DG9421 ， DG9422
Vishay Siliconix公司
精密，低电压，低毛刺CMOS模拟开关
描述
采用BiCMOS晶片加工技术使
DG9421 ， DG9422对单，双电源供电。
专为在采用5 V单和双最佳性能
± 5 V时， DG9421 ， DG9422结合低平
导通电阻（3-
Ω),
速度快（T
ON
= 38毫微秒），并且是很好
适合于各种应用，其中信号的切换准确性，低
噪声和低失真是重要的。
该DG9421和DG9422应对反控制逻辑
如图所示的真值表。
特点
2.7-至12 V单电源或
± 2.7 ±直通6 -双电源供电
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 2.0
Ω
在12 V
快速开关 - 吨
ON
： 28纳秒
- t
关闭
： 22纳秒
TTL和低电压逻辑
低泄漏： 10 pA的（典型值）。
> 2000伏ESD保护
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
精度高
高速，低干扰
单路和双路供电能力
低R
ON
小TSOP封装
低漏
低功耗
应用
自动测试设备
数据采集
xDSL和DSLAM
PBX系统
干簧继电器更换
音频和视频信号路由
功能框图及引脚配置
TSOP-6
V+
COM
V-
1
2
3
顶视图
器件标识：
DG9421DV = 4Exxx
6
5
4
IN
NC
GND
真值表
逻辑
0
1
DG9421
ON
关闭
DG9422
关闭
ON
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
开关所逻辑"0"输入
TSOP-6
V+
COM
V-
1
2
3
顶视图
器件标识：
DG9422DV = 4Fxxx
6
5
4
IN
NO
GND
订购信息
TEMP 。 RANGE
包
产品型号
DG9421DV-T1
DG9421DV-T1-E3
DG9422DV-T1
DG9422DV-T1-E3
- 40 ° C至85°C
6 /引脚TSOP
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70679
S- 82265 -REV 。女，29 ， 09月08
www.vishay.com
1
DG9421 ， DG9422
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
V
INA
, V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
功率耗散（包）
b
极限
- 0.3 13
7
- 0.3 （V + + 0.3 ）
或50毫安，以先到者为准
50
100
- 65 150
6引脚TSOP
c
单位
V
V / mA的
mA
°C
mW
570
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免7毫瓦/°C， 25°C以上。
特定网络阳离子
a
单电源12 V
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V + = 10.8 V， V- = 0 V，I
S
= 5毫安， V
D
= 2/9 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
房间
满
V
IN
= 0或12伏
房间
满
房间
满
-1
-5
-1
-5
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
-1
0.02
0.02
20
25
43
- 60
31
30
71
0.02
- 0.002
- 0.002
1
5
A
pF
分钟。
d
0
2.0
典型值。
c
马克斯。
d
12
3
3.4
1
10
1
10
1
10
1
1
45
49
47
59
nA
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
a
漏源
导通电阻
关闭
漏电流
通道上
漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
电荷注入
e
关断隔离
e
源关断电容
e
流掉电容
电源
正电源电流
负电源电流
地电流
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
V
D
= 1/11 V, V
S
= 11/1 V
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
= V
D
= 11/1 V
I
IL
I
IH
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
A
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的，V
S
= 5 V
见图2
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
pC
dB
通道导通电容
e
I+
I-
I
GND
www.vishay.com
2
文档编号： 70679
S- 82265 -REV 。女，29 ， 09月08
DG9421 ， DG9422
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
双电源± 5 V
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = - 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V+ = 5 V, V- = - 5 V
I
S
= 5毫安， V
D
= ± 3.5 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V
V
D
= ± 4.5 V, V
S
= -/+ 4.5 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V
V
S
= V
D
= ± 4.5 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
房间
满
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
-1
-5
-1
-5
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
-1
0.02
0.02
38
45
207
- 57
32
31
71
0.03
- 0.002
- 0.002
1
5
A
pF
分钟。
d
-5
2.2
典型值。
c
马克斯。
d
5
3.2
3.6
1
10
1
10
1
10
1
1
63
68
83
97
nA
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
关闭
漏电流
g
通道上
漏电流
g
数字控制
输入电流，V
IN
低
e
输入电流，V
IN
高
e
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
关断隔离
e
SOURCE OFF
电容
e
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
IL
I
IH
A
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的，V
S
= ± 3.5 V
见图2
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
pC
dB
流掉电容
电源
通道导通电容
e
正电源电流
e
负电源电流
e
地电流
e
I+
I-
I
GND
文档编号： 70679
S- 82265 -REV 。女，29 ， 09月08
