DG9262/9263
Vishay Siliconix公司
低电压双通道SPST模拟开关
描述
该DG9262 / 9263是一个单刀/单掷单片
CMOS模拟装置设计用于高性能
模拟信号的切换。结合低功耗，高
速度（
吨
： 35纳秒，T
关闭
： 20毫微秒） ，低导通电阻（R
DS （ ON）
:
40
Ω)
和小的物理尺寸， DG9262 / 9263是理想的
便携式和电池需要高供电应用
性能和高效利用的电路板空间。
该DG9262 / 9263采用Vishay Siliconix公司的低电压
BCD - 15的过程。最小的ESD保护，每个方法
3015.7为2000 V.外延层可防止闩锁。
先开后提出的，是保证DG9262 / 9263 。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并达到了电源时平整块。
特点
低工作电压（ + 2.7 + 5 V ）
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 40
Ω
快速切换 - 吨
ON
： 35纳秒，T
关闭
： 20纳秒
低漏 - 我
COM（上）
： 200 pA的最大
低电荷注入 - Q
INJ
量：1件
低功耗
TTL / CMOS兼容
ESD保护> 2000伏（方法3015.7 ）
采用MSOP - 8和SOIC -8
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
应用
电池供电系统
便携式测试设备
采样和保持电路
手机
通信系统
军方电台
PBX ， PABX制导和控制系统
好处
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
功能框图及引脚配置
NC
1
COM
1
IN
2
GND
V+
IN
1
COM
2
NC
2
1
2
3
4
8
7
6
5
NO
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NO
2
顶视图
顶视图
真值表 - DG9262
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
开关
On
关闭
真值表 - DG9263
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
开关
关闭
On
订购信息
温度范围
包
产品型号
DG9262DY
DG9262DY-E3
DG9262DY-T1
DG9262DY-T1-E3
DG9263DY
DG9263DY-E3
DG9263DY-T1
DG9263DY-T1-E3
DG9262DQ-T1-E3
DG9263DQ-T1-E3
SOIC-8
- 4085 ℃下
MSOP-8
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70862
S- 71009 -REV 。 C， 14日， 07
www.vishay.com
1
DG9262/9263
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
参考V +至GND
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（任何终端）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
ESD （方法3015.7 ）
存储温度（D后缀）
功率耗散（包）
b
8引脚窄体SOIC
c
极限
- 0.3 + 13
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 20
± 40
＆ GT ; 2000
- 65 125
400
单位
V
mA
V
°C
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/°C， 75°C以上。
规格（ V + = 3V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.8或2.4 V
e
后缀
- 4085 ℃下
温度
a
满
V
NO
或V
NC
= 1.5 V, V+ = 2.7 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
V
NO
或V
NC
= 1和2 V
V
NO
或V
NC
= 1 V/2 V, V
COM
= 2 V/1 V
V
COM
= 1 V/2 V, V
NO
或V
NC
= 2 V/1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V/2 V
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
2.7
V+ = 3.3 V, V
IN
= 0或3.3 V
- 100
- 5000
- 100
- 5000
- 200
- 10000
民
b
0
50
0.4
4
5
5
10
典型值
c
最大
b
3
80
140
2
8
100
5000
100
5000
200
10000
A
120
200
50
120
5
pA
Ω
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
d
r
DS （ ON）
平整度
d
NO或NC关闭泄漏
当前
g
COM关闭泄漏电流
g
信道泄漏电流
g
数字控制
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
相声
NC和NO电容
通道导通电容
COM-关断电容
电源
电源电压范围
电源电流
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
Δr
DS （ ON）
r
DS （ ON）
平整度
I
NO / NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
I
INL
还是我
INH
t
ON
1
50
20
1
- 74
- 90
7
20
13
12
1
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
（关闭）
C
COM（上）
C
COM （关闭）
V+
I+
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
pC
dB
pF
V
A
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。差的最小值和最大值。
克。由5 V泄漏检测Guraranteed ，未经生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 70862
S- 71009 -REV 。 C， 14日， 07
DG9262/9263
