DG9232/9233
Vishay Siliconix公司
低电压双通道SPST模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
D
低工作电压（ 2.7至+5 V ）
低导通电阻 - R的
DS （上
): 20
W
快速切换 - 吨
ON
： 35纳秒，T
关闭
： 20纳秒
低漏 - 我
COM（上）
： 200 pA的最大
低电荷注入 - Q
INJ
量：1件
低功耗
TTL / CMOS兼容
ESD保护> 2000伏（方法3015.7 ）
采用MSOP - 8和SOIC -8
好处
D
D
D
D
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
应用
D
D
D
D
D
D
D
电池供电系统
便携式测试设备
采样和保持电路
手机
通信系统
军方电台
PBX ， PABX和指导
控制系统
描述
该DG9232 / 9233是一个单刀/单掷单片
CMOS模拟装置设计用于高性能
模拟信号的切换。结合低功耗，高速
(t
ON
： 35纳秒，T
关闭
： 20毫微秒） ，低导通电阻（R
DS （ ON）
: 20
W)
和小的物理尺寸， DG9232 / 9233是理想的便携式
和电池供电应用要求高性能
并有效地利用电路板空间。
该DG9232 / 9233采用Vishay Siliconix公司的低电压
BCD - 15的过程。最低的ESD保护，每3015.7方法是
2000五外延层可防止闩锁。先开-make是
保证DG9232 / 9233 。
每个开关进行同样在两个方向上时，
并阻止了电源电平的时候了。
功能框图及引脚配置
NC
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NC
2
NO
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NO
2
顶视图
顶视图
真值表 - DG9232
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v0.8
V
逻辑“ 1 ”W 2.4 V
真值表 - DG9233
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v0.8
V
逻辑“ 1 ”W 2.4 V
开关
On
关闭
开关
关闭
On
订购信息
温度范围
包
SOIC-8
-40到85°C
°
MSOP-8
产品型号
DG9232DY
DG9233DY
DG9232DQ
DG9233DQ
www.vishay.com
文档编号： 70837
S- 05298 -REV 。 D， 17日-12月01
1
DG9232/9233
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3至+13 V
IN， COM ，NC ， NO
a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-0.3到（V + + 0.3V）
连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"20
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"40
mA
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
ESD （方法3015.7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 > 2000伏
存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 125°C
功率耗散（包）
b
8引脚窄体SOIC
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
d
r
DS （ ON）
平整度
d
NO或NC关闭泄漏电流
g
COM关闭泄漏电流
g
信道泄漏电流
g
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
r
DS （ ON）
平整度
I
NO / NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
V
NO
或V
NC
= 1.5 V, V+ = 2.7 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
V
NO
或V
NC
= 1和2 V
V
NO
或V
NC
= 1 V / 2 V, V
COM
= 2 V / 1 V
V
COM
= 1 V / 2 V, V
NO
或V
NC
= 2 V / 1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V / 2 V
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-100
–5000
-100
–5000
-200
–10000
0
30
0.4
4
5
5
10
3
50
80
2
8
100
5000
100
5000
200
10000
pA
W
V
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
温度
a
民
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入电流
I
INL
还是我
INH
满
1
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
相声
NC和NO电容
通道导通电容
COM-关断电容
t
ON
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
（关闭）
C
COM（上）
C
COM （关闭）
F = 1 MHz的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
W,
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
50
20
1
–74
–90
7
20
13
pF
dB
120
200
50
120
5
ns
pC
电源
电源电压范围
电源电流
注意事项：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
通过设计保证，也不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
差的最小值和最大值。
5 -V漏电流测试保证，未经生产测试。
文档编号： 70837
S- 05298 -REV 。 D， 17日-12月01
V+
I+
V+ = 3.3 V, V
IN
= 0或3.3 V
2.7
12
1
V
mA
www.vishay.com
2
DG9232/9233
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 5 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
d
r
DS （ ON）
平整度
d
NO或NC关闭泄漏电流
COM关闭泄漏电流
信道泄漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
r
DS （ ON）
平整度
I
NO / NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