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3
DG9421 ， DG9422
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
单电源5 V
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = 0 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V + = 4.5 V，I
S
= 5毫安，
V
D
= 1 V, 3.5 V
房间
满
房间
热
房间
热
房间
房间
热
V
IN
= 0或5伏
房间
热
房间
热
-1
-5
-1
-5
分钟。
d
0
3.6
典型值。
c
马克斯。
d
5
6.0
6.6
67
74
67
80
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
动态特性
开启时间
e
打开-O FF
时间
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
t
ON
t
关闭
Q
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的，V
S
= 3.5 V,
见图2
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
43
30
25
0.02
- 0.002
- 0.002
ns
电荷注入
e
电源
正电源电流
e
负电源电流
e
地电流
e
pC
1
5
A
I+
I-
I
GND
www.vishay.com
4
文档编号： 70679
S- 82265 -REV 。女，29 ， 09月08
DG9421 ， DG9422
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
单电源3 V
测试条件
除非另有说明
V+ = 3 V, V- = 0 V, V
IN
= 0.4 V
f
范围
- 40 ° C至85°C
温度
b
满
V+ = 2.7 V, V- = 0 V
I
S
= 5毫安， V
D
= 0.5, 2.2 V
V+ = 3.3 V, V- = 0 V
V
S
= 1, 2 V, V
D
= 2, 1 V
V+ = 3.3 V, V- = 0 V
V
D
= V
S
= 1, 2 V
V
IN
被测= 0.4 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
-1
0.02
0.02
90
32
31
- 60
35
34
77
pF
分钟。
d
0
7.3
典型值。
c
马克斯。
d
3
8.8
10.1
1
10
1
10
1
10
1
A
1
110
125
84
99
nA
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
关闭
漏电流
g
通道上
漏电流
g
数字控制
输入电流，V
IN
低
e
输入电流，V
IN
高
e
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
关断隔离
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
IL
I
IH
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V
见图2
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
pC
dB
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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S- 82265 -REV 。女，29 ， 09月08
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DG9421 ， DG9422
Vishay Siliconix公司
精密，低电压，低毛刺CMOS模拟开关
描述
采用BiCMOS晶片加工技术使
DG9421 ， DG9422对单，双电源供电。
专为在采用5 V单和双最佳性能
± 5 V时， DG9421 ， DG9422结合低平
导通电阻（3-
),
速度快（T
ON
= 38毫微秒），并且是很好
适合于各种应用，其中信号的切换准确性，低
噪声和低失真是重要的。
该DG9421和DG9422应对反控制逻辑
如图所示的真值表。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
2.7 V至12 V单电源或
± 2.7 V直通± 6 V双电源供电
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 2
在12 V
快速开关 - 吨
ON
： 22纳秒
- t
关闭
： 28纳秒
TTL和低电压逻辑
低泄漏： 10 pA的（典型值）。
> 2000伏ESD保护
好处
精度高
高速，低干扰
单路和双路供电能力
低R
ON
小TSOP封装
低漏
低功耗
应用
自动测试设备
数据采集
xDSL和DSLAM
PBX系统
干簧继电器更换
音频和视频信号路由
功能框图及引脚配置
TSOP-6
V+
COM
V-
1
2
3
顶视图
器件标识：
DG9421DV = 4Exxx
6
5
4
IN
NC
GND
真值表
逻辑
0
1
DG9421
ON
关闭
DG9422
关闭
ON
逻辑"0"
0.8
V
逻辑"1"
2.4
V
开关所逻辑"0"输入
TSOP-6
V+
COM
V-
1
2
3
顶视图
器件标识：
DG9422DV = 4Fxxx
6
5
4
IN
NO
GND
订购信息
TEMP 。 RANGE
包
产品型号
DG9421DV-T1
DG9421DV-T1-E3
DG9422DV-T1
DG9422DV-T1-E3
- 40 ° C至85°C
6 /引脚TSOP
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
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DG9421 ， DG9422
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
V
INA
, V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
功率耗散（包）
b
6引脚TSOP
c
极限
- 0.3 13
7
- 0.3 （V + + 0.3 ）
或50毫安，以先到者为准
50
100
- 65 150
570
单位
V
V / mA的
mA
°C
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免7毫瓦/°C， 25°C以上。
特定网络阳离子
a
（单电源12V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V + = 10.8 V， V- = 0 V，I
S
= 5毫安， V
D
= 2/9 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
房间
满
V
IN
= 0 V或12 V
房间
满
房间
满
-1
-5
-1
-5
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
-1
0.02
0.02
20
25
43
- 60
31
30
71
0.02
- 0.002
- 0.002
1
5
A
pF
分钟。
d
0
2
典型值。
c
马克斯。
d
12
3
3.4
1
10
1
10
1
10
1
1
45
49
47
59
nA