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 5 V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, ± 10 %, V
IN
= 0.8或2.4 V
e
后缀
- 4085 ℃下
温度
a
满
V
NO
或V
NC
= 3.5 V, V+ = 4.5 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 3.5 V
V
NO
或V
NC
= 1， 2和3伏
V
NO
或V
NC
= 1 V/4 V, V
COM
= 4 V/1 V
V
COM
= 1 V/4 V, V
NO
或V
NC
= 4 V/1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V/4 V
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
2.7
V+ = 5.5 V, V
IN
= 0或5.5 V
- 100
- 5000
- 100
- 5000
- 200
- 10000
1
35
20
2
- 74
- 90
7
20
13
12
1
V
A
pF
75
150
50
100
5
民
b
0
30
0.4
2
10
10
典型值
c
最大
b
5
60
75
2
6
100
5000
100
5000
200
10000
A
pA
Ω
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
d
r
DS （ ON）
平整度
f
NO或NC关闭泄漏电流
COM关闭泄漏电流
信道泄漏电流
数字控制
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
相声
NC和NO电容
通道导通电容
COM-关断电容
电源
电源电压范围
电源电流
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
Δr
DS （ ON）
DS （ ON）
平整度
I
NO / NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
I
INL
还是我
INH
t
ON
V
NO
或V
NC
= 3.0 V
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
（关闭）
C
D（上）
C
COM （关闭）
V+
I+
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
pC
dB
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。差的最小值和最大值。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 70862
S- 71009 -REV 。 C， 14日， 07
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3
DG9262/9263
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2.0
1.5
1.0
I
供应
(μA)
0.5
Q
INJ
（PC）的
0.0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
0.0
V+ = 3 V
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
V+ = 3 V
- 500
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
0
1
2
V
IN
3
4
5
V+ = 5 V
电荷注入
10 nA的
- 40
电源电流与V
IN
1 nA的
OFF-隔离度（dB ）
125
- 60
I
COM （关闭）
(A)
100 pA的
I
COM （关闭）
10 pA的
I
COM（上）
- 80
- 100
1 pA的
- 120
0.1帕
25
45
65
85
105
- 140
0.001 M
0.01 M
0.1 M
频率（Hz）
1M
10 M
温度（℃）
漏电流与温度的关系
2.5
2.0
1.5
60
1.0
I
关闭
（ PA ）
0.5
0.0
- 0.5
- 1.0
20
- 1.5
- 2.0
- 2.5
0
1
2
V
COM
3
4
5
0
0
I
NO / NC
r
DS （ ON）
(Ω)
I
COM
V+ = 5 V
80
关断隔离与频率的关系
V+ = 3 V
40
V+ = 5 V
1
2
V
COM
3
4
5
关断漏与电压，在25℃
r
DS
与V
COM
文档编号： 70862
S- 71009 -REV 。 C， 14日， 07
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4
DG9262/9263
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
80
70
V+ = 3 V
60
60
r
DS （ ON）
(Ω)
85 °C
50
25 °C
40
40 °C
t
ON
/ t
关闭
（纳秒）
40
30
t
关闭
20
10
0
0.0
0
- 60
t
ON
20
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
- 30
0
30
60
90
120
温度（℃）
r
DS
与V
COM
120
2.25
2.00
1.75
V
IN
（ SW）的
80
T（ NS ）
1.50
1.25
1.00
20
t
关闭
0.75
0.50
2.0
2.5
3.0
V+
3.5
4.0
4.5
5.0
2
开关时间与温度的关系
100
60
t
ON
40
0
1.5
3
4
V+
5
6
t
ON
/t
关闭
- 电源电压
输入交换点与电源电压
文档编号： 70862
S- 71009 -REV 。 C， 14日， 07
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5
DG9262 ， DG9263
Vishay Siliconix公司
低电压双通道SPST模拟开关
描述
该DG9262 ， DG9263是一种单极/单掷
单片CMOS模拟设备专为高
模拟信号的开关性能。结合低
大功率，高转速（T
ON
： 35纳秒，T
关闭
： 20毫微秒），低
导通电阻（R
DS （ ON）
: 40
)
和小的物理尺寸，该
DG9262 ， DG9263是理想的便携式和电池供电
要求高性能和高效率使用的应用
电路板空间。
该DG9262 ， DG9263采用Vishay Siliconix的低点
电压BCD - 15的过程。最小的ESD保护，每
方法3015.7为2000 V的外延层阻止
闭锁。先开后提出的，是保证DG9262 ，
DG9263.
