新产品
DG636
Vishay Siliconix公司
0.5 pC的电荷注入， 100 pA的泄漏，
双路SPDT模拟开关
描述
的DG636是一个模拟CMOS ，双SPDT开关，
旨在从+ 2.7 V至+ 12 V单电源供电或
从± 2.7 V至± 5.0 V双电源供电。该DG636是完全
在+ 3V的规定， + 5 V和± 5 V.所有控制逻辑输入
从操作时保证了2 V逻辑高限
从3 V操作时， + 5 V或± 5 V电源， 1.4 V
供应量。
的DG636开关进行同样在两个方向
并提供轨对轨模拟信号处理。 < 1 pC的电量不足
注射，加上极低的开关电容和
漏电流使得这款产品非常适合于精密应用
仪器仪表应用。工作温度范围
被指定从 - 40 ° C至+ 125°C 。该DG636可用
14引脚TSSOP和节省空间1.8× 2.6毫米
miniQFN包。
特点
超低电荷注入（ ± 0.5电脑，典型值在
全模拟信号范围）
泄漏电流< 0.5最大nA的。在85℃下
RoHS指令
柔顺
低开关电容（C
SOFF
2 pF的典型值）。
低R
DS （ ON）
- 115
Ω
马克斯。
完全与单电源工作在3.0 V指定， 5.0 V
和双电源为± 5.0 V
低电压， 2.5 V CMOS / TTL兼容
600兆赫， - 3 dB带宽
。 出色的隔离和串扰性能（典型值> - 60分贝
在10 MHz ）
完全从指定 - 40 ° C至85° C和 - 40 ° C至+ 125°C
14引脚TSSOP和16引脚封装miniQFN （ 1.8× 2.6毫米）
应用
高端数据采集
医疗器械
精密仪器
高速通信应用
自动测试设备
采样保持应用
功能框图及引脚配置
DG636
mQFN-16
A0
16
启用
V-
S1A
S1B
销1
器件标识： RXX的DG636
(miniQFN16)
XX =日期/批次追踪码
1
2
3
4
5
D1
6
7
7
8
D2
NC
15
NC
14
A1
13
12
11
10
9
GND
V+
S2A
S2B
A0
启用
V-
S1A
S1B
D1
NC
1
2
3
4
5
6
7
DG636
TSSOP14
14
逻辑
13
12
11
11
9
8
顶部
意见
A1
GND
V+
S2A
S2B
D2
NC
逻辑
RXx中
NC
NC
顶部
意见
ENABLE =嗨，所有的开关控制
by
地址引脚。 ENABLE =螺，所有开关断开。
文档编号： 69901
S- 80239 -REV 。 B， 04 -FEB -08
www.vishay.com
1
新产品
DG636
Vishay Siliconix公司
真值表
启用
输入
L
H
H
H
H
选定的输入
A1
X
L
L
H
H
A0
X
L
H
L
H
在交换机上
DG636
所有开关打开
D1为S1A ， D2为S2A
D1至S1B ， D2为S2A
D1为S1A ， D2为S2B
D1至S1B ， D2为S2B
订购信息
TEMP 。 RANGE
- 40 ° C至125°C
a
注意事项：
一。 - 40 ° C至85°C数据表限制适用。
包
14引脚TSSOP
16引脚miniQFN
产品型号
DG636EQ-T1-E3
DG636EN-T1-E4
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
V +至V-
GND到V-
数字输入
a
, V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
功率耗散（包）
b
极限
14
7
（ V - ） - 0.3至（V +） + 0.3
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
14引脚TSSOP
c
16引脚miniQFN
D，E
14引脚TSSOP
16引脚miniQFN
450
525
178
152
单位
V
mA
°C
mW
° C / W
热电阻（包）
b
注意事项：
一。在SX ， DX ，或INX超过V +或V-信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免5.6毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免6.6毫瓦/°C， 70°C以上。
。手工焊接铁，不建议无引线元件。该miniQFN - 16是一种无引线封装。引线端子的端
是暴露的铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜唇不能
保证不要求保证足够的底侧的焊料互连。
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2
文档编号： 69901
S- 80239 -REV 。 B， 04 -FEB -08
新产品
DG636
Vishay Siliconix公司
规格双电源
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = - 5 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
= 2.0 V, 0.8 V
a
温度。
b
满
I
S
= 1毫安， V
D
= - 3 V, 0 V, + 3 V
I
S
= 1毫安， V
D
= ± 3 V
I
S
= 1毫安， V
D
= - 3 V, 0 V, + 3 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V
V
D
= ± 4.5 V, V
S
= 4.5 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V,
V
S
= V
D
= ± 4.5 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
根据测试= 0.8 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
被测= 2.0 V
F = 1 MHz的
V
S（ CLOSE ）
= 3 V, V
S（开）
= 0.0 V,
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= ± 3 V
V
S
= 3 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
±
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
