DG721 ， DG722 ， DG723
Vishay Siliconix公司
1.8 V至5.5 V ， 4
双通道SPST开关
描述
该DG721 ， DG722和DG723是精密双SPST
开关设计，从单一的1.8 V至5.5 V
电源与低功耗。该DG721 ，
DG722和DG723可以切换模拟和数字
电源轨内的信号，并在这两个进行良好
方向。
制作与事先亚微米CMOS工艺，这些
交换机可提供高精度的低平导通电阻，
低漏电流，低寄生电容，和低
电荷注入。
该DG721 ， DG722和DG723包含两个独立的
单刀单掷（ SPST）开关。切换-1和
开关2为常开的DG721和常
关闭的DG722 。对于DG723 ，开关-1是常
打开和切换- 2通常休息后先接后关闭
使切换时间。
的DG721 ， DG722和DG723是理想的开关
在低电压仪器和医疗设备，配合使用
的低电压的ADC和DAC ，模拟前端电路
增益控制，以及信号通路的控制。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和
环境，日前，Vishay Siliconix公司生产这种产品，
铅（Pb ） - 免费的设备终端。该TDFN8包有
镍 - 钯 - 金设备终止与是
由铅（Pb ） - 免费“ -E4 ”为后缀的顺序代表
零件号。采用MSOP -8封装有锡器
终止，并且由“ -E3 ”来表示。这两种器件
终端满足所有JEDEC标准的回流焊和MSL
投资评级。
截至日前，Vishay Siliconix的承诺进一步的迹象，
DG721 ， DG722和D723完全符合RoHS标准，
不含卤素。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
1.8 V至5.5 V单电源供电
低和导通电阻平坦的开关， 2.5
/ （典型值） 。
低漏电流和寄生电容
366兆赫， - 3 dB带宽
闩锁电流> 300毫安（ JESD78 ）
节省空间的封装
2毫米×2mm的TDFN8
MSOP8
过压容限TTL / CMOS兼容
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
医疗保健及医疗器械
测试仪器
便携式仪表
数据采集
控制和自动化
PDA和调制解调器
通信系统
音频，视频系统
机械式舌簧继电器更换
功能框图及引脚配置
DG721 ， MSOP- 8
NO
1
1
COM
1
2
IN
2
3
GND 4
顶视图
DG721 ， TDFN- 8
8 V+
7年
1
V+
IN
1
8
7
1
2
3
NO
1
COM
1
IN
2
销1
器件标识为TDFN - 8： DG721
X =日期/批次追踪码
ADX
NO
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NO
2
6 COM
2
COM
2
6
5 NO
2
NO
2
5
底部视图
4 GND
顶视图
器件的MSOP - 8标： 721
文档编号： 66586
S11-1474 -REV 。 E， 01 - 8 - 11
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
DG721 ， DG722 ， DG723
Vishay Siliconix公司
DG722 ， MSOP- 8
NC
1
1
COM
1
2
IN
2
3
GND 4
顶视图
DG722 ， TDFN- 8
8 V+
7年
1
V+
IN
1
8
7
1
2
3
NC
1
COM
1
IN
2
销1
器件标识为TDFN - 8： DG722
X =日期/批次追踪码
AEX
NC
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NC
2
6 COM
2
COM
2
6
5 NC
2
NC
2
5
底部视图
4 GND
顶视图
器件的MSOP - 8标： 722
DG723 ， MSOP- 8
NO
1
1
COM
1
2
IN
2
3
GND 4
顶视图
DG723 ， TDFN- 8
8 V+
7年
1
V+
IN
1
8
7
1
2
3
NO
1
COM
1
IN
2
AFX
NO
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NC
2
6 COM
2
COM
2
6
5 NC
2
NC
2
5
底部视图
4 GND引脚1
器件标识为TDFN - 8： DG723
X =日期/批次追踪码
顶视图
器件的MSOP - 8标： 723
真值表
（ DG721 ， DG722 ）
DG721
逻辑
0
1
DG722
1
0
开关
关闭
On
真值表
(DG723)
逻辑
0
1
Switch-1
关闭
On
Switch-2
On
关闭
订购信息
温度范围
包
MSOP-8
- 40 ° C至85°C
TDFN-8
产品型号
DG721DQ-T1-GE3
DG722DQ-T1-GE3
DG723DQ-T1-GE3
DG721DN-T1-GE4
DG722DN-T1-GE4
DG723DN-T1-GE4
绝对最大额定值
参数
引用V +和GND
IN， COM ，NC ，
NO
a
连续电流（任何终端）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
功率耗散（包）
b
MSOP-8
c
TDFN-8
d
极限
- 0.3-6
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 50
± 200
- 65 150
320
842
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免4毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免10.53毫瓦/°C， 70°C以上。
www.vishay.com
2
文档编号： 66586
S11-1474 -REV 。 E， 01 - 8 - 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
DG721 ， DG722 ， DG723
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(V+ = 3 V)
测试条件
否则，除非指定
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.4或1.5 V
e
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
a
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
R
ON
平整度
d
R
ON
MATCH
d
符号
V
NO
, V
NC
V
COM
R
ON
R
ON
平整度
R
ON
MATCH
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
满
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0 V到V + ，我
NO
, I
NC
= - 10毫安
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.1 V至1.6 V，
I
NO
, I
NC
= - 10毫安
V+ = 2.7 V, V
D
= 1.1 V至1.6 V，I
D
= - 10毫安
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
F = 1 MHz的
V
IN
= 0或V +的
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
房间
房间
V
IN
= 0或V + ，V + = 3.3 V
0
6.5
V+
10
0.4
0.3
0.9
V
关机漏电流
V+ = 3.3 V
V
NO
, V
NC
= 1 V/3 V, V
COM
= 3 V/1 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1 V/3 V
- 0.25
- 0.35
- 0.25
- 0.35
- 0.25
- 0.35
2
0.25
0.35
0.25
0.35
0.25
0.35
nA
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
d
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
带宽
d
关断隔离
d
相声
d
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