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并达到了电源时平整块。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
低工作电压（ - 2.7 V至5 V ）
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 40
快速开关 - 吨
ON
： 35纳秒，T
关闭
： 20纳秒
低漏 - 我
COM（上）
： 200 pA的最大。
低电荷注入 - Q
INJ
量：1件
低功耗
?? TTL / CMOS兼容
ESD保护> 2000伏（方法3015.7 ）
提供MSOP - 8和SOIC -8
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
电池供电系统
便携式测试设备
采样和保持电路
手机
通信系统
军方电台
PBX ， PABX制导和控制系统
好处
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
功能框图及引脚配置
NC
1
COM
1
IN
2
GND
V+
IN
1
COM
2
NC
2
1
2
3
4
8
7
6
5
NO
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NO
2
顶视图
顶视图
真值表 - DG9262
逻辑
0
1
逻辑“0”的
0.8
V
逻辑“1”的
2.4
V
开关
On
关闭
真值表 - DG9263
逻辑
0
1
逻辑“0”的
0.8
V
逻辑“1”的
2.4
V
开关
关闭
On
订购信息
温度范围
包
产品型号
DG9262DY-E3
DG9262DY-T1
DG9262DY-T1-E3
DG9263DY-E3
DG9263DY-T1
DG9263DY-T1-E3
DG9262DQ-T1-E3
DG9263DQ-T1-E3
SOIC-8
- 40 ° C至85°C
MSOP-8
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70862
S11-1229 -REV 。 D， 20军11
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1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
DG9262 ， DG9263
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
参考V +至GND
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（任何终端）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
ESD （方法3015.7 ）
存储温度（D后缀）
功耗
（包）
b
8引脚窄体SOIC
c
极限
- 0.3 + 13
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 20
± 40
＆ GT ; 2000
- 65 125
400
单位
V
mA
V
°C
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/°C， 75°C以上。
特定网络阳离子
(V+ = 3 V)
测试条件
除非另有说明
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.8 V或2.4 V
e
后缀
- 40 ° C至85°C
温度。
a
满
V
NO
或V
NC
= 1.5 V, V+ = 2.7 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
V
NO
或V
NC
= 1和2 V
V
NO
或V
NC
= 1 V/2 V, V
COM
= 2 V/1 V
V
COM
= 1 V/2 V, V
NO
或V
NC
= 2 V/1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V/2 V
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
2.7
V+ = 3.3 V, V
IN
= 0 V或3.3 V
- 100
- 5000
- 100
- 5000
- 200
- 10 000
分钟。
b
0
50
0.4
4
5
5
10
典型值。
c
马克斯。
b
3
80
140
2
8
100
5000
100
5000
200
10 000
A
120
200
50
120
5
pA
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
MATCH
d
R
DS （ ON）
平整度
d
NO或NC关闭泄漏
当前
g
COM关闭泄漏电流
g
信道泄漏电流
g
数字控制
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
相声
NC和NO电容
通道导通电容
COM-关断电容
电源
电源电压范围
电源电流
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
平整度
I
NO / NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
I
INL
还是我
INH
t
ON
1
50
20
1
- 74
- 90
7
20
13
12
1
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
（关闭）
C
COM（上）
C
COM （关闭）
V+
I+
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
pC
dB
pF
V
A
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。差的最小值和最大值。
克。由5 V泄漏检测Guraranteed ，未经生产测试。
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文档编号： 70862
S11-1229 -REV 。 D， 20军11
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DG9262 ， DG9263
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(V+ = 5 V)
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, ± 10 %, V
IN
= 0.8 V或2.4 V
e
后缀
- 40 ° C至85°C
温度。
a
满
V
NO
或V
NC
= 3.5 V, V+ = 4.5 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 3.5 V
V
NO
或V
NC
= 1， 2和3伏
V
NO
或V
NC
= 1 V/4 V, V
COM
= 4 V/1 V
V
COM
= 1 V/4 V, V
NO
或V
NC
= 4 V/1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V/4 V
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
2.7
V+ = 5.5 V, V
IN
= 0 V或5.5 V
- 100
- 5000
- 100
- 5000
- 200
- 10 000
1
35
20
2
- 74
- 90
7
20
13
12
1
V
A
pF
75
150
50
100
5
分钟。
b
0
30
0.4
2
10
10
典型值。
c
马克斯。
b
5
60
75
2
6
100
5000
100
5000
200
10 000
A
pA
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
MATCH
d
R
DS （ ON）
平整度
f
NO或NC关闭泄漏电流
COM关闭泄漏电流
信道泄漏电流
数字控制
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
相声
NC和NO电容
通道导通电容
COM-关断电容
电源
电源电压范围
电源电流
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
平整度
I
NO / NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
I
INL
还是我
INH
t
ON
V
NO
或V
NC
= 3 V
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
（关闭）
C
D（上）
C
COM （关闭）
V+
I+
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
pC
dB
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。差的最小值和最大值。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 70862
S11-1229 -REV 。 D， 20军11
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3
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