70
1
10
± 0.01
± 0.01
± 0.01
- 0.1
- 18
- 0.1
- 18
- 0.1
- 18
- 40 125°C
- 4085 ℃下
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
导通电阻匹配
导通电阻平坦度
关闭
漏电流
通道上
漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
输入电容
e
动态特性
转换时间
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
e
关断隔离
e
带宽
e
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
Δr
ON
r
平整度
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
典型值。
c
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
115
160
5
6.5
20
33
0.1
18
0.1
18
0.1
18
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
115
140
5
6.5
20
22
单位
V
Ω
- 0.1
- 0.5
- 0.1
- 0.5
- 0.1
- 0.5
0.1
0.5
0.1
0.5
0.1
0.5
nA
I
IL
I
IH
C
IN
满
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
0.005
0.005
3.4
20
16
15
15
- 0.1
- 0.1
0.1
0.1
- 0.1
- 0.1
0.1
A
0.1
pF
t
TRANS
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
BW
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
THD
70
105
60
90
52
76
5
5
70
80
60
65
52
56
ns
0.36
- 58
610
- 88
2.1
4.2
11.3
0.01
pC
dB
兆赫
dB
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道上
电容
e
总谐波
失真
e
电源
电源电流
负电源电流
地电流
F = 1 MHz的
房间
房间
pF
信号= 1 V
RMS
， 20赫兹到20千赫兹，
R
L
= 600
Ω
房间
%
I+
I-
I
GND
V
IN
= 0 V或V +
房间
满
房间
满
房间
满
0.001
- 0.001
- 0.001
- 0.5
-1
- 0.5
-1
0.5
1
- 0.5
-1
- 0.5
-1
0.5
1
A
文档编号： 69901
S- 80239 -REV 。 B， 04 -FEB -08
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3
新产品
DG636
Vishay Siliconix公司
规格单电源供电
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
导通电阻匹配
V
类似物
r
DS （ ON）
Δr
ON
I
S（ OFF）
关机漏电流
I
D（关闭）
通道泄漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
输入电容
动态特性
转换时间
启用开启时间
启用关闭时间
先开后化妆时间
电荷注入
关断隔离
相声
e
带宽
e
总谐波失真
源关断电容
e
流掉电容
电源
电源电流
负电源电流
地电流
I+
I-
I
GND
V
IN
= 0 V或V +
房间
满
房间
满
房间
满
0.001
- 0.001
- 0.001
- 0.5
-1
- 0.5
-1
0.5
1
- 0.5
-1
- 0.5
-1
0.5
1
A
e
e
- 40 125°C
- 4085 ℃下
符号
V
在A0 ， A1和ENABLE
= 2.0 V, 0.8 V
a
温度。
b
满
I
S
= 1毫安， V
D
= + 3.5 V
I
S
= 1毫安， V
D
= + 3.5 V
V+ = 5.5 V, V- = 0 V
V
D
= 1 V/4.5 V, V
S
= 4.5 V/1 V
V+ = 5.5 V, V- = 0 V
V
S
= V
D
= 1 V/4.5 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
根据测试= 0.8 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
被测= 2.0 V
F = 1 MHz的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
5
分钟。
d
马克斯。
d
5
170
200
5
10
单位
V
Ω
120
3
± 0.01
± 0.01
± 0.01
- 0.1
- 18
- 0.1
- 18
- 0.1
- 18
170
250
5
12
0.1
18
0.1
18
0.1
18
- 0.1
- 0.5
- 0.1
- 0.5
- 0.1
- 0.5
0.1
0.5
0.1
0.5
0.1
0.5
nA
I
D（上）
I
L
I
H
C
IN
满
满
房间
房间
满
0.005
0.005
4.3
36
30
17
23
- 0.1
- 0.1
0.1
0.1
- 0.1
- 0.1
0.1
A
0.1
pF
t
TRANS
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
t
BMM
Q
OIRR
X
TALK
BW
THD
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
F = 1 MHz的
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
Ω,
V
根
= 0 V
F = 10MHz的，R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
R
L
= 50
Ω
信号= 1 V
RMS ，
20赫兹到20千赫兹，
R
L
= 600
Ω
V
S（ CLOSE ）
= 3 V, V