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
a
漏源
导通电阻
关闭
漏电流
通道上
漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
V
D
= 1/11 V, V
S
= 11/1 V
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
= V
D
= 11/1 V
I
IL
I
IH
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
A
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，V
S
= 5 V
见图2
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
电荷注入
e
关断隔离
e
pC
dB
源关断电容
e
流掉电容
e
通道上
电容
e
电源
正电源电流
负电源电流
地电流
I+
I-
I
GND
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文档编号： 70679
S11-1429 -REV 。 G， 18月， 11
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DG9421 ， DG9422
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（双电源± 5 V ）
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = - 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V+ = 5 V, V- = - 5 V
I
S
= 5毫安， V
D
= ± 3.5 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V
V
D
= ± 4.5 V, V
S
= -/+ 4.5 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V
V
S
= V
D
= ± 4.5 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
房间
满
V
IN
= 0 V或5 V
房间
满
房间
满
-1
-5
-1
-5
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
-1
0.02
0.02
38
45
207
- 57
32
31
71
0.03
- 0.002
- 0.002
1
5
A
pF
分钟。
d
-5
2.2
典型值。
c
马克斯。
d
5
3.2
3.6
1
10
1
10
1
10
1
1
63
68
83
97
nA
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
关闭
漏电流
g
通道上
漏电流
g
数字控制
输入电流，V
IN
低
e
输入电流，V
IN
高
e
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
关断隔离
e
源关断电容
e
流掉电容
通道上
电源
正电源电流
e
负电源电流
e
地电流
e
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
IL
I
IH
A
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，V
S
= ± 3.5 V
见图2
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
pC
dB
电容
e
I+
I-
I
GND
文档编号： 70679
S11-1429 -REV 。 G， 18月， 11
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本文如有更改，恕不另行通知。
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DG9421 ， DG9422
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（单电源5V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = 0 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V + = 4.5 V，I
S
= 5毫安，
V
D
= 1 V, 3.5 V
房间
满
房间
热
房间
热
房间
房间
热
V
IN
= 0 V或5 V
房间
热
房间
热
-1
-5
-1
-5
分钟。
d
0
3.6
典型值。
c
马克斯。
d
5
6.0
6.6
67
74
67
80
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
t
ON
t
关闭
Q
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，V
S
= 3.5 V,
见图2
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
= 1 nF的
43
30
25
0.02
- 0.002
- 0.002
ns
电荷注入
e
电源
正电源电流
e
负电源电流
e
地电流
e
pC
1
5
A
I+
I-
I
GND
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DG9421 ， DG9422
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特定网络阳离子
a
（单电源3V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 3 V, V- = 0 V, V
IN
= 0.4 V
f
范围
- 40 ° C至85°C
温度
b
满
V+ = 2.7 V, V- = 0 V
I
S
= 5毫安， V
D
= 0.5, 2.2 V
V+ = 3.3 V, V- = 0 V
V
S
= 1, 2 V, V
D
= 2, 1 V
V+ = 3.3 V, V- = 0 V
V
D
= V
S
= 1, 2 V
V
IN
被测= 0.4 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
-1
0.02
0.02
90
32
31
- 60
35
34
77
pF
分钟。
d
0
7.3
典型值。
c
马克斯。
d
3
8.8
10.1
1
10
1
10
1
10
1
A
1
110
125
84
99
nA
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
关闭
漏电流
g
通道上
漏电流
g
数字控制
输入电流，V
IN
低
e
输入电流，V
IN
高
e
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
关断隔离
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
IL
I
IH
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V
见图2
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
pC
dB
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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