汲极关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电流
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
0.4
2.4
-1
16
55
7
40
1.8
319
- 67
- 92
- 47
- 90
8
9
22
1
1
V
pF
A
t
ON
t
关闭
Q
INJ
BW
OIRR
X
TALK
OIRR
X
TALK
C
NC / NO （OFF）的
C
COM （关闭）
C
ON
I+
V
NO
或V
NC
= 2 V ，R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
图1和图2
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
,
科幻gure 3
V + = 3 V ，R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的， - 3分贝
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
ns
pC
兆赫
dB
pF
A
文档编号： 66586
S11-1474 -REV 。 E， 01 - 8 - 11
www.vishay.com
3
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
DG721 ， DG722 ， DG723
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(V+ = 5 V)
测试条件
否则，除非指定
V+ = 5 V, ± 10 %, V
IN
= 0.8或2.4 V
e
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
a
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
R
ON
平整度
d
R
ON
MATCH
d
符号
V
NO
, V
NC
V
COM
R
ON
R
ON
平整度
R
ON
MATCH
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
满
V+ = 4.5 V, V
COM
= 0 V到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 4.5 V, V
COM
= 1.3 V 3 V，I
NO
, I
NC
= 10毫安
V + = 4.5 V，I
D
= 10 mA时， V
COM
= 1.3 V至3伏
V+ = 5.5 V
V
NO
, V
NC
= 1 V/4.5 V, V
COM
= 4.5 V/1 V
V+ = 5.5 V
V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1 V/4.5 V
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
F = 1 MHz的
V
IN
= 0或V +的
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
房间
房间
0
2.5
0.75
0.2
- 0.25
- 0.35
- 0.25
- 0.35
- 0.25
- 0.35
2.4
V+
4.5
5
1.5
0.9
0.25
0.35
0.25
0.35
0.25
0.35
V
关机漏电流
nA
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
d
打开-O FF
时间
d
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
0.8
2.2
- 0.1
0.005
17
9
35
2.2
366
- 67
- 90
- 47
- 90
8
9
22
2.6
4.3
2
0.1
30
40
V
pF
A
t
ON
t
关闭
Q
INJ
BW
OIRR
X
TALK
OIRR
X
TALK
C
NC / NO （OFF）的
C
COM （关闭）
C
ON
V+
I+
V
NO
或V
NC
= 3 V ，R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
图1和图2
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
,
科幻gure 3
V + = 5 V ，R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的， - 3分贝
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
ns
电荷注入
d
带宽
d
关断隔离
d
相声
d
关断隔离
d
相声
d
pC
兆赫
dB
源关断电容
d
汲极关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
pF
V
A
V
IN
= 0或V + ，V + = 5.5 V
满
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。未经生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
4
文档编号： 66586
S11-1474 -REV 。 E， 01 - 8 - 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
DG721 ， DG722 ， DG723
Vishay Siliconix公司
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
35
30
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
25
20
V+
= 2.4
V
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
V
D
- 模拟
电压
(V)
V+
= 2.7
V
V+
= 3.0
V
V+
= 3.3
V
V+
= 4.5
V
V+
= 5.0
V
V+
= 5.5
V
吨= 25°C
INO / NC = - 10毫安
V+
= 1.8
V
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
10
9.5
9.0
8.5
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V+
= 2.7
V
INO / NC = - 10毫安
+ 25 °C
+
85
°C
- 40 °C
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
V
D
- 模拟
电压
(V)
R
ON
与V
D
与单电源电压
5.0
4.5
4.0
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
1 nA的
100 pA的
10
V+
= 4.5
V
INO / NC = - 10毫安
+ 25 °C
+
85
°C
- 40 °C
I + - 电源电流（ A）
10毫安
1毫安
R
ON
与模拟电压和温度
V+
= 5.5
V
100
A
10
A
1
A
V+
= 5.0
V
100 nA的
10 nA的
V+
= 3.3
V
V+
= 3.0
V
V+
= 1.8
V
100
V
D
- 模拟
电压
(V)
1K
10 K
100 K
1M
输入开关频率（Hz ）
10 M
R
ON
与模拟电压和温度
100
V+
= 5.5
V
电源电流与输入开关频率
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
1.5
10
V
T
- 开关阈值（ V）
V
IH
漏电流（PA ）
V
IL
I
COM（上）
1
I
COM （关闭）
I
否（关）
0.1
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
温度（℃）
80
100
120
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V+
- 供应
电压
(V)
5.0
5.5
漏电流与温度的关系
开关阈值与电源电压
文档编号： 66586
S11-1474 -REV 。 E， 01 - 8 - 11
www.vishay.com
5
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
QQ：2881677436 复制