S（开）
= 0.0 V,
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
75
120
70
102
47
88
5
5
75
95
70
80
47
63
ns
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
0.1
- 58
- 81
520
0.009
2.5
pC
dB
兆赫
%
房间
6.4
11.3
pF
通道导通电容
e
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4
文档编号： 69901
S- 80239 -REV 。 B， 04 -FEB -08
新产品
DG636
Vishay Siliconix公司
规格单电源供电
测试条件
除非另有说明
V+ = 3 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
导通电阻匹配
V
类似物
r
DS （ ON）
Δr
ON
I
S（ OFF）
关机漏电流
I
D（关闭）
通道泄漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
输入电容
动态特性
转换时间
启用开启时间
启用关闭时间
先开后化妆时间
电荷注入
关断隔离
相声
e
带宽
e
总谐波失真
源关断电容
e
流掉电容
电源
电源电流
负电源电流
地电流
I+
I-
I
GND
V
IN
= 0 V或V +
房间
满
房间
满
房间
满
0.001
- 0.001
- 0.001
- 0.5
-1
- 0.5
-1
0.5
1
- 0.5
-1
- 0.5
-1
0.5
1
A
e
e
- 40至+ 125°C - 40至+ 85°C
符号
V
在A0 ， A1和ENABLE
= 1.4 V, 0.6 V
a
温度。
b
满
I
S
= 1毫安， V
D
= + 1.5 V
I
S
= 1毫安， V
D
= + 1.5 V
V+ = 3.0 V, V- = 0 V
V
D
= 1 V/3.0 V, V
S
= 3.0 V/1 V
V+ = 3.0 V, V- = 0 V
V
S
= V
D
= 1 V/3.0 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
被测= 0.6 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
被测= 1.4 V.
F = 1 MHz的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
3
分钟。
d
马克斯。
d
3
245
290
11
6
单位
V
Ω
200
5
± 0.01
± 0.01
± 0.01
- 0.1
- 18
- 0.1
- 18
- 0.1
- 18
245
325
6
13
0.1
18
0.1
18
0.1
18
- 0.1
- 0.5
- 0.1
- 0.5
- 0.1
- 0.5
0.1
0.5
0.1
0.5
0.1
0.5
nA
I
D（上）
I
L
I
H
C
IN
满
满
房间
房间
满
0.005
0.005
4.3
95
77
35
45
-1
-1
1
1
-1
-1
1
A
1
pF
t
TRANS
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
t
BMM
Q
OIRR
X
TALK
BW
THD
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
F = 1 MHz的
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
Ω,
V
根
= 0 V
F = 10MHz的，R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
R
L
= 50
Ω
信号= 1 V
RMS ，
20赫兹到20千赫兹，
R
L
= 600
Ω
V
S（ CLOSE ）
= 3.0 V, V
S（开）
= 0.0 V,
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
130
190
108
161
76
112
5
5
130
160
108
131
76
88
ns
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
1.2
- 57
- 93
442
0.09
2.5
pC
dB
兆赫
%
房间
6.4
11.7
pF
通道导通电容
e
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 69901
S- 80239 -REV 。 B， 04 -FEB -08
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5
DG636
Vishay Siliconix公司
0.5 pC的电荷注入， 100 pA的泄漏，
双路SPDT模拟开关
描述
的DG636是一个模拟CMOS ，双SPDT开关，
旨在从+ 2.7 V至+ 12 V单电源供电或
从± 2.7 V至± 5.0 V双电源供电。该DG636是完全
在+ 3V的规定， + 5 V和± 5 V.所有控制逻辑输入有
保证在+ 5 V或操作时， 2 V逻辑高电平限制
从3 V电源供电时， ± 5 V电源， 1.4 V 。
的DG636开关进行同样在两个方向
并提供轨对轨模拟信号处理。 < 1 pC的电量不足
注射，加上极低的开关电容和
漏电流使得这款产品非常适合于精密应用
仪器仪表应用。工作温度范围
被指定从 - 40 ° C至+ 125°C 。该DG636可用
14引脚TSSOP和节省空间的1.8毫米X 2.6毫米
miniQFN包。
特点
超低电荷注入（ ± 0.5电脑，典型值在
全模拟信号范围）
泄漏电流< 0.5最大nA的。在85℃下
RoHS指令
（对于DG636EQ -T1- E3）的
柔顺
低开关电容（C
SOFF
2 pF的典型值）。
低R
DS （ ON）
- 115
马克斯。
完全与单电源工作在3.0 V指定， 5.0
V和双电源为± 5.0 V
低电压， 2.5 V CMOS / TTL兼容
600兆赫， - 3 dB带宽
。 出色的隔离和串扰性能（典型值> - 60
分贝在10 MHz ）
完全从指定 - 40 ° C至85° C和 - 40 ° C至
+ 125 °C