V
NO
或V
NC
= 3.5 V, V+ = 4.5 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 3.5 V
V
NO
或V
NC
= 1，2，和3伏
V
NO
或V
NC
= 1 V / 4 V, V
COM
= 4 V / 1 V
V
COM
= 1 V / 4 V, V
NO
或V
NC
= 4 V / 1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V / 4 V
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-100
–5000
-100
–5000
-200
–10000
0
20
0.4
2
10
10
5
30
50
2
6
100
5000
100
5000
200
10000
pA
W
V
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 5 V,
"10%,
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
温度
a
民
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入电流
I
INL
还是我
INH
满
1
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
相声
NC和NO电容
通道导通电容
COM-关断电容
t
ON
V
NO
或V
NC
= 3.0 V
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
（关闭）
C
D（上）
C
D（关闭）
F = 1 MHz的
R
L
= 50
W
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
W,
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
20
2
–74
dB
–90
7
20
13
pF
75
150
50
100
5
ns
pC
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V+ = 5.5 V, V
IN
= 0或5.5 V
2.7
12
1
V
mA
注意事项：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
通过设计保证，也不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
差的最小值和最大值。
文档编号： 70837
S- 05298 -REV 。 D， 17日-12月01
www.vishay.com
3
DG9232/9233
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
电荷注入
2.0
1.5
1.0
0.5
Q
INJ
（PC）的
0.0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
0.0
I
供应
(
m
A)
V+ = 3 V
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
V+ = 3 V
–500
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
0
1
2
V
IN
3
4
5
V+ = 5 V
电源电流与V
IN
漏电流与温度的关系
10 nA的
–40
关断隔离与频率的关系
1 nA的
OFF-隔离度（dB ）
125
I
COM （关闭）
(A)
–60
100 pA的
I
COM （关闭）
10 pA的
I
COM（上）
–80
–100
1 pA的
–120
0.1帕
25
45
65
85
105
–140
0.001 M
0.01 M
0.1 M
频率（Hz）
1M
10 M
温度（℃）
关断漏与电压@ 25_C
2.5
2.0
1.5
1.0
I
关闭
（ PA ）
0.5
0.0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
0
1
2
V
COM
3
4
5
12
0
1
I
NO / NC
r
DS （ ON）
(
W
)
I
COM
V+ = 5 V
27
30
r
DS
与V
COM
V+ = 3 V
24
21
18
V+ = 5 V
15
2
V
COM
3
4
5
www.vishay.com
4
文档编号： 70837
S- 05298 -REV 。 D， 17日-12月01
DG9232/9233
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS
与V
COM
35
85_C
28
25_C
21
40_C
t
ON
/ t
关闭
（纳秒）
r
DS （ ON）
(
W
)
50
40
30
t
关闭
20
10
0
0.0
0
–60
70
V+ = 3 V
60
t
ON
开关时间与温度的关系
14
7
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
–30
0
30
60
90
120
温度（℃）
t
ON
/t
关闭
- 电源电压
120
输入交换点与电源电压
2.25
2.00
1.75
100
T（纳秒）
V
IN
（ SW）的
t
ON
t
关闭
2.0
2.5
3.0
V+
3.5
4.0
4.5
5.0
80
1.50
1.25
1.00
60
40
20
0.75
0.50
2
3
4
V+
5
6
0
1.5
文档编号： 70837
S- 05298 -REV 。 D， 17日-12月01
www.vishay.com
5
DG9232/9233
Vishay Siliconix公司
低电压双通道SPST模拟开关
描述
该DG9232 / 9233是一个单刀/单掷单片
CMOS模拟装置设计用于高性能
模拟信号的切换。结合低功耗，高
速度（T
ON
： 35纳秒，T
关闭
： 20毫微秒） ，低导通电阻（R
DS （ ON）
:
20
Ω)
和小的物理尺寸， DG9232 / 9233是理想的
便携式和电池需要高供电应用
性能和高效利用的电路板空间。
该DG9232 / 9233采用Vishay Siliconix公司的低电压
BCD - 15的过程。最小的ESD保护，每个方法
3015.7为2000 V.外延层可防止闩锁。
先开-make是保证DG9232 / 9233 。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并达到了电源时平整块。
特点
低工作电压（ + 2.7 + 5 V ）
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 20
Ω
快速切换 - 吨
ON
： 35纳秒，T
关闭
： 20纳秒
低漏 - 我
COM（上）
： 200 pA的最大
低电荷注入 - Q
INJ
量：1件
低功耗
TTL / CMOS兼容
ESD保护> 2000伏（方法3015.7 ）
采用MSOP - 8和SOIC -8
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
应用
电池供电系统
便携式测试设备
采样和保持电路
手机
通信系统
军方电台
PBX ， PABX制导和控制系统
好处
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
