
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
V+ = 12 V
测试条件
否则，除非指定
V+ = 12 V, ± 10 %
,
V
IN
= 0.8 V或2.4 V
e
范围
- 40 ° C° C至85°C
温度。
a
满
V + = 10.8 V，I
COM
= 1毫安， V
COM
= 9 V
房间
满
房间
房间
满
V+ = 12 V, V
S
= 1/11 V, V
COM
= 11/1 V
房间
满
房间
满
满
满
0.8
-1
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
-1
1
21
6
0.36
75
53
96
7.5
7.8
22
-1
A
pF
dB
35
40
18
25
pC
ns
1
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
分钟。
c
V-
19
0.3
0.3
0.3
0.3
典型值。
b
马克斯。
c
V+
30
40
3.0
1
10
1
10
1
10
2.4
nA
V
单位
参数
开关导通电阻
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
MATCH
关机漏电流
a
符号
V
类似物
R
（上）
R
（上）
I
NC / NO （OFF）的
I
COM （关闭）
通道泄漏电流
a
数字控制
输入高电压
输入，低电压
输入电流
动态特性
突破前先
D，G
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
流掉电容
d
排水导通电容
d
电源电流
I
COM（上）
V
INH
V
INL
I
INH
V+ = 12 V
V
A
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
NO / NC （关闭）
C
COM （关闭）
C
COM（上）
I+
V + = 12 V ，R
L
= 300
V
NO
= V
NC
= 8 V
C
L
= 35 pF的，V
IN
= 0 V, 12 V
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
,
V
g
= 0 V, V+ = 5 V
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
F = 1 MHz的
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
F = 10MHz的
R
L
= 50
,
F = 1MHz时， V + = 5 V
F = 1MHz时， V
NC / NO
= 0 V
F = 1MHz时， V
COM
= 0 V
V+ = 12 V, V
IN
= 0或V +的
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于在数据资料。
。保证了设计，不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。通过12 V泄漏检测保证，未经生产测试。
克。适用于DG9434只。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 72311
S11-1029 -REV 。 B， 23日， 11
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5
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
QQ：2880707522 复制