14引脚TSSOP和16引脚封装miniQFN （1.8毫米×
2.6 mm)
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
高端数据采集
医疗器械
精密仪器
高速通信应用
自动测试设备
采样保持应用
功能框图及引脚配置
DG636
mQFN-16
A0
16
启用
V-
S1A
S1B
销1
器件标识： RXX的DG636
(miniQFN16)
XX =日期/批次追踪码
1
2
3
4
5
D1
6
7
7
8
D2
NC
15
NC
14
A1
13
12
11
10
9
GND
V+
S2A
S2B
A0
启用
V-
S1A
S1B
D1
NC
1
2
3
4
5
6
7
DG636
TSSOP14
14
逻辑
13
12
11
11
9
8
顶部
意见
A1
GND
V+
S2A
S2B
D2
NC
逻辑
RXx中
NC
NC
顶部
意见
ENABLE =嗨，所有的开关控制
by
地址引脚。 ENABLE =螺，所有开关断开。
文档编号： 69901
S10-1815 -REV 。 D， 02 - 8 - 10
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1
DG636
Vishay Siliconix公司
真值表
启用
输入
L
H
H
H
H
选定的输入
A1
X
L
L
H
H
A0
X
L
H
L
H
在交换机上
DG636
所有开关打开
D1为S1A ， D2为S2A
D1至S1B ， D2为S2A
D1为S1A ， D2为S2B
D1至S1B ， D2为S2B
订购信息
TEMP 。 RANGE
- 40 ° C至125°C
a
注意事项：
一。 - 40 ° C至85°C数据表限制适用。
包
14引脚TSSOP
16引脚miniQFN
产品型号
DG636EQ-T1-E3
DG636EN-T1-E4
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
V +至V-
GND到V-
数字输入，V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
功率耗散（包）
b
热电阻（包）
b
14引脚TSSOP
14引脚TSSOP
16引脚miniQFN
c
D，E
a
极限
14
7
（ V - ） - 0.3至（V +） + 0.3
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
450
525
178
152
16引脚miniQFN
单位
V
mA
°C
mW
° C / W
注意事项：
一。在SX ， DX ，或INX超过V +或V-信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免5.6毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免6.6毫瓦/°C， 70°C以上。
。手工焊接铁，不建议无引线元件。该miniQFN - 16是一种无引线封装。引线端子的端
是暴露的铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜唇不能
保证不要求保证足够的底侧的焊料互连。
规格双电源
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = - 5 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
= 2.0 V, 0.8 V
a
温度。
b
满
I
S
= 1毫安， V
D
= - 3 V, 0 V, + 3 V
I
S
= 1毫安， V
D
= ± 3 V
I
S
= 1毫安， V
D
= - 3 V, 0 V, + 3 V
房间
满
房间
满
房间
满
70
1
10
- 40 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
典型值。
c
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
115
160
5
6.5
20
33
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
115
140
5
6.5
20
22
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
导通电阻匹配
导通电阻平坦度
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
ON
R
平整度
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2
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DG636
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规格双电源
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = - 5 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
= 2.0 V, 0.8 V
a
温度。
b
满
I
S
= 1毫安， V
D
= - 3 V, 0 V, + 3 V
I
S
= 1毫安， V
D
= ± 3 V
I
S
= 1毫安， V
D
= - 3 V, 0 V, + 3 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V
V
D
= ± 4.5 V, V
S
= 4.5 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V,
V
S
= V
D
= ± 4.5 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V
V
D
= ± 4.5 V, V
S
= 4.5 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V,
V
S
= V
D
= ± 4.5 V
±
±
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
70
1
10
± 0.01
± 0.01
± 0.01
± 0.01
± 0.01
± 0.01
- 0.1
- 18