功能框图及引脚配置
NC
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NC
2
真值表 - DG9232
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
开关
ON
关闭
顶视图
NO
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
真值表 - DG9233
IN
1
COM
2
NO
2
顶视图
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
开关
关闭
ON
订购信息
温度范围
包
产品型号
DG9232DY
DG9232DY-E3
DG9232DY-T1
DG9232DY-T1-E3
DG9233DY
DG9233DY-E3
DG9233DY-T1
DG9233DY-T1-E3
DG9232DQ-T1-E3
DG9233DQ-T1-E3
SOIC-8
- 4085 ℃下
MSOP-8
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70837
S- 71009 -REV 。 E， 14日， 07
www.vishay.com
1
DG9232/9233
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
参考V +至GND
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（任何终端）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
ESD （方法3015.7 ）
储存温度
功率耗散（包）
b
后缀
8引脚窄体SOIC
c
极限
- 0.3 + 13
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 20
± 40
＆ GT ; 2000
- 65 125
400
单位
V
mA
V
°C
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/°C， 70°C以上。
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
d
r
DS （ ON）
平整度
d
NO或NC关闭泄漏电流
g
COM关闭泄漏电流
g
信道泄漏电流
g
数字控制
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
相声
NC和NO电容
通道导通电容
COM-关断电容
电源
正电源电压范围
电源电流
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
Δr
DS （ ON）
r
DS （ ON）
平整度
I
NO / NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
I
INL
还是我
INH
t
ON
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
COM（上）
C
COM （关闭）
V+
I+
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
V
NO
或V
NC
= 1.5 V, V+ = 2.7 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
V
NO
或V
NC
= 1和2 V
V
NO
或V
NC
= 1 V/2 V, V
COM
= 2 V/1 V
V
COM
= 1 V/2 V, V
NO
或V
NC
= 2 V/1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V/2 V
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.8 V或2.4 V
e
温度
a
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
2.7
V+ = 3.3 V, V
IN
= 0或3.3 V
- 100
- 5000
- 100
- 5000
- 200
- 10000
民
c
0
30
0.4
4
5
5
10
后缀
- 4085 ℃下
典型值
b
最大
c
3
50
80
2
8
100
5000
100
5000
200
10000
Ω
单位
V
pA
1
50
20
1
- 74
- 90
7
20
13
120
200
50
120
5
A
ns
pC
dB
F = 1 MHz的
pF
12
1
V
A
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。差的最小值和最大值。
克。 5 -V漏电流测试保证，未经生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 70837
S- 71009 -REV 。 E， 14日， 07
DG9232/9233
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 5 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
d
r
DS （ ON）
平整度
d
NO或NC关闭泄漏电流
g
COM关闭泄漏电流
信道泄漏电流
数字控制
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
相声
NC和NO电容
通道导通电容
COM-关断电容
电源
正电源电压范围
电源电流
V+
I+
V+ = 5.5 V, V
IN
= 0或5.5 V
2.7
12
1
V
A
t
ON
V
NO
或V
NC
= 3.0 V
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
（关闭）
C
D（上）
C
D（关闭）
F = 1 MHz的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
20
2
- 74
- 90
7
20
13
pF
75
150
50
100
5
ns
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
Δr
DS （ ON）
r
DS （ ON）
平整度
I
NO / NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
I
INL
还是我
INH
V
NO
或V
NC
= 3.5 V, V+ = 4.5 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 3.5 V
V
NO
或V
NC
= 1， 2和3伏
V
NO
或V
NC
= 1 V/4 V, V
COM
= 4 V/1 V
V
COM
= 1 V/4 V, V
NO
或V
NC
= 4 V/1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V/4 V
V+ = 5 V, ± 10 %, V
IN
= 0.8 V或2.4 V
e
温度
a
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
- 100
- 5000
- 100
- 5000
- 200
- 10000
民
c
0
20
0.4
2
10
10
后缀
- 4085 ℃下
典型值
b
最大
c
5
30
50
2
6
100
5000
100
5000
200
10000
Ω
单位
V
pA
1
A
pC
dB
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。差的最小值和最大值。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 70837
S- 71009 -REV 。 E， 14日， 07
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3
DG9232/9233
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
2.0
1.5
1.0
V+ = 3 V
3000
2500
2000
I
供应
(μA)
0.5
Q
INJ
（PC）的
0.0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
0.0
1500
1000
500
0
V+ = 3 V
- 500
V+ = 5 V
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
0
1
2
V
IN
3
4
5
电荷注入
10 nA的
- 40
电源电流与V
IN
1 nA的
OFF-隔离度（dB ）
I
COM （关闭）
(A)
- 60
100 pA的
I
COM （关闭）
10 pA的
I
COM（上）
- 80
- 100
1 pA的
- 120
0.1帕
25
45
65
85
105
125
- 140
0.001 M
0.01 M
0.1 M
频率（Hz）
1M
10 M
温度（℃）
漏电流与温度的关系
2.5
2.0
1.5
1.0
I
关闭
（ PA ）
0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
V
COM
3
4
5
12
0
I
NO / NC
r
DS （ ON）
(Ω)
I
COM
V+ = 5 V
30
关断隔离与频率的关系
27
V+ = 3 V
24
21
18
V+ = 5 V
15
1
2
V
COM
3
4
5
关断漏与电压，在25℃
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4
r
DS
与V
COM
文档编号： 70837
S- 71009 -REV 。 E， 14日， 07
DG9232/9233
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
35
85
°
C
28
25
°
C
t
ON
/ t
关闭
（纳秒）
40
°
C
70
V+ = 3 V
60
t
ON
50
40
30
t
关闭
20
7
10
0
0.0
0
- 60
r
DS （ ON）
(Ω)
21
14
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
- 30
0
30
60
90
120
温度（℃）
r
DS
与V
COM
120
2.25
2.00
1.75
V
IN
（ SW）的
80
T（ NS ）
1.50
1.25
1.00
20
t
关闭
0.75
0.50
2.0
2.5
3.0
V+
3.5
4.0
4.5
5.0
2
开关时间与温度的关系
100
60
t
ON
40
0
1.5
3
4
V+
5
6
t
ON /吨OFF
- 电源电压
输入交换点与电源电压
文档编号： 70837
S- 71009 -REV 。 E， 14日， 07
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DG9232 ， DG9233
Vishay Siliconix公司
低电压双通道SPST模拟开关
描述
该DG9232 ， 9233是一个单刀/单掷单片
CMOS模拟装置设计用于高性能
模拟信号的切换。结合低功耗，高
速度（T
ON
： 35纳秒，T
关闭
： 20毫微秒） ，低导通电阻（R
DS （ ON）
:
20
)
和小的物理尺寸， DG9232 ， 9233是理想的
便携式和电池需要高供电应用
性能和高效利用的电路板空间。
该DG9232 ， 9233采用Vishay Siliconix公司的低电压
BCD - 15的过程。最小的ESD保护，每个方法
3015.7为2000 V.外延层可防止闩锁。
先开-make保证了DG9232 。 9233 。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并达到了电源时平整块。
特点
低电压操作（ + 2.7 V至+5 V）
低导通电阻 - R的
DS
（上） ： 20
快速切换 - 吨
ON
： 35纳秒，T
关闭
： 20纳秒
低漏 - 我
COM（上）
： 200 pA的最大值。
低电荷注入 - Q
INJ
量：1件
低功耗
TTL / CMOS兼容
ESD保护> 2000伏（方法3015.7 ）
采用MSOP - 8和SOIC -8
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
电池供电系统
便携式测试设备
采样和保持电路
手机
通信系统
军方电台
PBX ， PABX制导和控制系统
好处
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
功能框图及引脚配置
NC
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NC
2
真值表
- DG9232
逻辑
0
1
逻辑"0"
0.8
V
逻辑"1"
2.4
V
开关
On
关闭
顶视图
NO
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NO
2
真值表
- DG9233
逻辑
0
1
逻辑"0"
0.8
V
逻辑"1"
2.4
V
开关
关闭
On
顶视图
订购信息
温度范围
包
产品型号
DG9232DY
DG9232DY-E3
DG9232DY-T1
DG9232DY-T1-E3
DG9233DY
DG9233DY-E3
DG9233DY-T1
DG9233DY-T1-E3
DG9232DQ-T1-E3
DG9233DQ-T1-E3
SOIC-8
- 40 ° C至85°C
MSOP-8
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
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DG9232 ， DG9233
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
参考V +至GND
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（任何终端）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
ESD （方法3015.7 ）
储存温度
功率耗散（包）
b
后缀
8引脚窄体SOIC
c
极限
- 0.3 + 13
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 20
± 40
＆ GT ; 2000
- 65 125
400
单位
V
mA
V
°C
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/°C， 70°C以上。
特定网络阳离子