- 0.1
- 18
- 0.1
- 18
-1
- 18
-1
- 18
-1
- 18
- 40 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
典型值。
c
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
115
160
5
6.5
20
33
0.1
18
0.1
18
0.1
18
1
18
1
18
1
18
- 0.1
- 0.5
- 0.1
- 0.5
- 0.1
- 0.5
-1
-2
-1
-2
-1
-2
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
115
140
5
6.5
20
22
0.1
0.5
0.1
0.5
0.1
0.5
1
2
1
2
1
2
nA
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
导通电阻匹配
导通电阻平坦度
关闭
漏电流
（ 14引脚TSSOP ）
通道上
漏电流
（ 14引脚TSSOP ）
关闭
漏电流
（ 16引脚miniQFN ）
通道上
漏电流
（ 16引脚miniQFN ）
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
输入电容
e
动态特性
转换时间
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
e
关断隔离
e
带宽
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道上
电容
e
总谐波
失真
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
ON
R
平整度
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
IL
I
IH
C
IN
V
在A0 ， A1和ENABLE
根据测试= 0.8 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
被测= 2.0 V
F = 1 MHz的
V
S（ CLOSE ）
= 3 V, V
S（开）
= 0.0 V,
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= ± 3 V
V
S
= 3 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
满
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
0.005
0.005
3.4
20
16
15
15
- 0.1
- 0.1
0.1
0.1
- 0.1
- 0.1
0.1
A
0.1
pF
t
TRANS
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
BW
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
THD
70
105
60
90
52
76
5
5
70
80
60
65
52
56
ns
0.1
- 58
610
- 88
2.1
4.2
11.3
0.01
pC
dB
兆赫
dB
F = 1 MHz的
房间
房间
pF
信号= 1 V
RMS
， 20赫兹到20千赫兹，
R
L
= 600
房间
%
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DG636
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规格双电源
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = - 5 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
= 2.0 V, 0.8 V
a
温度。
b
房间
满
V
IN
= 0 V或V +
房间
满
房间
满
- 40 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
典型值。
c
0.001
- 0.001
- 0.001
- 0.5
-1
- 0.5
-1
分钟。
d
马克斯。
d
0.5
1
- 0.5
-1
- 0.5
-1
分钟。
d
马克斯。
d
0.5
1
A
单位
参数
电源
电源电流
负电源电流
地电流
符号
I+
I-
I
GND
规格单电源供电
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = 0 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
= 2.0 V, 0.8 V
a
温度。
b
满
I
S
= 1毫安， V
D
= + 3.5 V
I
S
= 1毫安， V
D
= + 3.5 V
V+ = 5.5 V, V- = 0 V
V
D
= 1 V/4.5 V, V
S
= 4.5 V/1 V
V+ = 5.5 V, V- = 0 V
V
S
= V
D
= 1 V/4.5 V
V+ = 5.5 V, V- = 0 V
V
D
= 1 V/4.5 V, V
S
= 4.5 V/1 V
V+ = 5.5 V, V- = 0 V,
V
S
= V
D
= 1 V/4.5 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
120
3
± 0.01
± 0.01
± 0.01
± 0.01
± 0.01
± 0.01
- 0.1
- 18
- 0.1
- 18
- 0.1
- 18
-1
- 18
-1
- 18
-1
- 18
- 40 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
5
170
250
5
12
0.1
18
0.1
18
0.1
18
1
18
1
18
1
18
- 0.1
- 0.5
- 0.1
- 0.5
- 0.1
- 0.5
-1
-2
-1
-2
-1
-2
分钟。
d
马克斯。
d
5
170
200
5
10
0.1
0.5
0.1
0.5
0.1
0.5
1
2
1
2
1
2
nA
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
导通电阻匹配