(V+ = 3 V)
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
MATCH
d
R
DS （ ON）
平整度
d
NO或NC关闭泄漏电流
g
COM关闭泄漏电流
g
信道泄漏电流
g
数字控制
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
相声
NC和NO电容
通道导通电容
COM-关断电容
电源
正电源电压范围
电源电流
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
平整度
I
NO / NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
I
INL
还是我
INH
t
ON
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
COM（上）
C
COM （关闭）
V+
I+
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
V
NO
或V
NC
= 1.5 V, V+ = 2.7 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
V
NO
或V
NC
= 1和2 V
V
NO
或V
NC
= 1 V/2 V, V
COM
= 2 V/1 V
V
COM
= 1 V/2 V, V
NO
或V
NC
= 2 V/1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V/2 V
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.8 V或2.4 V
e
温度。
a
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
2.7
V+ = 3.3 V, V
IN
= 0或3.3 V
- 100
- 5000
- 100
- 5000
- 200
- 10000
后缀
- 40 ° C至85°C
分钟。
c
0
30
0.4
4
5
5
10
典型值。
b
马克斯。
c
3
50
80
2
8
100
5000
100
5000
200
10000
单位
V
pA
1
50
20
1
- 74
- 90
7
20
13
120
200
50
120
5
A
ns
pC
dB
F = 1 MHz的
pF
12
1
V
A
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于在数据资料。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。差的最小值和最大值。
克。由5 V漏电流测试保证，未经生产测试。
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DG9232 ， DG9233
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(V+ = 5 V)
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
MATCH
d
R
DS （ ON）
平整度
d
NO或NC关闭泄漏电流
g
COM关闭泄漏电流
信道泄漏电流
数字控制
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
相声
NC和NO电容
通道导通电容
COM-关断电容
电源
正电源电压范围
电源电流
V+
I+
V+ = 5.5 V, V
IN
= 0或5.5 V
2.7
12
1
V
A
t
ON
V
NO
或V
NC
= 3.0 V
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
（关闭）
C
D（上）
C
D（关闭）
F = 1 MHz的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
20
2
- 74
- 90
7
20
13
pF
75
150
50
100
5
ns
I
INL
还是我
INH
满
1
A
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
平整度
I
NO / NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
V
NO
或V
NC
= 3.5 V, V+ = 4.5 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 3.5 V
V
NO
或V
NC
= 1， 2和3伏
V
NO
或V
NC
= 1 V/4 V, V
COM
= 4 V/1 V
V
COM
= 1 V/4 V, V
NO
或V
NC
= 4 V/1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V/4 V
V+ = 5 V, ± 10 %, V
IN
= 0.8 V或2.4 V
e
温度。
a
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
- 100
- 5000
- 100
- 5000
- 200
- 10000
后缀
- 40 ° C至85°C
分钟。
c
0
20
0.4
2
10
10
典型值。
b
马克斯。
c
5
30
50
2
6
100
5000
100
5000
200
10000
单位
V
pA
pC
dB
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于在数据资料。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。差的最小值和最大值。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
2.0
1.5
1.0
V+ = 3 V
3000
2500
2000
I
供应
(A)
0.5
Q
INJ
（PC）的
0.0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
0.0
1500
1000
500
0
V+ = 3 V
- 500
V+ = 5 V
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
0
1
2
V
IN
3
4
5
电荷注入
10 nA的
- 40
电源电流与V
IN
1 nA的
OFF-隔离度（dB ）
I
COM （关闭）
(A)
- 60
100 pA的
I
COM （关闭）
10 pA的
I
COM（上）
- 80
- 100
1 pA的
- 120
0.1帕
25
45
65
85
105
125
- 140
0.001 M
0.01 M
0.1 M
频率（Hz）
1M
10 M
温度（℃）
漏电流与温度的关系
2.5
2.0
1.5
1.0
I
关闭
（ PA ）
0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
V
COM
3
4
5
12
0
I
NO / NC
R
DS （ ON）
(W )
I
COM
V+ = 5 V
27
30
关断隔离与频率的关系
V+ = 3 V
24
21
18
V+ = 5 V
15
1
2
V
COM
3
4
5
关断漏与电压，在25℃
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4
R
DS
与V
COM
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典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
35
85
C
28
25
C
40
C
t
ON
/ t
关闭
（纳秒）
70
V+ = 3 V
60
t
ON
50
40
30
t
关闭
20
7
10
0
0.0
0
- 60
R
DS （ ON）
()
21
14
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
- 30
0
30
60
90
120
温度（℃）
R
DS
与V
COM
120
2.25
2.00
1.75
V
IN
（ SW）的
80
T（ NS ）
1.50
1.25
1.00
20
t
关闭
0.75
0.50
2.0
2.5
3.0
V+
3.5
4.0
4.5
5.0
2
开关时间与温度的关系
100
60
t
ON
40
0
1.5
3
4
V+
5
6
t
ON /吨OFF
- 电源电压
输入交换点与电源电压
文档编号： 70837
S11-0984 -REV 。女， 23日， 11
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5
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DG9232/9233
Vishay Siliconix公司
低电压双通道SPST模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
D
低工作电压（ 2.7至+5 V ）
低导通电阻 - R的
DS （上
): 20
W
快速切换 - 吨
ON
： 35纳秒，T
关闭
： 20纳秒
低漏 - 我
COM（上）
： 200 pA的最大
低电荷注入 - Q
INJ
量：1件
低功耗
TTL / CMOS兼容
ESD保护> 2000伏（方法3015.7 ）
采用MSOP - 8和SOIC -8
好处
D
D
D
D
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
应用
D
D
D
D
D
D
D
电池供电系统
便携式测试设备
采样和保持电路
手机
通信系统
军方电台
PBX ， PABX和指导
控制系统
描述
该DG9232 / 9233是一个单刀/单掷单片
CMOS模拟装置设计用于高性能
模拟信号的切换。结合低功耗，高速
(t
ON
： 35纳秒，T
关闭
： 20毫微秒） ，低导通电阻（R
DS （ ON）
: 20
W)
和小的物理尺寸， DG9232 / 9233是理想的便携式
和电池供电应用要求高性能
并有效地利用电路板空间。
该DG9232 / 9233采用Vishay Siliconix公司的低电压
BCD - 15的过程。最低的ESD保护，每3015.7方法是
2000五外延层可防止闩锁。先开-make是
保证DG9232 / 9233 。
每个开关进行同样在两个方向上时，
并阻止了电源电平的时候了。
功能框图及引脚配置
NC
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NC
2
NO
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NO
2
顶视图
顶视图
真值表 - DG9232
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v0.8
V
逻辑“ 1 ”W 2.4 V
真值表 - DG9233
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v0.8
V
逻辑“ 1 ”W 2.4 V
开关
On
关闭
开关
关闭
On
订购信息
温度范围
包
SOIC-8
-40到85°C
°
MSOP-8
产品型号
DG9232DY
DG9233DY
DG9232DQ
DG9233DQ
www.vishay.com
文档编号： 70837
S- 05298 -REV 。 D， 17日-12月01
1
DG9232/9233
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3至+13 V
IN， COM ，NC ， NO
a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-0.3到（V + + 0.3V）
连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"20
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"40
mA
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
ESD （方法3015.7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 > 2000伏
存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 125°C
功率耗散（包）
b
8引脚窄体SOIC
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
d
r
DS （ ON）
平整度
d
NO或NC关闭泄漏电流
g
COM关闭泄漏电流
g
信道泄漏电流
g
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
r
DS （ ON）
平整度
I
NO / NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
V
NO
或V
NC
= 1.5 V, V+ = 2.7 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
V
NO
或V
NC
= 1和2 V
V
NO
或V
NC
= 1 V / 2 V, V
COM
= 2 V / 1 V
V
COM
= 1 V / 2 V, V
NO
或V
NC
= 2 V / 1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V / 2 V
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-100
–5000
-100
–5000
-200
–10000
0
30
0.4
4
5
5
10
3
50
80
2
8
100
5000
100
5000
200
10000
pA
W
V
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
温度
a
民
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入电流
I
INL
还是我
INH
满
1
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
相声
NC和NO电容
通道导通电容
COM-关断电容
t
ON
V
NO
或V
NC
= 1.5 V
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
（关闭）
C
COM（上）
C
COM （关闭）
F = 1 MHz的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