关闭
漏电流
（ 14引脚TSSOP ）
通道上
漏电流
（ 14引脚TSSOP ）
关闭
漏电流
（ 16引脚miniQFN ）
通道上
漏电流
（ 16引脚miniQFN ）
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
输入电容
动态特性
转换时间
启用开启时间
启用关闭时间
先开后化妆时间
电荷注入
关断隔离
相声
e
带宽
e
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
ON
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
单位
V
I
L
I
H
C
IN
V
在A0 ， A1和ENABLE
根据测试= 0.8 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
被测= 2.0 V
F = 1 MHz的
满
满
房间
房间
满
0.005
0.005
4.3
36
30
17
23
- 0.1
- 0.1
0.1
0.1
- 0.1
- 0.1
0.1
A
0.1
pF
t
TRANS
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
t
BMM
Q
OIRR
X
TALK
BW
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
,
V
根
= 0 V
F = 10MHz的，R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的
R
L
= 50
V
S（ CLOSE ）
= 3 V, V
S（开）
= 0.0 V,
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
75
120
70
102
47
88
5
5
75
95
70
80
47
63
ns
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
0.1
- 58
- 81
520
pC
dB
兆赫
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DG636
Vishay Siliconix公司
规格单电源供电
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = 0 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
= 2.0 V, 0.8 V
a
温度。
b
信号= 1 V
RMS ，
20赫兹到20千赫兹，
R
L
= 600
- 40 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
分钟。
d
马克斯。
d
参数
动态特性
总谐波失真
源关断电容
e
流掉电容
e
通道上
电容
e
电源
电源电流
负电源电流
地电流
符号
单位
THD
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
房间
0.009
2.5
%
F = 1 MHz的
房间
6.4
11.3
pF
I+
I-
I
GND
V
IN
= 0 V或V +
房间
满
房间
满
房间
满
0.001
- 0.001
- 0.001
- 0.5
-1
- 0.5
-1
0.5
1
- 0.5
-1
- 0.5
-1
0.5
1
A
规格单电源供电
测试条件
除非另有说明
V+ = 3 V, V- = 0 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
= 1.4 V, 0.6 V
a
温度。
b
满
I
S
= 1毫安， V
D
= + 1.5 V
I
S
= 1毫安， V
D
= + 1.5 V
V+ = 3 V, V- = 0 V
V
D
= 1 V/3 V, V
S
= 3 V/1 V
V+ = 3 V, V- = 0 V
V
S
= V
D
= 1 V/3 V
V+ = 3.3 V, V- = 0 V
V
D
= 1 V/3 V, V
S
= 3 V/1 V
V+ = 3.3 V, V- = 0 V,
V
S
= V
D
= 1 V/3 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
200
5
± 0.01
± 0.01
± 0.01
± 0.01
± 0.01
± 0.01
- 0.1
- 18
- 0.1
- 18
- 0.1
- 18
-1
- 18
-1
- 18
-1
- 18
- 40 ° C至+ 125°C - 40 ° C至+ 85°C
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
3
245
325
6
13
0.1
18
0.1
18
0.1
18
1
18
1
18
1
18
- 0.1
- 0.5
- 0.1
- 0.5
- 0.1
- 0.5
-1
-2
-1
-2
-1
-2
分钟。
d
马克斯。
d
3
245
290
11
6
0.1
0.5
0.1
0.5
0.1
0.5
1
2
1
2
1
2
nA
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
导通电阻匹配
关机泄漏
当前
（ 14引脚TSSOP ）
渠道渗漏
当前
（ 14引脚TSSOP ）
关闭
漏电流
（ 16引脚miniQFN ）
通道上
漏电流
（ 16引脚miniQFN ）
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
输入电容
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
ON
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
单位
V
I
L
I
H
C
IN
V
在A0 ， A1和ENABLE
被测= 0.6 V
V
在A0 ， A1和ENABLE
被测= 1.4 V.
F = 1 MHz的
满
满
房间
0.005
0.005
4.3
-1
-1
1
1
-1
-1
1
A
1
pF
文档编号： 69901
S10-1815 -REV 。 D， 02 - 8 - 10
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