W,
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
50
20
1
–74
–90
7
20
13
pF
dB
120
200
50
120
5
ns
pC
电源
电源电压范围
电源电流
注意事项：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
通过设计保证，也不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
差的最小值和最大值。
5 -V漏电流测试保证，未经生产测试。
文档编号： 70837
S- 05298 -REV 。 D， 17日-12月01
V+
I+
V+ = 3.3 V, V
IN
= 0或3.3 V
2.7
12
1
V
mA
www.vishay.com
2
DG9232/9233
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 5 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
d
r
DS （ ON）
平整度
d
NO或NC关闭泄漏电流
COM关闭泄漏电流
信道泄漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
r
DS （ ON）
平整度
I
NO / NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
V
NO
或V
NC
= 3.5 V, V+ = 4.5 V
I
COM
= 5毫安
V
NO
或V
NC
= 3.5 V
V
NO
或V
NC
= 1，2，和3伏
V
NO
或V
NC
= 1 V / 4 V, V
COM
= 4 V / 1 V
V
COM
= 1 V / 4 V, V
NO
或V
NC
= 4 V / 1 V
V
COM
= V
NO
或V
NC
= 1 V / 4 V
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-100
–5000
-100
–5000
-200
–10000
0
20
0.4
2
10
10
5
30
50
2
6
100
5000
100
5000
200
10000
pA
W
V
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 5 V,
"10%,
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
温度
a
民
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入电流
I
INL
还是我
INH
满
1
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
相声
NC和NO电容
通道导通电容
COM-关断电容
t
ON
V
NO
或V
NC
= 3.0 V
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
（关闭）
C
D（上）
C
D（关闭）
F = 1 MHz的
R
L
= 50
W
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
W,
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
20
2
–74
dB
–90
7
20
13
pF
75
150
50
100
5
ns
pC
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V+ = 5.5 V, V
IN
= 0或5.5 V
2.7
12
1
V
mA
注意事项：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
通过设计保证，也不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
差的最小值和最大值。
文档编号： 70837
S- 05298 -REV 。 D， 17日-12月01
www.vishay.com
3
DG9232/9233
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
电荷注入
2.0
1.5
1.0
0.5
Q
INJ
（PC）的
0.0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
0.0
I
供应
(
m
A)
V+ = 3 V
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
V+ = 3 V
–500
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
0
1
2
V
IN
3
4
5
V+ = 5 V
电源电流与V
IN
漏电流与温度的关系
10 nA的
–40
关断隔离与频率的关系
1 nA的
OFF-隔离度（dB ）
125
I
COM （关闭）
(A)
–60
100 pA的
I
COM （关闭）
10 pA的
I
COM（上）
–80
–100
1 pA的
–120
0.1帕
25
45
65
85
105
–140
0.001 M
0.01 M
0.1 M
频率（Hz）
1M
10 M
温度（℃）
关断漏与电压@ 25_C
2.5
2.0
1.5
1.0
I
关闭
（ PA ）
0.5
0.0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
0
1
2
V
COM
3
4
5
12
0
1
I
NO / NC
r
DS （ ON）
(
W
)
I
COM
V+ = 5 V
27
30
r
DS
与V
COM
V+ = 3 V
24
21
18
V+ = 5 V
15
2
V
COM
3
4
5
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4
文档编号： 70837
S- 05298 -REV 。 D， 17日-12月01
DG9232/9233
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS
与V
COM
35
85_C
28
25_C
21
40_C
t
ON
/ t
关闭
（纳秒）
r
DS （ ON）
(
W
)
50
40
30
t
关闭
20
10
0
0.0
0
–60
70
V+ = 3 V
60
t
ON
开关时间与温度的关系
14
7
0.5
1.0
1.5
V
COM
2.0
2.5
3.0
–30
0
30
60
90
120
温度（℃）
t
ON
/t
关闭
- 电源电压
120
输入交换点与电源电压
2.25
2.00
1.75
100
T（纳秒）
V
IN
（ SW）的
t
ON
t
关闭
2.0
2.5
3.0
V+
3.5
4.0
4.5
5.0
80
1.50
1.25
1.00
60
40
20
0.75
0.50
2
3
4
V+
5
6
0
1.5
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S- 05298 -REV 。 D， 17日-12月01
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5
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